Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng
Số trang: 7
Loại file: pdf
Dung lượng: 662.89 KB
Lượt xem: 9
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Bài báo "Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng" được chia làm bốn phần. Ngoài phần mở đầu, chúng tôi giới thiệu mô hình và lý thuyết trường trung bình động ở phần 2. Phần 3 trình bày kết quả tính toán giải tích cho hàm cảm ứng spin tĩnh. Kết quả tính số và thảo luận cho hàm cảm ứng spin tĩnh được thể hiện trong phần 4. Cuối cùng, phần 5 là phần kết luận của bài báo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm / Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 5(48) (2021) 105-111 105 5(48) (2021) 105-111 Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng Effects of diagonal disorder in spin suceptibility in a diluted magnetic semiconductor Nguyễn Hữu Nhãa, Phan Văn Nhâmb,c* Nguyen Huu Nhaa, Phan Van Nhamb,c* a Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh, TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam a Department of Theoretical Physics, VNUHCM-University of Science, Ho Chi Minh City, 700000, Vietnam b Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ Cao, Trường Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam b Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Vietnam c Khoa Khoa học Tự nhiên, Trường Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam c Faculty of Nature Sciences, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Vietnam (Ngày nhận bài: 06/7/2021, ngày phản biện xong: 12/8/2021, ngày chấp nhận đăng: 27/10/2021)Tóm tắtMất trật tự đóng vai trò rất quan trọng trong các hệ có pha tạp. Trong bài báo này, sự ảnh hưởng của mất trật tự lên tínhchất từ trong bán dẫn từ pha loãng được khảo sát thông qua hàm cảm ứng spin cho mô hình mạng Kondo có mất trật tựchéo. Giả thiết mất trật tự chéo chỉ tồn tại khi nút mạng có pha tạp, khi đó, hàm cảm ứng spin hoàn toàn có thể xác địnhđược dựa trên kết quả của lý thuyết trường trung bình động. Khi nhiệt độ giảm, thăng giáng spin tăng và kết quả hệ cóthể ở trạng thái trật tự từ khi nhiệt độ đủ thấp. Tùy vào cường độ tương tác từ hay mất trật tự mà hàm cảm ứng tươngứng với các xung lượng khác nhau có thể phân kỳ trước, dẫn tới sự cạnh tranh giữa các trạng thái từ khác nhau trong hệ.Từ khóa: Hàm cảm ứng spin tĩnh; mất trật tự; bán dẫn từ pha loãng; lý thuyết trường trung bình động.AbstractDisorders play important roles in a doping material. This paper discusses the effects of diagonal disorder in magneticcorrelations in diluted magnetic semiconductor from signatures of the static spin susceptibility function for the Kondolattice model. Suppose that the disorder occurs only in a doped lattice site, the static spin susceptibility function thus isable to be found in the framework of dynamical mean-field theory. Numerical results clarify a divergence of the staticspin susceptibility when temperature is sufficiently small. Depending on the magnetic coupling and the disorderpotential, the spin susceptibility might diverge for each momenta that delivers a complex magnetic instabilities in thesystem in the low temperature range.Keywords: static spin susceptibility function, disorder, diluted magnetic semiconductor, dynamical mean-field theory©2019 Bản quyền thuộc Đại học Duy Tân.* Corresponding Author: Phan Van Nham; Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang,550000, Vietnam; Faculty of Nature Sciences, Duy Tan University, Da Nang, 550000, VietnamEmail: phanvannham@duytan.edu.vn106 Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm / Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 5(48) (2021) 105-1111. Mở đầu Thăng giáng từ hay chuyển pha trật tự từ trong Trong những năm gần đây, với sự phát triển hệ có thể được khảo sát bằng xác định độ từ hóacủa công nghệ điện tử học spin, vật liệu bán hay hàm cảm ứng spin tĩnh. Trong bài báo này,dẫn từ pha loãng trở nên được quan tâm hơn chúng tôi sử dụng hàm cảm ứng spin tĩnh đểbao giờ hết [1,2]. Ở vật liệu bán dẫn từ pha nghiên cứu tính chất từ của hệ. Hàm cảm ứngloãng, các ion từ được pha tạp với nồng độ thấp spin tĩnh có thể phụ thuộc vào xung lượng và vìtrong các tinh thể bán dẫn. Bán dẫn từ pha vậy tùy vào giá trị xung lượng, hàm cảm ứngloãng vì vậy vừa thể hiện được tính chất điện nào đóng vai trò quan trọng sẽ quyết định trạng(do hạt tải trong bán dẫn) và vừa thể hiện tính thái trật tự từ của hệ. Hàm cảm ứng spin trongchất từ (vì có tương tác từ của hạt tải với ion từ bài báo này sẽ được tính toán dựa trên lý thuyếtpha tạp). Tính chất từ của hệ vì vậy trở nên hết trường trung bình động (DMFT) áp dụng chosức thú vị [3,4]. Khi có pha tạp từ, phổ năng mô hình mạng Kondo khi tính tới mất trật tựlượng của hạt tải xuất hiện dải tạp. Dải này chéo. Với m ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm / Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 5(48) (2021) 105-111 105 5(48) (2021) 105-111 Ảnh hưởng của mất trật tự chéo lên hàm cảm ứng spin trong bán dẫn từ pha loãng Effects of diagonal disorder in spin suceptibility in a diluted magnetic semiconductor Nguyễn Hữu Nhãa, Phan Văn Nhâmb,c* Nguyen Huu Nhaa, Phan Van Nhamb,c* a Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh, TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam a Department of Theoretical Physics, VNUHCM-University of Science, Ho Chi Minh City, 700000, Vietnam b Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ Cao, Trường Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam b Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Vietnam c Khoa Khoa học Tự nhiên, Trường Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam c Faculty of Nature Sciences, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Vietnam (Ngày nhận bài: 06/7/2021, ngày phản biện xong: 12/8/2021, ngày chấp nhận đăng: 27/10/2021)Tóm tắtMất trật tự đóng vai trò rất quan trọng trong các hệ có pha tạp. Trong bài báo này, sự ảnh hưởng của mất trật tự lên tínhchất từ trong bán dẫn từ pha loãng được khảo sát thông qua hàm cảm ứng spin cho mô hình mạng Kondo có mất trật tựchéo. Giả thiết mất trật tự chéo chỉ tồn tại khi nút mạng có pha tạp, khi đó, hàm cảm ứng spin hoàn toàn có thể xác địnhđược dựa trên kết quả của lý thuyết trường trung bình động. Khi nhiệt độ giảm, thăng giáng spin tăng và kết quả hệ cóthể ở trạng thái trật tự từ khi nhiệt độ đủ thấp. Tùy vào cường độ tương tác từ hay mất trật tự mà hàm cảm ứng tươngứng với các xung lượng khác nhau có thể phân kỳ trước, dẫn tới sự cạnh tranh giữa các trạng thái từ khác nhau trong hệ.Từ khóa: Hàm cảm ứng spin tĩnh; mất trật tự; bán dẫn từ pha loãng; lý thuyết trường trung bình động.AbstractDisorders play important roles in a doping material. This paper discusses the effects of diagonal disorder in magneticcorrelations in diluted magnetic semiconductor from signatures of the static spin susceptibility function for the Kondolattice model. Suppose that the disorder occurs only in a doped lattice site, the static spin susceptibility function thus isable to be found in the framework of dynamical mean-field theory. Numerical results clarify a divergence of the staticspin susceptibility when temperature is sufficiently small. Depending on the magnetic coupling and the disorderpotential, the spin susceptibility might diverge for each momenta that delivers a complex magnetic instabilities in thesystem in the low temperature range.Keywords: static spin susceptibility function, disorder, diluted magnetic semiconductor, dynamical mean-field theory©2019 Bản quyền thuộc Đại học Duy Tân.* Corresponding Author: Phan Van Nham; Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang,550000, Vietnam; Faculty of Nature Sciences, Duy Tan University, Da Nang, 550000, VietnamEmail: phanvannham@duytan.edu.vn106 Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm / Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 5(48) (2021) 105-1111. Mở đầu Thăng giáng từ hay chuyển pha trật tự từ trong Trong những năm gần đây, với sự phát triển hệ có thể được khảo sát bằng xác định độ từ hóacủa công nghệ điện tử học spin, vật liệu bán hay hàm cảm ứng spin tĩnh. Trong bài báo này,dẫn từ pha loãng trở nên được quan tâm hơn chúng tôi sử dụng hàm cảm ứng spin tĩnh đểbao giờ hết [1,2]. Ở vật liệu bán dẫn từ pha nghiên cứu tính chất từ của hệ. Hàm cảm ứngloãng, các ion từ được pha tạp với nồng độ thấp spin tĩnh có thể phụ thuộc vào xung lượng và vìtrong các tinh thể bán dẫn. Bán dẫn từ pha vậy tùy vào giá trị xung lượng, hàm cảm ứngloãng vì vậy vừa thể hiện được tính chất điện nào đóng vai trò quan trọng sẽ quyết định trạng(do hạt tải trong bán dẫn) và vừa thể hiện tính thái trật tự từ của hệ. Hàm cảm ứng spin trongchất từ (vì có tương tác từ của hạt tải với ion từ bài báo này sẽ được tính toán dựa trên lý thuyếtpha tạp). Tính chất từ của hệ vì vậy trở nên hết trường trung bình động (DMFT) áp dụng chosức thú vị [3,4]. Khi có pha tạp từ, phổ năng mô hình mạng Kondo khi tính tới mất trật tựlượng của hạt tải xuất hiện dải tạp. Dải này chéo. Với m ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Bài viết khoa học Hàm cảm ứng spin tĩnh Mất trật tự Bán dẫn từ pha loãng Lý thuyết trường trung bình độngGợi ý tài liệu liên quan:
-
Magnetic properties and magnetocaloric effect of Fe90-xPrxZr10 rapidly quenched alloys
7 trang 18 0 0 -
8 trang 18 0 0
-
Tác động của kinh tế chia sẻ trong lĩnh vực tài chính - ngân hàng ở Việt Nam
8 trang 17 0 0 -
11 trang 16 0 0
-
Đặc điểm sinh thái học và sự phân ố của rong Ulva intestinalis ở Cần Giờ, thành phố Hồ Chí Minh
6 trang 16 0 0 -
9 trang 15 0 0
-
Application of machine learning to fill in the missing monitoring data of air quality
7 trang 15 0 0 -
Study on the clarifying additives for high density polyethylene
6 trang 15 0 0 -
Modal analysis of multistep timoshenko beam with a number of cracks
16 trang 14 0 0 -
Ứng dụng tư liệu viễn thám và gis trong quản lý tài nguyên rừng tại tỉnh Đắk Lắk
8 trang 14 0 0