Bài giảng Điện tử số (Digital Electronics) - Chương 3: Vi mạch số

Bài giảng Điện tử số (Digital Electronics) - Chương 3: Vi mạch số cung cấp cho học viên những kiến thức về khái niệm vi mạch, phân loại vi mạch số, các thông số đặc trưng của vi mạch số, vi mạch tương tự và số,... Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết nội dung bài giảng!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Điện tử số (Digital Electronics) - Chương 3: Vi mạch số Chương 3VI MẠCH SỐ 1Nội dung Khái niệm vi mạch Phân loại vi mạch số Các thông số đặc trưng của vi mạch số 23.1. Khái niệm vi mạch Các phần tử logic được cấu thành từ các linh kiện điện tử Các linh kiện điện tử này khi kết hợp với nhau trong một khối vi mạch thực hiện một chức năng xác định được gọi là mạch tích hợp (Integrated Circuit – viết tắt là IC) Mạch tích hợp có đặc điểm:  Ưu điểm: mật độ linh kiện lớn, làm giảm thể tích, giảm trọng lượng và kích thước mạch  Nhược điểm: hỏng một linh kiện thì hỏng cả mạch Có 2 loại mạch tích hơp:  Mạch tích hợp tương tự  Mạch tích hợp số 3Vi mạch tương tự và số X Vi mạch Y X, Y: tín hiệu tương tự  vi mạch tương tự X, Y: tín hiệu số  vi mạch số 4 3.2. Phân loại vi mạch số Theo mức tích hợp linh kiện:  Mức tích hợp là tổng số phần tử tích cực (transistor) hoặc cổng logic chứa trên một mảnh tinh thể bán dẫn  Tính theo số lượng cổng logic (gate) có các loại sau: Loại mạch Số cổng logic/IC SSI (Small Scale Integration) < 10 MSI (Medium Scale Integration) 10  100 LSI (Large Scale Integration) 100  1000 VLSI (Very Large Scale Integration) 103  106 ULSI (Ultra Large Scale Integration) > 106 5Phân loại theo bản chất linh kiện được sử dụng IC sử dụng linh kiện lưỡng cực:  RTL (Resistor Transistor Logic)  DTL (Diode Transistor Logic)  TTL (Transistor Transistor Logic) IC sử dụng linh kiện đơn cực (MOSFET):  PMOS (p – Panel Metal Oxide Semiconductor)  NMOS (n – Panel Metal Oxide Semiconductor)  CMOS (Complementary MOS) 63.3. Các thông số đặc trưng của IC số Mức logic Điện áp nguồn cung cấp Công suất tiêu thụ ở chế độ động Hệ số tải N Trễ truyền đạt Dải nhiệt độ làm việc Hãng chế tạo …. 71. Mức logic Vcc Mức logic “1” VH(min) Dải điện áp không xác định VL(max) Mức logic “0” GND Qui ước logic dương 8 Các mức logic VIL(max) – giá trị lớn nhất cho phép của điện áp ứng với mức logic “0” ở lối vào VIH(min) – giá trị nhỏ nhất cho phép của điện áp ứng với mức logic “1” ở lối vào V0L(max) – giá trị lớn nhất của điện áp ứng với mức logic “0” ở lối ra V0H(min) – giá trị nhỏ nhất của điện áp ứng với mức logic “1” ở lối ra IIL – dòng điện ở lối vào của cổng logic ứng với điện áp vào mức thấp VIL IIH – dòng điện ở lối vào của cổng logic ứng với điện áp vào mức cao VIH I0L- dòng điện cổng logic có thể cung cấp ở lối ra ứng với điện áp ra V0L I0H- dòng điện cổng logic có thể cung cấp ở lối ra ứng với điện áp ra V0H 9Ví dụVới họ TTL chuẩn ta có: 5V 5V 3,5V 2V Dải điện áp Dải điện áp không xác định không xác định 0,5V 0.8V 0V 0V Ra Vào 102. Điện áp nguồn cung cấp Vcc – dải điện áp cung cấp đảm bảo cho cổng logic hoạt động bình thường Ví dụ:  TTL chuẩn: Vcc = +5V ± 5%  CMOS: Vcc = (+3V ÷ +18V) ± 5% 113. Công suất tiêu thụ ở chế độ động Chế độ động là chế độ làm việc có tín hiệu Công suất tiêu thụ ở chế độ động là công suất tổn hao trên các phần tử trong vi mạch ở chế độ động, nên cần càng nhỏ càng tốt Công suất tiêu thụ ở chế độ động phụ thuộc  Tần số làm việc  Công nghệ chế tạo 124. Hệ số tải N Hệ số tải N là số cực đại các cổng logic tương đương có thể nối ở lối ra của cổng logic đang xét N =min( I0L1/IIL2, I0H1/IIH2) Ví dụ, với một cổng logic TTL chuẩn có:  Dòng ra: IOH = 0,4mA, IOL = 16mA  Dòng vào: IIH = 0,02mA, IIL = 1,6mA I OL1 16 I OH 1 0,4    10,   20 I IL ...