Danh mục

bài giảng Kỹ thuật điện tử và tin học phần 5

Số trang: 23      Loại file: pdf      Dung lượng: 634.76 KB      Lượt xem: 14      Lượt tải: 0    
10.10.2023

Xem trước 3 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Hình 2.68: b) Sơ đồ thay thế Để khảo sát các tham số của tầng khuếch đại BC theo dòng xoay chiều ta sử dụng sơ đồ tương đương hình 2.68b. Rv = RE // [ rE + ( 1 - a )rB] (2-150) Từ (2-150) ta thấy điện trở vào của tầng được xác định chủ yếu bằng điện trở rE và vào khoảng (10 ¸ 50)W. Điện trở vào nhỏ là nhược điểm cơ bản của tầng BC vì tầng đó sẽ là tải lớn đối với nguồn tín hiệu vào. ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
bài giảng Kỹ thuật điện tử và tin học phần 5 Hình 2.68: b) Sơ đồ thay thếĐể khảo sát các tham số của tầng khuếch đại BC theo dòng xoay chiều ta sử dụng sơđồ tương đương hình 2.68b. Rv = RE // [ rE + ( 1 - a )rB] (2-150)Từ (2-150) ta thấy điện trở vào của tầng được xác định chủ yếu bằng điện trở rE vàvào khoảng (10 ¸ 50)W. Điện trở vào nhỏ là nhược điểm cơ bản của tầng BC vì tầngđó sẽ là tải lớn đối với nguồn tín hiệu vào. Đối với thành phần xoay chiều thì hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là a = IC/ IE vàa < l. Hệ số khuếch đại dòng điện Ki tính theo sơ đồ hình 2.68b sẽ là R c //R t K i = α. (2-151) Rt Hệ số khuếch đại điện áp R c //R t K u = α. (2-152) Rn + R v Từ (2-152) ta thấy khi giảm điện trở trong của nguồn tín hiệu vào sẽ làm tăng hệsố khuếch đại điện áp. Điện trở ra của tầng BC Rr = Rc // rc(B) » Rc (2-153)cần chú ý rằng đặc tuyển tĩnh của tranzito mắc BC có vùng tuyến tính rộng nhất nêntranzito có thể dùng với điện áp colectơ lớn hơn sơ đồ EC (khi cần có điện áp ở đầura lớn). Trên thực tế tầng khuếch đại BC cd thể dùng làm tầng ra của bộ khuếch đại,còn tầng CC đùng làm tầng trước cuối. Khi đó tầng CC sẽ là nguồn tín hiệu và có điệntrở trong nhỏ (điện trở ra) của tầng BC. d – Tầng khuếch đại đảo pha Tầng đảo pha (tầng phân tải) dùng để nhận được hai tín hiệu ra. lệch pha nhau180o. Sơ đồ tầng đảo pha vẽ trên hình 2.69a. Nó có thể nhận được từ sơ đồ EC hình 932.64 khi bỏ tụ CE và mắc tải thứ hai Rt2 vào RE qua Cp3. Tín hiệu ra lấy từ colectơ vàemitơ của tranzito. Tín hiệu ra Ur2 lấy từ emitơ đồng pha với tín hiệu vào Uv (h.2.69b,c)còn tín hiệu ra Url lấy từ colectơ (h.2.69c) ngược pha với tín hiệu vào. Dạng tín hiệu vẽ trên hình 2.69b, c, d Hình 2.69: Sơ đồ tầng đảo pha và biểu đồ thời gianĐiện trở vào của tầng đào pha tính tương tự như tầng CC: Rv = R1 // R2 // [ rB + ( 1 + b )(rE + RE// Rt2)] (2-154)hoặc tính gần đúng Rv » ( 1 + b) ( rE + RE // Rt2) (2-155) Hệ số khuếch đại điện áp ở đầu ra 1 xác đinh tương tự như sơ đồ EC, còn ở đầura 2 xác định tương tự như sơ đồ CC. Rc //R t1 K u1 » -β. (2-156) Rn + R v RE //R t2 K u2 » (1 + β ). (2-157) Rn + R vNếu ( 1 +b)(RE// Rt2)= b(Rc//Rt1 ) thi hai hệ số khuếch đại này sẽ giống nhau. Tầng đảopha cũng có thể dùng biến áp, sơ đồ nguyên lí như hình 2.70. 94 Hình 2.70: Sơ đồ tầng đảo pha dùng biến áp Hai tín hiệu ra lấy từ hai nửa cuộn thứ cấp có pha lệch nhau 180o so với điểm O.Nếu hai nửa cuộn thứ cấp có số vòng bằng nhau thì hai điện áp ra s ẽ bằng nhau.Mạch đảo pha biến áp được dùng vì dễ dàng thay đổi cực tính của điện áp ra và còncó tác dụng để phối hợp trở kháng.2.3.3. Khuếch đại dùng tranzito trường (FET) Nguyên lí xây dựng tầng khuếch đại đùng tranzito trường cũng giống như tầngdùng tranzito lưỡng cực, điểm khác nhau là tranzito trường điều khiển bằng điện áp.Khi chọn chế độ tĩnh của tầng dùng tranzito trường cần đưa tới đầu vào (cực cửa)một điện áp một chiều có trị số và cực tính cần thiết. a - Khuếch đại cực nguồn chung (SC) Hình 2.71a: Sơ đồ tầng Khuếch đại cực nguồn chung (SC) 95 ID mA PDmax IDmax d D UGS P ID0 · UPmax UDS V C UDS0 Hình 2.71b: Đồ thị xác định chế độ t ĩnh của tầng Khuếch đại cực nguồn chung (SC) Sơ đồ khuếch đại SC dùng MOSFET có kênh n đặt sẵn cho trên hình 2.71. Tải RĐđược mắc vào cực máng, các điện trở R1, RG, RS dùng để xác lập UGSO ở chế ...

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: