Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu xây dựng thiết bị khảo sát địa điện

Luận văn áp dụng những thành quả của vật lý, kỹ thuật điện tử và công cụ tính toán hiện đại vào việc nghiên cứu phương pháp và triển khai chế tạo những thiết bị khoa học kỹ thuật, thực hiện các giải pháp ứng dụng phù hợp và nhanh chóng áp dụng vào thực tiễn Việt Nam
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu xây dựng thiết bị khảo sát địa điện ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ------------------------------- Trần Vĩnh Thắng NGHIÊN CỨU XÂY DỰNGTHIẾT BỊ KHẢO SÁT ĐỊA ĐIỆN LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội - 2020 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ------------------------------- Trần Vĩnh Thắng NGHIÊN CỨU XÂY DỰNG THIẾT BỊ KHẢO SÁT ĐỊA ĐIỆN Chuyên ngành: Vật lý Vô tuyến và Điện tử Mã số: 9440130.03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. TS. Nguyễn Đức Vinh 2. TS. Đỗ Trung Kiên XÁC NHẬN NCS ĐÃ CHỈNH SỬA THEO QUYẾT NGHỊ CỦA HỘI ĐỒNG ĐÁNH GIÁ LUẬN ÁNChủ tịch hội đồng đánh giá Người hướng dẫn khoa học Luận án Tiến sĩGS.TS. Bạch Thành Công TS. Nguyễn Đức Vinh Hà Nội - 2020 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của cá nhân tôi dưới sự hướngdẫn của giáo viên hướng dẫn. Các số liệu và kết quả trình bày trong luận án chưatừng được công bố trong công trình nào khác. Các số liệu, thông tin, minh chứng và so sánh kết quả từ các nguồn tài liệutham khảo chỉ phục vụ cho mục đích học thuật và đã được trích dẫn tài liệu theođúng quy định. Tác giả luận án Trần Vĩnh Thắng LỜI CẢM ƠN Tôi xin chân thành cảm ơn TS. Nguyễn Đức Vinh và TS. Đỗ Trung Kiên, vìnhờ sự hướng dẫn của các thầy tôi mới có thể hoàn thành các nội dung nghiên cứutrong luận án. Tôi cũng xin cảm ơn Ban Lãnh đạo Khoa Vật lý vì những điều kiệnthuận tiện trong công việc để giúp tôi thực hiện nghiên cứu. Cảm ơn các đồngnghiệp tại Bộ môn Vật lý Vô tuyến - Khoa Vật lý với nhiều giúp đỡ dành cho tôi.Với tình cảm và sự kính trọng của mình, tôi xin cảm ơn PGS.TS. Nguyễn Thị ThụcHiền, PGS. TS. Lê Hồng Hà, PGS.TS. Lê Thị Thanh Bình vì các cô đã dành cho tôitình cảm và sự hỗ trợ về tinh thần trước và trong khi thực hiện luận án. Tôi cũngchân thành cảm ơn ThS. Đỗ Anh Chung đã giúp tôi trong quá trình thí nghiệm hiệntrường. Chân thành cảm ơn các thầy cô Khoa Vật lý, Phòng Sau đại, học TrườngĐại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đã hỗ trợ, giúp đỡ tôi trongcông tác cũng như quá trình thực hiện luận án. Và cuối cùng, tất cả là dành cho gia đình của tôi, bởi đó là lý do và là động lựcđể tôi thực hiện và hoàn thành mọi việc trong đó bản luận án này. Tác giả luận án Trần Vĩnh Thắng MỤC LỤCLỜI CAM ĐOANLỜI CẢM ƠNBẢNG VIẾT TẮT ..................................................................................................... 3CHỮ VIẾT TẮT ....................................................................................................... 3DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ .................................................................................. 5MỞ ĐẦU .................................................................................................................... 7Chương 1. TỔNG QUAN VỀ PHƢƠNG PHÁP ẢNH ĐIỆN ............................. 131.1. Phương pháp ảnh điện ERT, EIT hiện trường ................................................... 14 1.1.1. Cơ sở phương pháp ảnh điện ...................................................................... 14 1.1.2. Phương pháp đo điện trở suất một chiều .................................................... 18 1.1.3. Phương pháp đo IP theo miền thời gian ..................................................... 18 1.1.4. Phép đo theo miền tần số ............................................................................ 20 1.1.5. Xử lý số liệu toàn dạng sóng ...................................................................... 231.2. Thiết bị khảo sát ảnh điện .................................................................................. 25 1.2.1. Thiết kế khảo sát ......................................................................................... 26 1.2.2. Thiết bị đo DC, IP, SIP ............................................................................... 28 1.2.3. Tái tạo hình ảnh .......................................................................................... 311.3. Các yếu tố ảnh hưởng tới phép đo trong thí nghiệm hiện trường ...................... 32 1.3.1. Ảnh hưởng của điện cực ............................................................................. 32 1.3.2 ...