Danh mục

Kỹ thuật PWM cải tiến cho nghịch lưu 5 bậc Cascade H-Bridge với khả năng tăng áp

Số trang: 7      Loại file: pdf      Dung lượng: 897.97 KB      Lượt xem: 2      Lượt tải: 0    
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Bài viết này trình bày phân tích mạch, các nguyên lý hoạt động và kết quả mô phỏng của CHB-5L-qSBI. Một mô hình thực nghiệm được xây dựng dựa trên bộ xử lý tín hiệu số (DSP) TMS320F28335 để kiểm tra nguyên lý hoạt động của CHB-5L-qSBI.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Kỹ thuật PWM cải tiến cho nghịch lưu 5 bậc Cascade H-Bridge với khả năng tăng áp Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh 67 KỸ THUẬT PWM CẢI TIẾN CHO NGHỊCH LƯU 5 BẬC CASCADE H-BRIDGE VỚI KHẢ NĂNG TĂNG ÁP MODIFIED PWM STRATEGY FOR FIVE LEVELCASCADE H-BRIDGE INVERTER WITH BOOST VOLTAGE CAPABILITY Đỗ Đức Trí1, Quách Thanh Hải1, Trần Vĩnh Thanh1, Nguyễn Thanh Phương2, Phan Phúc Huy2, Văn Đức Chiến2 1 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam 2Trường Đại học Công Nghệ Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Ngày toà soạn nhận bài 2/8/2019, ngày phản biện đánh giá 28/8/2019, ngày chấp nhận đăng 3/10/2019TÓM TẮT Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) có ưu điểm hơn so với nghịch lưu tựanguồn Z (qZSI), với việc giảm một tụ điện và một cuộn dây. Nghịch lưu tựa khóa chuyển mạchkhông chỉ được áp dụng cho cấu hình liên kết cầu H (CHB) để tạo ra một bộ nghịch lưu nămbậc một pha liên kết mới (NCHB-1P-5LI) mà còn giảm độ gợn dòng điện của cuộn cảm bằngcách sử dụng hai sóng mang tần số cao Vcar1 và Vcar2, với Vcar2 được tạo ra bằng cách dịchpha Vcar1 900. Bài báo này trình bày phân tích mạch, các nguyên lý hoạt động và kết quả môphỏng của CHB-5L-qSBI. Một mô hình thực nghiệm được xây dựng dựa trên bộ xử lý tín hiệusố (DSP) TMS320F28335 để kiểm tra nguyên lý hoạt động của CHB-5L-qSBI.Từ khóa: Nghịch lưu ghép cầu H; Nghịch lưu tăng áp; nghịch lưu năm bậc; ngắn mạch;nghịch lưu tựa nguồn Z.ABSTRACT The quasi-switched boost inverter (qSBI) has the advantage over the quasi-Z-sourceinverter (qZSI) in reducing one capacitor and one inductor. The qSBI is not only applied tothe cascaded H-bridge (CHB) topology to create a new cascaded single-phase five-levelinverter (CHB-1P-5LI) but also reduces the current ripple of the inductor by using two high-frequency carriers vcar1 and vcar2, where vcar2 is generated by shifting vcar1 through 90°.This paper presents circuit analysis, the operating principles, and simulation results of theCHB-5L-qSBI. A laboratory prototype was constructed based on a DSP TMS320F28335 tovalidate the operating principle of the CHB-5L-qSBI.Keywords: Cascaded H-bridge inverter; boost inverter; five-level inverter; shoot-throughstate (ST); quasi-Z-source inverter. đó là: cấu hình diode kẹp (Neutral Point1. GIỚI THIỆU Clamped-NPC), cấu hình tụ bay (Flying Ngày nay, nghịch lưu đa bậc đóng vai trò Capacitor-FC) và cấu hình ghép tầng cầu Hquan trọng cho những ứng dụng công suất cao (Cascade H-Bridge-CHB) [5] - [7]. Các diodebởi vì những lợi thế của chúng so với các bộ và tụ điện được sử dụng để làm tăng các mứcnghịch lưu điều chế độ rộng xung (PWM) điện áp ngõ ra trong nghịch lưu diode kẹp vàthông thường. Những lợi thế của bộ biến tần tụ bay. Mặt khác, để đạt được mức điện ápđa bậc như sau: dạng sóng ngõ ra được cải ngõ ra cao phải tăng nguồn DC ngõ vào.thiện với THD thấp hơn, kích thước bộ lọc Nghịch lưu CHB-5L thông thường, mỗinhỏ hơn và nhiễu điện từ thấp hơn (EMI). [1] nghịch lưu sử dụng một điện áp DC-link để- [4]. Những cấu hình nghịch lưu đa bậc tạo một điện áp được điều chế ở ngõ ra. Tổngtruyền thống có ba dạng nghịch lưu tổng quát Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) 68 Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minhđiện áp ngõ ra của CHB đạt được bởi tổng điểm của qSBI so với qZSI có tính nổi trộicủa hai ngõ ra nghịch lưu độc lập. Mỗi như sau: sử dụng ít hơn một cuộn dây, vớinghịch lưu có thể tạo ngõ ra ba bậc. Cấu hình điện cảm cao hơn và sử dụng ít hơn một tụCascade này có một vài thuận lợi như: sử điện với điện dung thấp hơn, hệ số tăng ápdụng nguồn độc lập và có thể ghép nhiều cao hơn khi so sánh cùng các thông số, dòngmodule cầu H. Ngoài ra, điện áp ngõ ra của điện đặt trên diode và khóa tích cực thấp hơnCHB đạt đến điện áp trung bình và có số bậc và hiệu suất cao hơn. Do các ưu điểm củangõ ra cao dẫn đến giảm kích thước của bộ qSBI so với các cấu hình đã trình bày ở trên.lọc ngõ ra cũng như không cần sử dụng biến Vì thế cấu hình CHB-5L-qSBI được phânáp tăng áp. Tuy nhiên, nghịch lưu CHB tích và kiểm chứ ...

Tài liệu được xem nhiều: