Giáo trình phân tích các loại diode thông dụng trong điện trở hai vùng bán dẫn p2

Do tính chất trên, diode zener thường được dùng để chế tạo điện thế chuẩn.Thí dụ: mạch tao điện thế chuẩn 4,3V dùng diode zener 1N749 như sau:Kiểu mẫu của diode zener đối với điện trở động: Thực tế, trong vùng zener, khi dòng điện qua diode tăng, điện thế qua zener cũng tăng chút ít chứ không phải cố định như kiểu mẫu lý tưởng.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình phân tích các loại diode thông dụng trong điện trở hai vùng bán dẫn p2 Giáo trình Linh Kiện Điện TửVZ. Khi điện thế phân cực nghịch nhỏ hơn hay bằng điện thế VZ, diode Zener không dẫnđiện (ID=0). + VZ - + VZ - ID ≅ -VZ 0 VD IZ VD=-VZ Diode lý tưởng ID=-IZ Hình 34 Do tính chất trên, diode zener thường được dùng để chế tạo điện thế chuẩn. Thí dụ: mạch tao điện thế chuẩn 4,3V dùng diode zener 1N749 như sau: R=470Ω R=470Ω VS=6→15V IN749 I + I VS=6→15V X Tải ≅ X Tải VZ=4,3V 4,3V - Hình 35 Khi chưa mắc tải vào, thí dụ nguồn VS=15V, thì dòng qua zener là: VS − VZ 15 − 4,3 I= = = 22,8mA R 470 * Kiểu mẫu của diode zener đối với điện trở động: Thực tế, trong vùng zener, khi dòng điện qua diode tăng, điện thế qua zener cũngtăng chút ít chứ không phải cố định như kiểu mẫu lý tưởng. Người ta định nghĩa điện trở động của diode là: V − VZO r = Z Z = ZT I ZT Trong đó: VZO là điện thế nghịch bắt đầu dòng điện tăng. VZT là điện thế ngang qua hai đầu diode ở dòng điện sử dụng IZT. Trang 56 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử IZ + VZ - ZZ + VZ0 - ≅ ⇒ IZT IZ Diode lý tưởng VZ VZ0 VZT 0 Hình 36 5. Diode biến dung: (Varicap – Varactor diode) Phần trên ta đã thấy, sự phân bố điện tích dương và âm trong vùng hiếm thay đổikhi điện thế phân cực nghịch thay đổi, tạo ra giữa hai đầu diode một điện dung: ∆Q A CT = =ε ∆V Wd Điện dung chuyển tiếp CT tỉ lệ nghịch với độ rộng của vùng hiếm, tức tỉ lệ nghịchvới điện thế phân cực. Đặc tính trên được ứng dụng để chế tạo diode biến dung mà trị số điện dung sẽ thayđổi theo điện thế phân cực nghịch nên còn được gọi là VVC diode (voltage-variablecapacitance diode). Điện dung này có thể thay đổi từ 5pF đến 100pF khi điện thế phâncực nghịch thay đổi từ 3 đến 25V. C(pF) Đặc tuyến của điện dung theo 80 điện thế có dạng như sau: 60 40 20 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 VR(Volt) 16 Hình 37 Một ứng dụng của diode là dùng nó như một tụ điện thay đổi. Thí dụ như muốn thayđổi tần số cộng hưởng của một mạch, người ta thay đổi điện thế phân cực nghịch của mộtdiode biến dung. Trang 57 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử R Ci L≅ Diode L U biến dung Hình 38 6. Diode hầm (Tunnel diode) Được chế tạo lần đầu tiên vào năm 1958 bởi Leo-Esaki nên còn được gọi là diodeEsaki. Đây là một loại diode đặc biệt được dùng khác với nhiều loại diode khác. Diodehầm có nồng độ pha chất ngoại lai lớn hơn diode thường rất nhiều (cả vùng P lẫn vùngN) Đặc tuyến V-I có dạng như sau: I(mA) ...