Bài giảng Vật liệu và linh kiện điện tử: Chương 6 - ThS. Hà Duy Hưng

Chương 6 "Phân cực cho transistor BJT", những nội dung chính được trình bày trong chương này gồm có: Đại cương, phân cực bằng hai nguồn, phân cực bằng nguồn chung, ảnh hưởng của nhiệt độ đối với transistor, các phương pháp ổn định nhiệt, ba cách ráp căn bản và mạch tương đương của transistor,... Mời các bạn cùng tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Vật liệu và linh kiện điện tử: Chương 6 - ThS. Hà Duy Hưng Chương 6: PHÂN CỰC CHO TRANSISTOR BJT 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 1 I. ĐẠI CƯƠNG • Transistor có rất nhiều ứng dụng trong các thiết bị điện tử, tuỳ theo từng ứng dụng cụ thể mà transistor cần phải được cung cấp điện áp và dòng điện cho từng chân một cách thích hợp. • Việc chọn điện áp nguồn và điện trở ở các chân transistor gọi là phân cực cho transistor. 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 2 II. PHÂN CỰC BẰNG HAI NGUỒN • 1. Trường hợp không có RE • Xét mạch điện hình 7.1 là mạch phân cực cho transistor có độ khuếch đại dòng điện  = 100 và VBE = 0,6V. 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 3 • Ở ngõ vào nguồn VBB cung cấp dòng điện IB cho cực B qua điện trở RB. • Ta có: V V 3V  0,6V BB BE IB    20A RB 120k  • Suy ra dòng điện ở cực thu là: • IC = .IB = 100  20A = 2mA. • Ở ngõ ra dòng điện IC được cung cấp do nguồn VCC và dòng điện IC qua điện trở RC tạo giảm áp. 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 4 • Ta có: VCE = VCC – IC.RC • = 12V – (2mA  3k) = 6V • Trên transistor có dòng điện IC qua và chịu điện áp VCE nên tiêu hao một công suất là: • P = VCE.IC = 6V  2mA = 12mW • Từ các trị số dòng điện và điện áp trên ta có thể xác định điểm làm việc của transistor trên đặc tuyến ngõ ra. 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 5 • Từ công thức tính VCE ta có thể suy ra công thức tính IC như sau: V CC  V CE IC  RC • - Nếu: IC = 0 thì VCE = VCC V CC • - Nếu: VCE = 0V thì IC = = ICmax RC • Đườøng thẳng nối hai điểm VCE = VCC và ICmax V CC = gọi là đường tải tĩnh theo công thức: RC V CC  V CE IC  RC 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 6 • Điểm làm việc của transistor là điểm có tọa độ Q (VCE = 6V, IC = 2mA) nằm trên đường tải tĩnh. • Khi thay đổi dòng điện IB sẽ làm thay đổi dòng điện IC và điểm làm việc của transistor sẽ thay đổi vị trí trên đườøng tải tĩnh (hình 7.2). 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 26/12/2016 7 • Đặc tuyến ngõ ra 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 8 • 2. Trường hợp có RE • Trường hợp mạch điện hình 7.3 có thêm điện trở RE ở cực E và có dòng điện IE đi qua (IE  IC = .IB) sẽ tạo ra điện áp VB nên dòng điện ở ngõ vào IB được tính theo công thức: • VBB = IB.RB + VBE + IE.RE • Thay IE  .IB vào công thức trên ta có: • VBB = IB . RB + VBE +  . IB . RE •  VBB = IB (RB + .RE) + VBE 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 9 • Suy ra: VBB  VBE 3V  0,7V 2,3V  IB     20A RB    RE 70k  (100  0,5k) 120 • IC  IE = .IB = 100  20A = 2mA 26/12/2016 402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử 10