Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p3) - PGS.TS Lê Minh Phương

Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p3) trình bày những nội dung chính sau: Silicon Controlled Rectifier - SCR, basic structure and operation, dynamic switching characteristics, trạng thái SCR, đặc điểm của SCR, gate Turn-off rhyristors - GTO,... Mời các bạn tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p3) - PGS.TS Lê Minh Phương 1/21/2013 Ho Chi Minh City University of TechnologyPGS.TS Lê Minh PhươngKhoa Điện –Điện TửTrường Đại Học Bách KhoaTP HỒ CHÍ MINHContact info:Address: 268 Lý Thường Kiệt, P.14,Q.10, TP Hồ Chí MinhTelephone: 84-08-38647256 (5722)Mobile: 0988572177E-mail: lmphuong@hcmut.edu.vn; ivanphuong@yahoo.com 1 Power Electronics ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường ĐHBK TPHCM TPHCM 2012 2 1 1/21/2013 Contents – Nội dung 1. Tổng quan về Điện tử công suất 2. Các linh kiện bán dẫn 3. Mô phỏng Matlab-Simulink 4. Bộ chỉnh lưu 5. Bộ biến đổi điện áp xoay chiều 6. Bộ biến đổi điện áp một chiều 7. Bộ nghịch lưu –biến tần 31/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong References 1. MÔ PHỎNG ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT TRONG MATLAB/SIMULINK - Lê Minh Phương, Phan Quốc Dũng – Nhà xuất bản ĐHQG 2011 2. POWER ELECTRONICS HANDBOOK – Muhammad H. Rashid 3. MATLAB/SIMULINK - Mathworks. http://www.mathworks.com/ 4. ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT 1 – Nguyễn Văn Nhờ Nhà xuất bản ĐHQG 41/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 2 1/21/2013 Power Electronics Chương 2 CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường ĐHBK TPHCM TPHCM 2012 5 Contents – Nội dung 1. Diodes 2. Bipolar Junction Transistor (BJT) 3. Metal Oxide Semiconductor Effect Transistor (MOSFET) 4. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 5. Thyristor 6. Gate Turn Of Thyrisor (GTO) 7. Triode Alternative Current (TRIAC) 61/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 3 1/21/2013 Power Electronic Devices SILICON CONTROLLED RECTIFIER -SCR SCR là linh kiện bán dẫn điều khiển đóng bằng dòng điện. Cấu tạo gồm lớp tiếp xúc p-n- p-n, và 3 điện cực Anode (A), Cathode (K), Gate (G). Mạch công suất nối giữa A-K, Mạch điều khiển nối giữa cổng G-K. 71/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Basic Structure and Operation Hoạt động: 1. Khi VAK>0: SCR ở trạng thái 2. Khi IGthuận khóa >0, J3 phân (forward-blocking cực thuận và điện tử sẽ chạy từ n+cực state), J 2 phân ngược sang p-. Một (reverse số điện tửbiased). sẽ khuyếchIG=0.tánNếu VAK Trường hợp đặc biệt: khi điện qua p- không và được vượt nhận quá điện áp đánh áp đặt lớn hơnởđiện n-, điều áp khóa lớn này làm thủng SCR OFF thì trạng thay đổi của J1 làm cho nhất (maximum tháiforward-blocking điện tíchthì voltage) lỗ hổng SCR ON. từ p+ sẽ Tuychuyển nhiên sang n- vàtrạng nên tránh khuyếch tán do thái này quadòng p- ...