Ảnh hưởng của nhiệt độ lên trường âm - điện - từ trong dây lượng tử hình trụ với hố thế vô hạn

Khi bán dẫn một chiều (dây lượng tử) đặt trong từ trường ngoài và có sóng âm ngoài tương tác với điện tử thì có sự truyền năng - xung lượng cho các điện tử trong dây lượng tử (từ trường ngoài vuông góc với phương truyền sóng âm), trong dây lượng tử này xuất hiện hiệu ứng âm - điện - từ, tức là xuất hiện dòng âm - điện - từ nếu mạch kín và trường âm - điện - từ nếu mạch hở. Bài viết trình bày những ảnh hưởng của nhiệt độ lên trường âm - điện - từ trong dây lượng tử hình trụ với hố thế vô hạn.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Ảnh hưởng của nhiệt độ lên trường âm - điện - từ trong dây lượng tử hình trụ với hố thế vô hạn Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2017. ISBN: 978-604-82-2274-1 ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN TRƯỜNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH TRỤ VỚI HỐ THẾ VÔ HẠN Nguyễn Văn Nghĩa Trường Đại học Thủy lợi, email: nghia_nvl@tlu.edu.vn 1. GIỚI THIỆU CHUNG tuyến tính với từ trường khi độ lớn từ trường rất nhỏ tại nhiệt độ cao. Nguyên nhân của sự Khi bán dẫn một chiều (dây lượng tử) đặt xuất hiện các cực đại có thể do ảnh hưởng trong từ trường ngoài và có sóng âm ngoài của sự lượng tử từ và sự giảm kích thước tương tác với điện tử thì có sự truyền năng - của các hệ bán dẫn. xung lượng cho các điện tử trong dây lượng Trong bài báo này, chúng tôi sử dụng tử (từ trường ngoài vuông góc với phương phương pháp lượng tử (phương trình động truyền sóng âm), trong dây lượng tử này xuất lượng tử) để nghiên cứu sự ảnh hưởng của hiện hiệu ứng âm - điện - từ, tức là xuất hiện nhiệt độ lên trường âm - điện - từ trong dây dòng âm - điện - từ nếu mạch kín và trường lượng tử hình trụ với hố thế vô hạn. Kết quả âm - điện - từ nếu mạch hở. Bản chất của nhận được biểu thức trường âm – điện – từ hiệu ứng âm-điện - từ là do sự tồn tại của các trong dây lượng tử với hố thế vô hạn. Các kết dòng từng phần được tạo ra bởi các nhóm quả này được tính toán số với dây lượng tử năng lượng khác nhau của các điện tử, khi hình trụ hố thế vô hạn điển hình dòng âm - điện - từ toàn phần trong dây AlGaAs/GaAs, cho thấy sự phụ thuộc của lượng tử bằng không. trường âm – điện – từ vào nhiệt độ tại vùng Gần đây, có nhiều nghiên cứu về các bài từ trường mạnh. Cuối cùng kết quả được so toán tương tác sóng âm ngoài với điện tử sánh với bán dẫn khối, siêu mạng [1] và hố giam cầm trong sự có mặt của từ trường lượng tử. ngoài trong các hệ bán dẫn khối (hiệu ứng âm - điện và âm - điện - từ trong bán dẫn n-InSb 2. KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU ở nhiệt độ thấp), hệ bán dẫn hai chiều (hiệu ứng âm - điện – từ trong hố lượng tử và trong Xét dây lượng tử hình trụ với hố thế vô siêu mạng pha tạp) cũng như dây lượng tử hạn, trong đó giả thiết rằng điện tử có thể bằng phương pháp cổ điển. Các kết quả chỉ ra chuyển động tự do theo phương z và bị giam rằng trường âm - điện - từ chỉ xuất hiện trong cầm theo hai phương còn lại x và y. Hàm vùng từ trường yếu và nhiệt độ cao. Khi sử riêng của điện tử trong dây lượng tử này đã dụng phương pháp lượng tử nghiên cứu các nhận được từ việc giải phương trình bài toán này, các kết quả cho thấy trường âm Schrodinger cho một điện tử chuyển động - điện - từ tỉ lệ thuận với độ lớn của từ trường trong dây đó khi có từ trường là: ngoài trong vùng từ trường yếu tại nhiệt độ ( N  n )! p  n  2 F1  N , n  1;   i z z  N ,n ,l ( r )  N * e il e  2 (1) cao và tỉ lệ nghịch với độ lớn của từ trường 2L( N ! ) ngoài trong vùng từ trường mạnh tại nhiệt độ ở đây   r 2 / 2a c2 , r bán kính của dây lượng thấp đối với bán dẫn khối. Đối với bán dẫn tử; ac = c / eB là bán kính cyclotron; hai chiều và dây lượng tử thì trường âm - l = 1,2,... là số lượng tử quỹ đạo; N = 0,1,2, ... điện - từ có nhiều cực đại trong miền từ là số lượng tử từ; n = 0,±1,±2,... là số lượng trường mạnh tại nhiệt độ thấp và nó gần như tử góc phương vị; L là chiều dài; pz là hình 490 Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2017. ISBN: 978-604-82-2274-1 chiếu của véc tơ động lượng của điện tử dọc Sử dụng Hamiltonian (4) tương tác của hệ theo trục z; và điện tử sóng âm ngoài và tán xạ điện tử với N *  ac2  e   F12  a n ,l , n  1; d , phonon trong dây lượng tử hình trụ hố thế vô 2 R n (2) 0 hạn trong sự lượng tử hóa lần thứ hai thay ở đây F12 ( a\n\,l ,\n \ 1; ) là dạng tổng quát vào phương trình chuyển động của hệ điện tử của hàm siêu bội hữu hạn  = 0; a\ n\,l là trung bình. Nhận được phương trình động nghiệm của hàm siêu bội F1 ( a\n\,l ,\n \ 1; ) =0. ...