Danh mục

Báo cáo Công nghệ kết tủa lắng đọng điện hoá bằng d xung chế tạo sợi nano và composit Ni-Sic

Số trang: 5      Loại file: pdf      Dung lượng: 296.69 KB      Lượt xem: 10      Lượt tải: 0    
Thư viện của tui

Phí tải xuống: miễn phí Tải xuống file đầy đủ (5 trang) 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Công nghệ kết tủa lắng đọng điện hoá bằng d xung chế tạo sợi nano và composit Ni-Sic Một chỉ tiêu khí tượng liên quan đến quá trình thụ phấn, thụ tinh của cây ngô là độ ẩm không khí: số liệu độ ẩm không khí trong các tháng 4, 5, 6, 7 tại vùng Viên Chăn dao động từ 61,0% - 75,0% khá thuận lợi cho ngô nhận phấn thụ tinh.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Báo cáo "Công nghệ kết tủa lắng đọng điện hoá bằng d xung chế tạo sợi nano và composit Ni-Sic "

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: