Cơ Sở Điện Tử - Kỹ Thuật Ngành Điện Tử part 10

Tham khảo tài liệu cơ sở điện tử - kỹ thuật ngành điện tử part 10, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Cơ Sở Điện Tử - Kỹ Thuật Ngành Điện Tử part 10 R’t = Rr1 (2-191) có tính thuần trở (đường chấm chấm trên hình 2.80a) trong khi đó cảm kháng c ủacuộn sơ cấp ở tần số tín hiệu là wL1 >>R’t (ở đây L1 là điện cảm cuộn sơ cấp). Méo tần số trong bộ khuếch đại ghép biến áp và do cuộn dây biến áp các tụ Cp1Cp2, CE, CCE gây ra. Sơ đồ tương đương của bộ khuếch đại vẽ trên hình 2.80b ảnh hưởng tầng đầu bộkhuếch đại được thể hiện trong sơ đồ tương đương bằng điện dung CCE. Còn tầng haiđược thể hiện bằng Rt’ đó là tải phản ánh từ thứ cấp về sơ cấp. Hình 2.80c vẽ đặc tuyến tần số của bộ khuếch đại ghép biến áp. Ở miền tần sốtrung bình hệ số khuếch đại thực tế không phụ thuộc vào tần số vì trở kháng của điệncảm dò nhỏ nên không ảnh hưởng đến việc truyền tín hiệu ra tải. Ngoài ra dung khángCCE, C2 cũng như cảm kháng L1 đủ lớn, tác dụng mắc rẽ của chúng đối với mạch racủa tầng đầu và tải không đáng kể, vì vậy có thể không tính đến chúng. |K| K0 f Df Hình 2.80: Tầng khuếch đại ghép biến áp Sơ đồ nguyên lí, sơ đồ tương đương và đặc tuyến tần số Với những giả thuyết như trên, ta có thể chia sơ đồ tương đương của mạch ghéptầng thành ba sơ đồ ứng với ba khoảng tần số trung bình, tần số thấp và tần số cao(h.2.81). Theo sơ đồ hình 2.81a thì ở tần số trung bình tổng trở tải RT = R’t + r1 + r2 (2-192) Ở miền tần số thấp cảm kháng của L1 bị giảm sẽ gây tác dụng mắc rẽ đáng kểvới R’t và làm cho hệ số khuếch đại giảm. Ngoài ra dung kháng của CCE và C’2 lớn hơnvà cảm kháng của Ls1 và L’s2 nhỏ hơn so với trị số tương ứng của chúng ở miền tần 109số trung bình. Cho nên sơ đồ tương đương của mạch ghép có dạng như hình 2.81b.Với một Mt và wt cho trước, ta có thể tìm được điện cảm L1 tối thiều theo L1 ³ R 0 / æ ω t Mt - 1 ö 2 ç ÷ (2-193) è ø ở đây : R0 = [(Rr1 + r1)(r2 + Rt)/(Rr1 + r1 + r2 + Rt)] Hình 2.81 : Sơ đồ tương đương của tầng khuếch đại ghép biến áp a) tần số trung bình; b) tần thấp ; c) tần cao. Ở miền tần cao điện cảm dò tăng, nên điện áp tín hiệu đưa ra tải Rt bị giảm. Ngoàira tần cao sẽ làm giảm đáng kể dung kháng của CCE và C2 do đó làm giảm điện ápxoay chiều trên eolectơ T1 và Rt và hệ số khuếch đại giảm. Ở miền tần cao sơ đồtương đương của bộ khuếch đại vẽ trên hình 2.81. Với một Mc và wc đã cho, thì điệncảm dò tổng xác định theo. Rr1 + r1 + r2 + R t Ls £ . Mc - 1 2 (2-194) ωc Cần chú ý rằng trong tầng khuếch đại ghép biến áp có R’t lớn thì ở một tần số nàođó ở miền tần cao có thể xuất hiện cộng hưởng (đường 2 hình 2.80c) do mạch LSC2quyết định, làm đặc tuyến vồng lên.2.3.5. Khuếch đại công suất Tầng khuếch đại công suất là tầng cuối cùng mắc với tải ngoài và để nhận đượccông suất tối ưu theo yêu cầu trên tải cần phải đặc biệt chú ý đến chỉ tiêu năng lượng. Tầng khuếch đại công suất có thể dùng tranzito lưỡng cực hoặc IC khuếch đạicông suất. Theo cách mắc tải, người ta chia thành tầng khuếch đại có biến áp ra vàtầng khuếch đại không biến áp ra. Ba chế độ làm việc thường dùng trong tầng khuếch đại công suất là : chế độ A, chếđộ B và chế độ AB (xem 2.3.1). Hình 2.82 dùng để minh họa đặc điểm của các chế độbằng ví dụ trên đặc tuyến ra của tranzito theo sơ đồ EC. Chế độ A được dùng trong tầng khuếch đại công suất đơn, đảm bảo : tín hiệu raméo ít nhất nhưng hiệu suất nhỏ nhất khoảng 20%, và công suất ở tải không vượt quávài W Trong chế độ B điểm làm việc tĩnh chọn ở điểm mút phải đường tài một chiều. Chếđộ tĩnh tương ứng với điện áp UBE = 0. Khi có tín hiệu vào, dòng colectơ chỉ xuất hiệnứng với nửa chu kì, còn nửa chu kì sau tranzito ở chế độ khóa. Khi đó hiệu suất năng 110lượng của tầng ra cao (60 ¸ 70%) và có khả năng cho 1 công suất ra tải lớn, tuy nhiênméo g với chế độ này lớn cần khắc phục bằng cách mắc tranzito thích hợp. Chế độ AB là trung ...