Giáo trình phân tích cấu tạo căn bản của Mosfet với tín hiệu xoay chiều và mạch tương đương với tín hiệu nhỏ p1

Khi VGS = 0V (cực cổng nối thẳng với cực nguồn), điện tử di chuyển giữa cực âm của nguồn điện VDD qua kênh n- đến vùng thoát (cực dương của nguồn điện VDD) tạo ra dòng điện thoát ID. aGiáo trình Linh với tín Giáo trình phân tích cấu tạo căn bản của Mosfet Kiện Điện Tử hiệuVxoay chiềuvới VPmạchthế nghẽn ở nhiệt độ bìnhvới tín hiệu nhỏ = V − 0,63V và là điện tương đương thường....
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình phân tích cấu tạo căn bản của Mosfet với tín hiệu xoay chiều và mạch tương đương với tín hiệu nhỏ p1Giáo trình phân tích cấu tạo căn bản của iáo trình Linh Kiện Điệtín G Mosfet với n TửhiệuVxoay chiềuvới VPmạchthtương nhiệt độ bìnhvới ng. hiệu nhỏ = V − 0,63V và là điện ế nghẽn ở đương thườ tín GS P Các hình vẽ sau đây mô tả ảnh hưởng của nhiệt độ trên các đặc tuyến ra, đặc tuyếntruyền và đặc tuyến của dòng ID theo nhiệt độ khi VGS làm thông số. 250 450 ID VGS = 0 ID g i ả m VGS = -1V |VGS| = |VP|-0,63V ID tăng VDS 0 Hình 18 ID ID VGS = -0V 0 0 0 -55 C 25 C +150 C VGS = -1V IDSS |VGS| = |VP|-0,63V (VDS cố định) -100 -50 0 50 100 0 t0C VGS(off VGS 150 |VGS| = |VP|-0,63V Hình 19 Ngoài ra, một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh các hạt tải điệntrong vùng hiếm giữa thông lộ-cổng và tạo ra một dòng điện rỉ cực cổng IGSS (gateleakage current). Dòng IGSS được nhà sản xuất cho biết. dòng rỉ IGSS chính là dòng điệnphân cực nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn. Dòng điện này là dòng điện rỉcổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thoát. Dòng IGSS tăng gấp đôi khi nhiệt độ tănglên 100C. Trang 101 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ( t − 25 ) I GSS (t 0C ) = I GSS (250 C )2 10 D IGSS G VDS = 0V S VGG Hình 20V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DEMOSFET) Ta thấy rằng khi áp một điện thế âm vào JFET kênh N thì vùng hiếm rộng ra. Sự giatăng của vùng hiếm làm cho thông lộ hẹp lại và điện trở của thông lộ tăng lên. Kết quảsau cùng là tạo ra dòng điện ID nhỏ hơn IDSS. Bây giờ, nếu ta áp điện thế dương VGS vào JFET kênh N thì vùng hiếm sẽ hẹp lại(do phân cực thuận cổng nguồn), thông lộ rộng ra và điện trở thông lộ giảm xuống, kếtquả là dòng điện ID sẽ lớn hơn IDSS. Trong các ứng dụng thông thường, người ta đều phân cực nghịch nối cổng nguồn(VGS âm đối với JFET kênh N và dương đối với JFET kênh P) và được gọi là điều hànhtheo kiểu hiếm. JFET cũng có thể điều hành theo kiểu tăng (VGS dương đối với JFET kênh N và âmđối với JFET kênh P) nhưng ít khi được ứng dụng, vì mục đích của JFET là tổng trở vàolớn, nghĩa là dòng điện IG ở cực cổng - nguồn trong JFET sẽ làm giảm tổng trở vào, dođó thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận của nối cổng - nguồn tối đa là0,2V (trị số danh định là 0,5V). Trang 102 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng h iế m D IGSS + G (Tối đa 0,2V) ...