Bài giảng Kỹ thuật điện tử ( Nguyễn Duy Nhật Viễn) - Chương 5 Kỹ thuật xung cơ bản
Số trang: 21
Loại file: ppt
Dung lượng: 1.01 MB
Lượt xem: 11
Lượt tải: 0
Xem trước 3 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Chương 5 Kỹ thuật xung cơ bản trình bày khái niệm mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định. Mạch không đồng bộ 1 trạng thái ổn định.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Kỹ thuật điện tử ( Nguyễn Duy Nhật Viễn) - Chương 5 Kỹ thuật xung cơ bảnKỹ thuật điện tửNguyễn Duy Nhật ViễnChương 5Kỹ thuật xung cơ bảnNội dung Khái niệm Mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định (tr Mạch không đồng bộ 1 trạng thái ổn định Đa hài hai trạng thái không ổn địnhKhái niệmKhái niệm U U tx Tín hiệu xung: tín hiệu rời tx rạc theo thời gian. tng Hai loại thường gặp t t Xung đơ n Xung vuông Xung đơn. U U Dãy xung. Cực tính của xung có thể là dương, âm hoặc cả t Xung mũ t Xung tam giác dương lẫn âm. U U t t Xung cự c tính âm Xung hai cự c tínhKhái niệm Biên độ xung Um: giá trị U lớn nhất của xung. tx Um Độ rộng sườn trước ttr và 0.9Um độ rộng sườn sau ts : 0.5Um biên độ xung từ 0.1Um 0.1Um đến 0.9Um và ngược lại. ttr td ts t Độ rộng xung tx: thời gian biên độ xung trên mức 0.5Um.Khái niệm Chu kỳ xung T: là thời gian bé nhất mà xung lặp U T lại biên độ của nó. tx tng Thời gian nghỉ tng: thời gian trống giữa hai xung liên tiếp. Hệ số lấp đầy γ : tỷ số giữa độ rộng xung là chu kỳ xung γ =tx/T. Với T=tx+tng.và γ Chế độ khóa của BJT Yêu cầu cơ bản: Ura ≥ UH khi Uvào ≤ UL. Ura ≤ UL khi Uvào ≥ UH. +Ec Khi Uvào ≤ UL transistor ở trạng thái đóng, dòng điện ra IC = 0, RC khi không có tải RT thì Ura=+Ec. RT nhỏ nhất khi RT=RC. Lúc Q này, Ura=Ec/2. Chọn UH≤ Ec/2. Uvào RT RB Ura Với BJT Si, chọn Ul=0.4V. Khi Uvào ≥ UH transistor ở trạng thái dẫn bão hòa (Ura~0.2V). UraChế độ khóa của BJT Đặc tính truyền đạt Tham số dữ trữ chống nhiễu: SH = Ura khóa – UH SL = UL - Ura mở Ura khóa và Ura mở là các điện áp thực tế tại lối ra của BJT. Ví dụ: SH = 2,5V – 1,5V = 1V (lúc Uv ≤ UL) SL = 0,4V – 0,2V = 0,2V (lúc Uv≥ UH) SH có thể lớn bằng cách chọn Ec và các tham số Rc, RB thích hợp. SL thường nhỏ. Do Urabh = UCEbh thực tế không thể giảm được, muốn SL tăng, cần tăngChế độ khóa của BJT Khắc phục SL nhỏ (chống nhiễu mức thấp kém) Biện pháp này cần thiết đối với BJT Ge, vì UL của BJT Ge nhỏ. VCC VCC RC RC Ur Ur Q Q Uv R1 D R1 R2 R2 -VCC Chế độ khóa của OPAMP U vàoKhi Uv < Ungưỡng : VCC U ngưỡng UP < 0 , Ura = Uramax -Khi Uv ≥ Ungưỡng : U ra t U ra UP > 0 , Ura = -Uramax + VCC U ramax U vào U ngưỡng -VCC t -U ramax -VCC U vào VCC U ngưỡng -Khi Uv < Ungưỡng : t U ra Ura = - Uramax + VCC U raKhi Uv ≥ Ungưỡng : U ngưỡng U vào -VCC U ramax tUra = + Uramax -U ramax -VCCMạch không đồng bộhai trạng thái ổn định(trigger)RS trigger: VCC R5 R6 Đầu vào S: đầu vào thiết Q R2 R1 Q lậ ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Kỹ thuật điện tử ( Nguyễn Duy Nhật Viễn) - Chương 5 Kỹ thuật xung cơ bảnKỹ thuật điện tửNguyễn Duy Nhật ViễnChương 5Kỹ thuật xung cơ bảnNội dung Khái niệm Mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định (tr Mạch không đồng bộ 1 trạng thái ổn định Đa hài hai trạng thái không ổn địnhKhái niệmKhái niệm U U tx Tín hiệu xung: tín hiệu rời tx rạc theo thời gian. tng Hai loại thường gặp t t Xung đơ n Xung vuông Xung đơn. U U Dãy xung. Cực tính của xung có thể là dương, âm hoặc cả t Xung mũ t Xung tam giác dương lẫn âm. U U t t Xung cự c tính âm Xung hai cự c tínhKhái niệm Biên độ xung Um: giá trị U lớn nhất của xung. tx Um Độ rộng sườn trước ttr và 0.9Um độ rộng sườn sau ts : 0.5Um biên độ xung từ 0.1Um 0.1Um đến 0.9Um và ngược lại. ttr td ts t Độ rộng xung tx: thời gian biên độ xung trên mức 0.5Um.Khái niệm Chu kỳ xung T: là thời gian bé nhất mà xung lặp U T lại biên độ của nó. tx tng Thời gian nghỉ tng: thời gian trống giữa hai xung liên tiếp. Hệ số lấp đầy γ : tỷ số giữa độ rộng xung là chu kỳ xung γ =tx/T. Với T=tx+tng.và γ Chế độ khóa của BJT Yêu cầu cơ bản: Ura ≥ UH khi Uvào ≤ UL. Ura ≤ UL khi Uvào ≥ UH. +Ec Khi Uvào ≤ UL transistor ở trạng thái đóng, dòng điện ra IC = 0, RC khi không có tải RT thì Ura=+Ec. RT nhỏ nhất khi RT=RC. Lúc Q này, Ura=Ec/2. Chọn UH≤ Ec/2. Uvào RT RB Ura Với BJT Si, chọn Ul=0.4V. Khi Uvào ≥ UH transistor ở trạng thái dẫn bão hòa (Ura~0.2V). UraChế độ khóa của BJT Đặc tính truyền đạt Tham số dữ trữ chống nhiễu: SH = Ura khóa – UH SL = UL - Ura mở Ura khóa và Ura mở là các điện áp thực tế tại lối ra của BJT. Ví dụ: SH = 2,5V – 1,5V = 1V (lúc Uv ≤ UL) SL = 0,4V – 0,2V = 0,2V (lúc Uv≥ UH) SH có thể lớn bằng cách chọn Ec và các tham số Rc, RB thích hợp. SL thường nhỏ. Do Urabh = UCEbh thực tế không thể giảm được, muốn SL tăng, cần tăngChế độ khóa của BJT Khắc phục SL nhỏ (chống nhiễu mức thấp kém) Biện pháp này cần thiết đối với BJT Ge, vì UL của BJT Ge nhỏ. VCC VCC RC RC Ur Ur Q Q Uv R1 D R1 R2 R2 -VCC Chế độ khóa của OPAMP U vàoKhi Uv < Ungưỡng : VCC U ngưỡng UP < 0 , Ura = Uramax -Khi Uv ≥ Ungưỡng : U ra t U ra UP > 0 , Ura = -Uramax + VCC U ramax U vào U ngưỡng -VCC t -U ramax -VCC U vào VCC U ngưỡng -Khi Uv < Ungưỡng : t U ra Ura = - Uramax + VCC U raKhi Uv ≥ Ungưỡng : U ngưỡng U vào -VCC U ramax tUra = + Uramax -U ramax -VCCMạch không đồng bộhai trạng thái ổn định(trigger)RS trigger: VCC R5 R6 Đầu vào S: đầu vào thiết Q R2 R1 Q lậ ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Điện tử cơ bản Kỹ thuật điện tử Bài giảng kỹ thuật điện tử Kỹ thuật điện tử cơ bản Kỹ thuật xung Ứng dụng kỹ thuật điện tửGợi ý tài liệu liên quan:
-
Giáo trình Kỹ thuật điện tử (Nghề: Điện công nghiệp - Cao đẳng) - Trường Cao đẳng Cơ giới (2023)
239 trang 243 0 0 -
102 trang 196 0 0
-
94 trang 170 0 0
-
Hệ thống sưởi - thông gió - điều hòa không khí - Thực hành kỹ thuật điện - điện tử: Phần 1
109 trang 157 0 0 -
83 trang 155 0 0
-
Đề kiểm tra giữa học kỳ II năm 2013 - 2014 môn Cấu trúc máy tính
6 trang 143 0 0 -
167 trang 139 1 0
-
34 trang 131 0 0
-
Giáo trình Vi mạch tương tự: Phần 1 - CĐ Giao thông Vận tải
70 trang 122 0 0 -
74 trang 120 0 0