Bảng Tra Cứu Các Phần Tử Bán Dẫn Và Linh Kiện Điện Phần 1

Điốt bán dẫn: cấu tạo bởi chất bán dẫn Silic hoặc Gecmani có pha thêm một số chất để tăng thêm electron tự do. Loại này dùng chủ yếu để chỉnh lưu dòng điện hoặc trong mạch tách sóng.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bảng Tra Cứu Các Phần Tử Bán Dẫn Và Linh Kiện Điện Phần 1 Bé m«n Tù ®éng ho¸ XÝ nghiÖpPh¹m Quèc H¶i B¶ng tra cøu c¸c phÇn tö b¸n dÉn vµ linh kiÖn ®iÖn.1. §i«t lùc. I. ®i«t lùc do Nga chÕ t¹o.C¸c tham sè cña ®i«t cña Nga Itb – gi¸ trÞ trung b×nh cña dßng ®iÖn cho phÐp ch¶y qua ®ièt trong ®iÒu kiÖn chuÈn. Ihd – gi¸ trÞ hiÖu dông cña dßng ®iÖn cho phÐp ch¶y qua ®ièt trong ®iÒu kiÖn chuÈn. I®m – dßng ®Þnh møc lµm viÖc cña ®i«t. U®m – gi¸ trÞ cùc ®¹i cña ®iÖn ¸p cho phÐp ®Æt lªn ®ièt . Uv – gi¸ trÞ trung b×nh sôt ¸p trªn ®ièt khi dÉn dßng ®iÖn. Uo – ®iÖn ¸p ng−ìng trong ®Æc tÝnh VA cña ®ièt. R® - ®iÖn trë ®éng trong ®Æc tÝnh VA cña ®ièt. Irß – dßng ®iÖn dß ch¶y qua ®ièt khi chÞu ®iÖn ¸p ng−îc. RT – nhiÖt trë x¸c lËp cña ®ièt1.§i«t tÇn sè thÊp ( lµm viÖc víi tÇn sè l−íi ®iÖn 50-60Hz) ký hiÖu Itb Ihd U®m Uv Uo R® Irß RT (mA) (V) (A) (A) (V) (V) (10-5«m) (oC/W) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 B10; BЛ10 10 16 100-1200 0,6 1,0 1000 - 6,7 B25; BЛ 25 25 39 100-1200 0,6 1,0 400 - 2,2 B50; BЛ50 50 78 100-1200 0,6 1,0 200 - 1,0 ΠBKЛ –50 50 - 400-1000 0,6 - - - - ΠBKЛ –100 100 - 400-1000 0,6 - - - - ΠBKЛ -200 200 - 400-1000 0,6 - - - - B200; B/-200 200 320 100-1200 0,7 1,12 70 - 0,43 B3-200 200 320 600-3600 0,8 1,1 110 10 0,12 B8-200 200 400 100-4200 0,78 1,076 121 40 0,3 B3-250 250 390 600-3600 0,8 1,16 68 10 0,09 B8-250 250 400 100-4200 0,8 1,1 100 40 0,23 B3-320 320 500 150-3800 0,8 1,1 78 20 0,18 B320; BЛ-320 320 500 100-1200 0,7 1,09 42,6 - 0,22 B500; BЛB-500 500 785 100-1200 0,8 1,23 35 - 0,09 B3-500 500 785 150-3800 0,9 1,22 58 30 0,1 B3-800 800 1255 150-2400 0,75 1,04 28,7 20 0,09 BB-1000 1000 1570 150-2400 0,85 1,16 27 20 0,077 BB-1250 1250 1960 150-1400 0,9 1,22 23,2 30 0,054 1 §¹i häc b¸ch khoa Hµ néi Bé m«n Tù ®éng ho¸ XÝ nghiÖpPh¹m Quèc H¶i2.§i«t tÇn sè cao. RT Ký hiÖu I®m U®m Uv Idß oC/W) ( (A) (V) (V) (mA) BБ -100 100 50 - 1000 1,2 20 0,65 BБ -160 160 50 - 1000 0,85 20 0,65 BБ -200 200 50 - 1000 0,7 20 0,65II. ®i«t lùc T©y ¢u chÕ t¹o ( theo EUPEC )C¸c tham sè cña ®i«t cña T©y ¢u Itb – gi¸ trÞ trung b×nh cña dßng ®iÖn cho phÐp ch¶y qua ®ièt trong ®iÒu kiÖn chuÈn t−¬ng øng víi nhiÖt ®é cña vá van Tc. I®m – dßng ®iÖn ®Þnh møc tèi ®a cho phÐp. Ung max – gi¸ trÞ cùc ®¹i cña ®iÖn ¸p ng−îc cho phÐp ®Æt lªn ®ièt . Uo – ®iÖn ¸p ng−ìng trong ®Æc tÝnh VA cña ®ièt. R® - ®iÖn trë ®éng trong ®Æc tÝnh VA cña ®ièt. RT – nhiÖt trë x¸c lËp cña ®ièt. tj – nhiÖt ®é tèi ®a cña miÒn qu¸ ®é (juntion) tinh thÓ b¸n dÉn.1.§i«t d−íi 800V I®m Ungmax Itb/Tc Uo R® RT tj Ký hiÖu oC/W mΩ oC (A) (V) (A/oC) (V)D 25 ...