Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng Mosfet với tín hiệu xoay chiều p4

Tham khảo tài liệu giáo trình phân tích quy trình ứng dụng mosfet với tín hiệu xoay chiều p4, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng Mosfet với tín hiệu xoay chiều p4 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . * Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ: Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện thế ngõ vào là vgs vàig. Dòng điện và điện thế ngõ ra là vds và id id ig vds vgs Hình 39 Do dòng ig rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là: v gs rπ = rất lớn ig Dòng thoát id là một hàm số theo vgs và vds. Với tín hiệu nhỏ (dòng điện và điện thếchỉ biến thiên quanh điểm điều hành), ta sẽ có: ∂iD v gs ∂iD vDS iD = + ∂vGS Q ∂vDS Q Người ta đặt: ∂i D ∂i 1 gm = =D và ∂v GS ro ∂v DS Q Q 1 1 i d = g m v gs + (coù theå ñaët = go ) Ta có: v ds ro ro vgs = rπ.ig Các phương trình này được diễn tả bằng giản đồ sau đây gọi là mạch tương đương idxoay chiều của FET. G D gmvgs r0 rπ vgs vds S Hình 40 Riêng đối với E-MOSFET, do tổng trở vào rπ rất lớn, nên trong mạch tương đươngngười ta có thể bỏ rπ Trang 116 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử id G D gmvgs r0 vgs vds S Hình 41IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦAJFET VÀ DEMOSFET. Cũng tương tự như ở BJT, một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền i d (t)của FET là tỉ số: g m = v gs ( t ) Điện dẫn truyền có thể được suy ra từ đặc tuyến truyền, đó chính là độ dốc của tiếptuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q ID(mA) Độ dốc tại điểm ID = IDSS là gmo IDSS Độ dốc tại điểm Q là: i ∆I D dI = d(t ) gm = D = dVGS ∆VGS v gs ( t ) 2 ⎡ VGS ⎤ I D = I DSS ⎢1 − ⎥ ⎢ VGS( off ) ⎥ ⎣ ⎦ Q ∆ ID VGS (volt) VGS(off) ∆VGS Hình 42 Về mặt toán học, từ phương trình truyền: 2 ⎡ VGS ⎤ I D = I DSS ⎢1 − ⎥ ⎢ VGS( off ) ⎥ ⎣ ⎦ Trang 117 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . 2 ⎡ VGS ⎤ dI D Ta suy ra: g m = = I DSS ⎢1 − ⎥ dVGS ⎢ VGS( off ) ⎥ ...