Giáo trình phân tích khả năng ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p1

Bình thường đèn 6V cháy sáng nhờ nguồn điện qua mạch chỉnh lưu. Lúc này SCR ngưng dẫn do bị phân cực nghịch, accu được nạp qua D1, R1. Khi mất điện, nguồn điện accu sẽ làm thông SCR và thắp sáng đèn.SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta thấy SCR là một diode chỉnh lưu được kiểm soát bởi cổng silicium. Các tíêp xúc kim loại được tạo ra các cực Anod A, Catot K và cổng G.Nếu ta mắc một nguồn điện một chiều VAA vào SCR...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình phân tích khả năng ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p1 Giáo trình phân tích khả năng ứng dụngtrình LinhtạoĐiện Tử Giáo cấu Kiện Mosfet với tín hiệu xoay chiều VGS = VP − 0,63V với VP là điện thế nghẽn ở nhiệt độ bình thường. Các hình vẽ sau đây mô tả ảnh hưởng của nhiệt độ trên các đặc tuyến ra, đặc tuyếntruyền và đặc tuyến của dòng ID theo nhiệt độ khi VGS làm thông số. 250 450 ID VGS = 0 ID g i ả m VGS = -1V |VGS| = |VP|-0,63V ID tăng VDS 0 Hình 18 ID ID VGS = -0V 0 0 0 -55 C 25 C +150 C VGS = -1V IDSS |VGS| = |VP|-0,63V (VDS cố định) -100 -50 0 50 100 0 t0C VGS(off VGS 150 |VGS| = |VP|-0,63V Hình 19 Ngoài ra, một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh các hạt tải điệntrong vùng hiếm giữa thông lộ-cổng và tạo ra một dòng điện rỉ cực cổng IGSS (gateleakage current). Dòng IGSS được nhà sản xuất cho biết. dòng rỉ IGSS chính là dòng điệnphân cực nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn. Dòng điện này là dòng điện rỉcổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thoát. Dòng IGSS tăng gấp đôi khi nhiệt độ tănglên 100C. Trang 101 Biên soạn: Trương Văn Tám . iáo trình Linh Kiện Điện Tử G ( t − 25 ) I GSS (t 0C ) = I GSS (250 C )2 10 D IGSS G VDS = 0V S VGG Hình 20V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DEMOSFET) Ta thấy rằng khi áp một điện thế âm vào JFET kênh N thì vùng hiếm rộng ra. Sự giatăng của vùng hiếm làm cho thông lộ hẹp lại và điện trở của thông lộ tăng lên. Kết quảsau cùng là tạo ra dòng điện ID nhỏ hơn IDSS. Bây giờ, nếu ta áp điện thế dương VGS vào JFET kênh N thì vùng hiếm sẽ hẹp lại(do phân cực thuận cổng nguồn), thông lộ rộng ra và điện trở thông lộ giảm xuống, kếtquả là dòng điện ID sẽ lớn hơn IDSS. Trong các ứng dụng thông thường, người ta đều phân cực nghịch nối cổng nguồn(VGS âm đối với JFET kênh N và dương đối với JFET kênh P) và được gọi là điều hànhtheo kiểu hiếm. JFET cũng có thể điều hành theo kiểu tăng (VGS dương đối với JFET kênh N và âmđối với JFET kênh P) nhưng ít khi được ứng dụng, vì mục đích của JFET là tổng trở vàolớn, nghĩa là dòng điện IG ở cực cổng - nguồn trong JFET sẽ làm giảm tổng trở vào, dođó thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận của nối cổng - nguồn tối đa là0,2V (trị số danh định là 0,5V). Trang 102 Biên soạn: Trương Văn Tám . Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng h iế m D IGSS + G (Tối đa 0,2V) ...