Giáo trình KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - Chương 6

Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âmLINH KIỆN CÓ VÙNG ĐIỆN TRỞ ÂMTrong chương trước đã giới thiệu các linh kiện điện tử bán dẫn như diode, transistor mối nối lưỡng cực, transistor hiệu ứng trường, chương này cũng giới thiệu về linh kiện điện tử bán dẫn nhưng trong đặc tuyến của nó có vùng I tăng trong khi V giảm, đó chính là vùng điện trở âm.Hình 6.1. Cấu tạo (a), kí hiệu (b) của UJT. Transistor đơn nối gồm một nền là thanh bán dẫn loại N pha nồng độ rất thấp. Hai cực kim...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - Chương 6 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Chương 6 LINH KIỆN CÓ VÙNG ĐIỆN TRỞ ÂM Trong chương trước đã giới thiệu các linh kiện điện tử bán dẫn như diode, transistormối nối lưỡng cực, transistor hiệu ứng trường, chương này cũng giới thiệu về linh kiệnđiện tử bán dẫn nhưng trong đặc tuyến của nó có vùng I tăng trong khi V giảm, đóchính là vùng điện trở âm.6.1. UJT6.1.1. Cấu tạo – kí hiệu B2 B2 E E N B1 Nhôm B1 (a) (b) Hình 6.1. Cấu tạo (a), kí hiệu (b) của UJT. Transistor đơn nối gồm một nền là thanh bán dẫn loại N pha nồng độ rất thấp. Haicực kim loại nối vào hai đầu thanh bán dẫn loại N gọi là cực nền B1 và B2. Một dâynhôm nhỏ có đường kính nhỏ cỡ 0,1 mm được khuếch tán vào thanh N tạo thành mộtvùng chất P có mật độ rất cao, hình thành mối nối P-N giữa dây nhôm và thanh bán dẫn,dây nhôm nối chân ra gọi là cực phát E. UJT ≡ Uni Junction Transistor là transistor đơn nối. B1: Base 1: cực nền 1. B2: Base 2: cực nền 2. E: Emitter: cực phát. Transistor đơn nối có thể vẽmạch tương đương gồm 2 điện trởRB1 và RB2 nối từ cực B1 đến cực B2gọi chung là điện trở liên nền RBBvà một diode nối từ cực E vào thanhbán dẫn ở điểm B. Hình 6.2. Mạch tương đương với cấu tạo của UJT. Ta có : RBB = RB1 + RB2 (6.1) 104 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Điểm B thường ở gần cực B2 hơn nên RB1 > RB2. Mỗi transistor đơn nối có tỉ số điệntrở khác nhau gọi là . R B1 = ; ( =0,5  0,8) (6.2) R BB6.1.2. Đặc tuyến Xét mạch như hình 6.3. RBB có trị số từ vài k đến 10 k, ta có: R B1 VB  .VCC (6.3) R BB  VB= .VCC > 0 (Vì R1 , R2 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Dòng điện IE tiếp tục tăng và điện thế VE IEgiảm đến một trị số thấp nhất là điện thế thunglũng VV (valley) thì dòng điện IE và VE sẽ tăng Vùng bão hòalên như đặc tuyến của một diode thông thường.Vùng này gọi là vùng bão hòa. V Vùng điện trở âm IV Trên hình 6.4 có điểm P(VP; IP) là điểmđỉnh; điểm V(VV; IV) là điểm trũng (thung P Iplũng); đoạn PV là vùng điện trở âm, xảy ra rất 0nhanh. VE VV VB VP Hình 6.4. Đặc tuyến của UJT.6.1.3. Các thông số Transistor đơn nối có các thông số kỹ thuật quan trọng cần biết khi sử dụng và tínhtoán là: a. Điện trở liên nền RBB Là trị số điện trở giữa hai cực nền B1 và B2 khi cực E để hở. Trị số RBB khoảng vàik đến 10 k. RBB = RB1 + RB2 (6.5) b. Tỉ số  R B1 Theo định nghĩa  = , thông thường  = (0,5  0,8). Từ giá trị của  có thể tính R BBđược điện thế tại điểm B giữa hai điện trở RB1 và RB2 theo công thức: R B1 .VCC = VCC VB ≈ (6.6) R BB c. Điện thế đỉnh VP Điện thế đỉnh VP là điện thế tối thiểu để phân cực thuận diode EB khi hai cực nền B1,B2 nối vào nguồn VCC VP = VB +V = VCC +V (6.7) d. Dòng điện đỉnh IP Dòng điện đỉnh IP là dòng điện IE ứng với VE là điện thế đỉnh VP. Dòng IP thường cótrị số nhỏ khoảng vài chục A. e. Điện thế thung lũng VV Là điện thế cực phát VE giảm xuống thấp nhất sau khi phân cực thuận diode EB. Điệnthế VV có trị số khoảng vài volt. 106 Chương 6: Linh ...