Giáo trình phân tích các loại diode thông dụng trong điện trở hai vùng bán dẫn p10

Tham khảo tài liệu giáo trình phân tích các loại diode thông dụng trong điện trở hai vùng bán dẫn p10, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình phân tích các loại diode thông dụng trong điện trở hai vùng bán dẫn p10 Giáo trình Linh Kiện Điện TửCHƯƠNG 6TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG (FIELD EFFECT TRANSISTOR) Chúng ta đã khảo sát qua transistor thường, được gọi là transistor lưỡng cực vì sựdẫn điện của nó dựa vào hai loại hạt tải điện: hạt tải điện đa số trong vùng phát và hạt tảiđiện thiểu số trong vùng nền. Ở transistor NPN, hạt tải điện đa số là điện tử và hạt tảiđiện thiểu số là lỗ trống trong khi ở transistor PNP, hạt tải điện đa số là lỗ trống và hạt tảiđiện thiểu số là điện tử. Điện trở ngõ vào của BJT (nhìn từ cực E hoặc cực B) nhỏ, từ vài trăm Ω đến vàiKΩ, trong lúc điện trở ngõ vào của đèn chân không rất lớn, gần như vô hạn. Lý do là ởBJT, nối nền phát luôn luôn được phân cực thuận trong lúc ở đèn chân không, lưới khiểnluôn luôn được phân cực nghịch so với Catod. Do đó, ngay từ lúc transistor BJT mới rađời, người ta đã nghĩ đến việc phát triển một loại transistor mới. Điều này dẫn đến sự rađời của transistor trường ứng. Ta phân biệt hai loại transistor trường ứng: − Transistor trường ứng loại nối: Junction FET- JFET − Transistor trường ứng loại có cổng cách điện: Isulated gate FET-IGFET hay metal-oxyt semiconductor FET-MOSFET. Ngoài ra, ta cũng khảo sát qua loại VMOS (MOSFET công suất-Vertical chanelMOSFET), CMOS và DMOS.I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET: Mô hình sau đây mô tả hai loại JFET: kênh N và kênh P. Trong JFET kênh N gồm có hai vùng n+ là hai vùng nguồn và thoát. Một vùng n-pha ít tạp chất dùng làm thông lộ (kênh) nối liền vùng nguồn và vùng thoát. Một vùng p-nằm phía dưới thông lộ là thân và một vùng p nằm phía trên thông lộ. Hai vùng p và p-nối chung với nhau tạo thành cực cổng của JFET. Trang 91 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Thông lộ (kênh) N- Vùng Vùng Vùng cổng nguồn thoát P N+ N+ Thân p- (được nối với cổng) Hình 1 JFET Kênh P Ký hiệu n S D D p+ p+ G n- S Kênh p- G Tiếp xúc kim loại JFET Kênh N p S D D n+ n+ G p- S Kênh n- G S (Source): cực nguồn Tiếp xúc kim loại D (Drain): cực thoát G (Gate): cưc cổng Hình 2 Nếu so sánh với BJT, ta thấy: cực thoát D tương đương với cực thu C, cực nguồn S tươngđương với cực phát E và cực cổng G tương đương với cực nền B. Trang 92 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử − JFET kênh N tương đương với transistor NPN. − JFET kênh P tương đương với transistor PNP. Thoát ≈ Thu D C G B JFET BJT ≈ Kênh N NPN Nguồn ≈ Phát S E C D ...