Bài tập phần BJT môn Kỹ thuật điện tử - Lê Chí Thông

Bài tập phần BJT môn Kỹ thuật điện tử trình bày một số bài tập thuộc phần BJT của môn Kỹ thuật điện tử, thuận tiện cho sinh viên tự ôn tập và kiểm tra kiến thức. Ở mỗi bài tập không có hướng dẫn giải nhưng có đáp số đi kèm để sinh viên đối chiếu.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài tập phần BJT môn Kỹ thuật điện tử - Lê Chí Thôngi H c Bách Khoa TP.HCM – Khoa i n- i n T Lê Chí Thông – chithong@gmail.com BÀI T P PH N BJT MÔN K THU T ĐI N T Bài t p 2-1 Cho m t transistor có dòng i n c c phát b ng 1,01 l n dòng i n c c thu. N u dòng i n c c phát c a BJT là 12,12 mA, tìm dòng i n c c n n. S 0,12 mA 2-2 N u BJT có dòng i n rò (ICBO) là 5 µA và dòng i n c c thu là 22 mA, tìm: a. α (chính xác) b. dòng i n c c phát c. α (g n úng), khi b qua ICBO S (a) 0,995; (b) 22,1055 mA; (c) 0,9952 2-3 Cho h c tuy n vào CB c a BJT như hình 2-1. N u α = 0,95, tìm IC khi VBE = 0,72 V và VCB = 10V. Hình 2-1 (Bài t p 2-3) S ≈ 7,6 mA 2-4 M t BJT có ICBO = 0,1 µA và ICEO = 16 µA. Tìm α. S 0,99375 2-5 M t BJT NPN có h c tuy n vào CE như hình 2-2 và h c tuy n ra CE như hình 2-3. a. Tìm IC khi VBE = 0,7 V và VCE = 20V b. Tìm β t i i m này (b qua dòng i n rò) S (a) ≈ 0,95; (b) ≈ 95 2-6 Trên m ch hình 2-4, tìm: a. IC khi VCB = 10V b. VCB khi IC = 1 mA S (a) 1,515 mA; (b) 11,7 V 2-7 BJT Si trên hình 2-5 có h c tuy n ra CB như hình 2-6. Bài t p K Thu t i n T - Ph n BJT – Trang 1/8i H c Bách Khoa TP.HCM – Khoa i n- i n T Lê Chí Thông – chithong@gmail.com a. V ư ng t i lên h c tuy n này và xác nh (b ng th ) VCB và IC t i i m phân c c. b. Xác nh i m phân c c mà không dùng h c tuy n. S (a) 19,5 mA; 4,2 V (g n úng); (b) 20 mA; 4 V Hình 2-2 (Bài t p 2-5) Hình 2-3 (Bài t p 2-5) Hình 2-4 (Bài t p 2-6) Bài t p K Thu t i n T - Ph n BJT – Trang 2/8i H c Bách Khoa TP.HCM – Khoa i n- i n T Lê Chí Thông – chithong@gmail.com Hình 2-5 (Bài t p 2-7) 2-8 Trên m ch hình 2-7, tìm: a. VCE khi IC = 1,5 mA b. IC khi VCE = 12 V c. VCE khi IC = 0 S (a) 16,95 V; (b) 2, 55 mA; (c) 24 V Hình 2-6 (Bài t p 2-7) Hình 2-7 (Bài t p 2-8) 2-9 BJT Si trên hình 2-8 có h c tuy n ra CE như hình 2-9, gi s β = 105. a. V ư ng t i trên h c tuy n này và xác nh (b ng th ) VCE và IC t i i m phân c c. b. Tìm giá tr g n úng c a ICEO c a transistor. c. Tính VCE và IC t i i m phân c c mà không s d ng h c tuy n. Hình 2-8 (Bài t p 2-9) Bài t p K Thu t i n T - Ph n BJT – Trang 3/8i H c Bách Khoa TP.HCM – Khoa i n- i n T Lê Chí Thông – chithong@gmail.com Hình 2-9 (Bài t p 2-9) S (a) 42,5 mA; 3,8 V (g n úng); (b) 1 mA (g n úng); (c) 42 mA; 3,8 V 2-10 Tìm giá tr c a RB trong m ch hình 2-10 làm cho transistor Si bão hòa. Gi s r ng β = 100 và VCES = 0,3 V. S 209,86 K Hình 2-10 (Bài t p 2-10) 2-11 Ngõ vào m ch hình 2-11 là m t xung 0 – E (V). N u BJT Si có β = 120; VCES = 0, tìm giá tr c a E BJT ho t ng ch khóa (l p D). Hình 2-11 (Bài t p 2-11) S ≥ 10 V 2-12 Tìm giá tr tĩnh c a IC và VCE trong m ch hình 2-12. Bài t p K Thu t i n T - Ph n BJT – Trang 4/8i H c Bách Khoa TP.HCM – Khoa i n- i n T Lê Chí Thông – chithong@gmail.com Hình 2-12 (Bài t p 2-12) S 1,98 mA; 10,05 V 2-13 Giá tr c a IC trong m ch hình 2-12 s b ng bao nhiêu n u β thay i t 120 thành 300. Ph n trăm thay i c a IC là bao nhiêu? S 2 mA; 1,01% 2-14 a. Tìm giá tr l i áp toàn ph n (vL / vS) c a t ng khu ch i hình 2-13 b. l i này s thay i bao nhiêu ph n trăm n u giá tr tĩnh c a dòng i n tăng 10%. Hình 2-13 (Bài t p 2-14) S (a) -183,8; (b) 9,8% 2-15 a. Tìm i n áp hi u d ng (rms) trên t i vL m ch hình 2-14. b. Làm l i câu a n u b i t thoát CE. Hình 2-14 (Bài t p 2-15) S (a) 1,12 V rms; (b) 18,25 mV rms 2-16 BJT m ch hình 2-15 có h c tuy n ra CE như hình 2-16. a. V ư ng t i DC và ư ng t i AC lên h c tuy n ra. Bài t p K Thu t i n T - Ph n BJT – Trang 5/8i H c Bách Khoa TP.HCM – Khoa i n- i n T Lê Chí Thông – chithong@gmail.com b. Xác nh l i áp c a m ch n u ngu n áp vào 24 mV p-p làm cho dòng i n c c n n thay i 20 µA Hình 2-15 (Bài t p 2-16) Hình 2-16 (Bài t p 2-16) S (b) -58,3 2-17 BJT Si trong t ...