Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ

Bài viết Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ tập trung nghiên cứu tổng hợp nên tấm film nano từ vật liệu đồng nanowires (CuNWs) kết hợp với sợi nano aramid (ANF). Tấm film nano tạo thành có độ dẫn nhiệt cao, có khả năng chắn nhiễu điện từ (EMI) và có độ bền cơ học vượt trội.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từChuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ Fabrication of nanocomposite materials (CuNWs/ANF) for electromagnetic interference shielding Trần Thị Tường Vi1*, Vũ Minh Cảnh2 1 Khoa Kỹ thuật Thực phẩm và Môi trường, Đại học Nguyễn Tất Thành, Thành phố Hồ Chí Minh, 70000, Việt Nam 2 Viện Khoa Học và Công Nghệ Tiên Tiến, Đại Học Đà Nẵng, Đà Nẵng, 550000, Việt Nam * Tác giả liên hệ: tttvi@ntt.edu.vn, tuongvi080@gmail.com THÔNG TIN TÓM TẮT Trong đề tài nghiên cứu này, chế tạo tấm films nano chắn nhiễu điện từ dựa trên sợi nano aramid (ANF) và sợi nano đồng (CuNWs) có tính dẫn điện và tính chất cơ học cao. Các tấm films nano đồng nhất (độ dày 40−50 μm) được chế tạo bằng cách phối trộn hỗn hợp CuNWs (10-40 wt%) trong dung dịch huyền phù ANF, sau đó lọc chân không, và sấy khô. Với việc tăng hàm lượng CuNWs dẫn đến tấm films nanoTừ khóa: (CuNWs/ANF) có các đặc tính cơ học vượt trội và độ bền kéo cao (σ) đạt đến 228 MPa ở hàm lượng 30 wt.% CuNWs. HơnSợi nano Aramid, Sợi nano thế nữa, tấm films nano CuNWs30/ANF đạt hiệu suất chắnđồng, Electromagneticinterference shielding, nhiễu điện từ (EMI SE) đáng chú ý khoảng 57.7 dB. Tấm filmsTính linh hoạt,. Độ bền nhiệt nano CuNWs/ANF có thể được xem là một vật liệu tiềm năng để thay thế cho vật liệu dẫn nhiệt, điện và chắn nhiễu điện từ trong ngành điện tử hiện đại. ABSTRACT In this study, the fabrication of the highly Thermo- conductive electromagnetic interference (EMI) shielding effectiveness (SE) based on aramid nanofiber (ANF) and copper nanowires (CuNWs) with outstanding mechanical properties. A homogeneous nanocomposite material (thickness 40−50 μm) was fabricated by homogenizing a mixture of the CuNWs (10−40 wt.%) in the ANF suspension, then vacuum filtration, and drying. With the increase in the CuNWs content, the nanocomposite materials show outstanding mechanical properties and reach the optimal tensile strength (σ) of 228 MPa at the filler content of 30 wt.%. Moreover, the EMI SE of the nanocomposite materialsKeywords:Aramid nanofibers, strongly depends on the amount of the CuNWs; the CuNWs30/ANF materials obtain a remarkable EMI SE ofCopper nanowires, around 54.7 dB. The CuNWs/ANF can be considered aElectromagnetic significant potential alternative to the current Thermo-interference shielding,Flexibility, Thermal stability conductive materials for heat dissipating and electromagnetic 90Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 interference (EMI) shielding applications in modern electronics. 1. Giới thiệu Sự phát triển nhanh chóng của ngành công nghệ điện tử, các thiết bị công nghệ tiên tiếngây ra sự bùng nổ trong nhu cầu cơ học về sự linh hoạt, nhỏ gọn và công suất cao của các linhkiện điện tử. Bên cạnh đó, một lượng nhiệt lớn được sinh ra khi các thiết bị điện tử hoạt độngở cường độ cao sẽ làm giảm hiệu suất và độ chính xác của thiết bị. Các linh kiện điện tử linhhoạt với khả năng tản nhiệt hiệu quả cao và có khả năng chắn nhiễu điện từ là thật sự cần thiết. Các tấm nano siêu mỏng và nhẹ sở hữu khả năng dẫn nhiệt dị hướng cao được ứng dụngtrong việc tản nhiệt các thiết bị điện tử là những cách tiếp cận phù hợp, thu hút nhiều sự chú ýcủa các nhà khoa học trong những năm vừa qua. Thêm vào ...