Bài thuyết trình Các loại màng quang học

Bài thuyết trình Các loại màng quang học bao gồm những nội dung về phân loại các loại màng quang học, phương pháp tạo màng học, màng chống phản xạ, màng phản xạ cao, màng ITO, màng lọc giao thoa. Mời các bạn tham khảo để nắm bắt nội dung chi tiết.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài thuyết trình Các loại màng quang học Các loại màng quang học Bộ môn: Quang học ứng dụng GV Hướng dẫn: TS Lê Vũ Tuấn hùng HV thực hiện: Lê Thị Lụa Tô Lâm Viễn Khoa Dàn ý • Phân loại các loại màng quang học • Các phương pháp tạo màng quang học • Màng chống phản xạ • Màng phản xạ cao • Màng ITO • Màng lọc giao thao I. CÁC LOẠI MÀNG QUANG HỌC: Giới thiệu • Màng quang học là: • một hay nhiều lớp vật liệu mỏng • phủ trên một thiết bị quang học như thấu kính hay gương (những thiết bị cho phép biến đổ đường đi của ánh sáng phản xạ hay I. CÁC LOẠI MÀNG QUANG HỌC: Giới thiệu iệu quang lộ: Độ phản xạ đế: I. CÁC LOẠI MÀNG QUANG HỌC: Giới thiệu trận truyền qua: Đối với 1 lớp màng Đối với màng Sử dụng nhiều ma trận Mi liên đa lớp tiếp nhau I. CÁC LOẠI MÀNG QUANG HỌC: Phân loại Màng chống phản xạ Màng phản xạ cao Màng dẫn điện trong suốt Màng lọc giao thoa Phương pháp Phương pháp gưng tụ vật lý (PVD) ngưng tụ hóa học (CV Physical Vapor Deposition Chemical Vapor Deposition  Các hạt vật liệu ngưng tụ trên ạt vật liệu ngưng tụ trên đế → Màng phản ứng với chất khí → Hợp chất → Tđế < 5000C Tđế ≈ 900 – 12000C  Các phản M ứng hình khí đ thành hợp vào ( ạt vật chất (nếu có),  Các hạt vật uyển xảy ra trên liệu di chuyển đường đi ác phương pháp PVD phổ biến ốc bay hiệt bốc bay ốc bay chùm điện tử ốc bay bằng xung laser (PLD) hún xạ hún xạ DC hún xạ RF hún xạ phản ứng hún xạ magnetron ốc bay nhiệt điện trở uá trình lắng đọng màng 1. Sự chuyển vật liệu c bay từ pha rắn sang ng rồi thành hơi do nhiệt ện trở 2. Sự di chuyển của uyên tử từ nguồn đến đế 3. Nguyên tử hấp thụ n đế kết tụ. 4. Tinh thể hóa màng ng các thông số quá nh. 5. Phát triển thành àng liên tục điểm thể lắng đọ ở tốc độ cao 0.1  2 nm/s uyên tử bay bởi năng lượng thấp (0.1 eV) p bẩn và khí dơ thấp ông gây nhiệt cho đế ơn giản, không đắt iều vật liệu khác nhau (Au, Ag, Al, Sn, Cr, Ti, Cu…) thể đạt nhiệt độ 1800oC ng điện 200  300 A hạn  Khó kiểm soát hợp chất  Bề dày không đều  Khó lắng đọng ở những hốc sâu  Sự hình thành hợp kim với nguồn vật liệu  Tạp do khí ở dây nhiệt điện trở  Không thích hợp cho bốc bay phản ứng • Súng điện tử sinh ra chùm đi Substrate 15 keV, động năng ở dòng cỡ 100 mA. • Chùm điện tử bị lệch đi 270 m Flux từ trường, B. Evaporant • Nguồn nhiệt nhận được có nhỏ (~5mm) trong vật liệu B bay có công suất là 15 kV x Crucible mA = 1.5 kW. • Năng lượng này đủ làm nón hết các vật liệu trên 1000o C e-gun • Năng lượng nhiệt được ạp hơn bốc bay nhiệt nhưng đa năng ể đạt nhiệt độ trên 3000oC ng nồi bốc bay với đáy bằng Cu ộ lắng động 1  10 nm/s ệu bốc bay thứ mà nhiệt điện trở sử dụng g với các kim loại sau: Pt, Ir, Rh, Ti, V, Zr, W, Ta, Mo O3, SiO, SiO2, SnO2, TiO2, ZrO2 Ưu điểm của bốc bay chùm điện tử Có thể làm nóng chảy vật liệu mà không gây tạp bẩn Hợp kim có thể lắng đọng mà không gây phân ly Thích hợp cho bốc bay phản ứng (PLD – Pulse Laser Deposition) Electron  Chùm laser xung cô Nguyên tử suất lớn được chiếu và trung hòa  Bia hấp thu năng lư + Ion + laser, nóng lên và bay + Laser +  Phía trên bia hình t + một vùng không gian c + plasma phát sáng + +  Các hạt vật liệu bia ngưng tụ  màng trê Các loại phương pháp phún xạ hún xạ DC hún xạ RF hún xạ phản ứng hún xạ magnetron + + + +  Hạt vậ ngưng tụ +  lớp mà + + + + ùng không gian Áp một điện thế buồng chân không, lên bia-đế, ion + “tiến” về bia, t số ion dương e- “tiến” về đế  Ion + “đá phún xạ một chiều Hệ phún xạ xoay chiều C – Direct Current) (RF – Radio Frequency Bộ trở và hệ t Tăng cô phóng Vanode-ca xoay ...