Bài giảng Kỹ thuật điện tử: Bài 8 - Lưu Đức Trung

Bài giảng Kỹ thuật điện tử: Bài 8 - Lưu Đức Trung cung cấp cho học viên các kiến thức về các khuếch đại một transistor; phân loại khuếch đại; các khuếch đại đảo – emitter chung và cực nguồn chung; các mạch lặp - khuếch đại collector chung và cực máng chung; các khuếch đại không đảo – Base chung và cực cửa chung; tụ đi vòng và ghép;... Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết nội dung bài giảng!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Kỹ thuật điện tử: Bài 8 - Lưu Đức Trung BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORBÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTOR 8.1Phânloạikhuếchđại8.2Cáckhuếchđạiđảo–emitterchungvàcựcnguồnchung8.3Cácmạchlặpkhuếchđạicollectorchungvàcựcmángchung8.4Cáckhuếchđạikhôngđảo–Basechungvàcựccửachung8.5Tụđivòngvàghép BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 1 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORBÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTOR BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 2 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORBÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 3 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTOR8.1Phânloạikhuếchđại Tín hiệu đưa vào tranzitor qua các cực base hay cựccổngvàtínhiệurađượclấytừcựccollectorhaycựcmáng. Tuynhiên,tranzitorcóbacựcphânbiệtvàrấtcóthểđượcsửdụngđểđưatíntiệuđểkhuếchđạivào,gồmcựcbase,cựcemittervàcựccollector choBJT,cựccửa,cựcnguồnvàcựcmángđốivớiFET. Chúngtasẽthấymộtcáchngắngọnrằngchỉcựcbasevàcựcemitterhaycựccửavàcựcnguồnlàhữuíchvàolúc BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 4 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORtínhiệuđượcđưavào;cựccollectorvàcựcemitter,haycựcmángvàcựcnguồnlàhữuíchđểlấytínhiệura. Cónhiềuloạicấuhìnhkhuếchđại,hầunhư đềusửdụnggiốngnhaumạchphâncựcbốnđiệntrở minhhọatronghình8.1.1. Cáchmắcthêmcáctụ điệnrồisẽ đượcsử dụngđểthayđổitínhiệuvàovàravàthayđổitínhchấtxoaychiềucủacácbộkhuếchđại. BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 5 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORHình8.1.1Mạchkhuếchđạithếhiệubốnđiệntrởcho(a) BJTvà(b)MOSFET BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 6 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORTínhiệuvàovàra–BJT Với BJT trong hình 8.1.1(a) mô hình chuyển vận tínhiệurộngđưarasự trợ giúpthíchđángchovị trícủatínhiệuđầuvào. TrongmiềntíchcựccủaBJT: � �vBE � � ic = I s � exp � � � � �VT � � BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 7 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTOR iC I S � �vBE � � iB = = exp � � β F β F � �VT � � (8.1.1) � � IS � �vBE � � iE = exp � � � � αF � �VT � � ĐểlàmchoiC,iF,iBbiếnđổicóýnghĩa,tacầnthayđổiđiệnáptrêncặpcựcbaseemittervBEtheohàmmũ.BởivìvBElàtươngđươngvới v BE vB vE (8.1.2) BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 8 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTOR Mộtđiệnáptínhiệuvàocóthểđượcđưavàomạchđểbiến đổi điện áptại hoặccực base haycực emitter của tranzitor.Chúýrằngtađãbỏ quađiệnápEarlytrongcôngthức8.1.1,nóbiểuthị rằngthayđổiđiệnápcựccollectorkhôngcótácdụngvớidòngcủacáccực.Dovậycáccựccollectorkhôngthíchhợpchoviệcđưatínhiệuvào.Kể cảvớicácgiátrịhữuhạncủađiệnápEarly,cácbiếnđổidòngvớiđiệnápgóplànhỏ,đặcbiệtkhisosánhvớisự phụthuộchàmmũcủacácdòngtrên vBE –mộtlầnnữa,cực BÀIGIẢNGKỸTHUẬTĐIỆNTỬ 9 BÀI8CÁCKHUẾCHĐẠIMỘTTRANSISTORcollectorkhôngđượcsử dụngnhư mộtđiểmđưatínhiệuvào. Sự thayđổiđángkể về dòngtrêncựccollectorvàcựcemittercóthểtạoratínhiệuđiệnápcaogiữacácđiệntrởcựccollectorvàcựcemitter, R3 và R4 tronghình8.1.1.Dođó,cáctínhiệucóthểđượcđưarakhỏibộkhuếchđạitạicựccollectorvàcựcemitter.Tuynhiên,dodòngởcựcbaseiBlàmộtthừasốcủa F,nhỏhơncả iChayiE,nêncựcbasekhôngthườngđượcdùngnhưmộtcựcđầura. ...