Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ lên sự khuếch tán của tạp chất trong tinh thể Ge

Đề tài trình bày về sự tự kt cũng như kt của các tạp chất trong tinh thể Ge; tính số các đại lượng kt của l, Ga và Si trong tinh thể Ge dưới ảnh hưởng của T; so sánh kết quả đã tính với thực nghiệm cũng như lý thuyết khác cho thấy khá tốt. Mời các bạn cùng tham khảo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất: Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ lên sự khuếch tán của tạp chất trong tinh thể Ge BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI 2 ===&=== NGUYỄN THỊ PHƢƠNGNGHIÊN CỨU ẢNH HƢỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN SỰ KHUẾCH TÁN CỦA TẠP CHẤT TRONG TINH THỂ Ge LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT HÀ NỘI, 2018 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM HÀ NỘI 2 ===&=== NGUYỄN THỊ PHƢƠNGNGHIÊN CỨU ẢNH HƢỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN SỰ KHUẾCH TÁN CỦA TẠP CHẤT TRONG TINH THỂ Ge Chuyên ngành:Vật lí lí thuyết và Vật lí toán Mã số: 8 44 01 03LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT CHẤT Người hướng dẫn khoa học: TS. Phan Thị Thanh Hồng HÀ NỘI, 2018 LỜI CẢM ƠN Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới TS. Phan Thị Thanh Hồng ngườiđã định hướng chọn đề tài và tận tình hướng dẫn để tôi có thể hoàn thành luậnvăn này. Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới Phòng Sau Đại học, Ban Chủnhiệm Khoa Vật lý, các thầy cô giáo giảng dạy chuyên ngành Vật lý lý thuyếtvà Vật lý toán Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 đã giúp đỡ tôi trong suốtquá trình học tập và làm luận văn. Cuối cùng, tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới gia đình và bạn bèđã động viên, giúp đỡ và tạo điều kiện về mọi mặt trong quá trình học tập đểtôi hoàn thành luận văn này. Hà Nội, ngày 20 tháng 6 năm 2018 Tác giả Nguyễn Thị Phương LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sựhướng dẫn của TS. Phan Thị Thanh Hồng. Tất cả các số liệu và kết quảnghiên cứu trong luận văn là trung thực, chưa từng được công bố trong bất kỳcông trình nào khác. Hà Nội, ngày 20 tháng năm 2018 Học viên Nguyễn Thị Phương MỤC LỤCMỞ ĐẦU ........................................................................................................... 11. Lý do chọn đề tài ........................................................................................... 12. Mục đích nghiên cứu ..................................................................................... 13. Nhiệm vụ nghiên cứu .................................................................................... 14. Đối tượng nghiên cứu.................................................................................... 15. Phương pháp nghiên cứu ............................................................................... 26. Dự kiến đóng góp mới .................................................................................. 2CHƢƠNG 1: CÁC NGHIÊN CỨU VỀ KHUẾCH TÁN TRONG TINH THỂGe ...................................................................................................................... 31.1. Tinh thể Ge ................................................................................................. 31.1.1. Cấu trúc tinh thể của Ge .......................................................................... 31.1.2. Một vài đặc điểm riêng của Ge ............................................................... 51.1.3. Một số khuyết tật trong tinh thể Ge ........................................................ 61.1.4. Những ứng dụng quan trọng của Ge ....................................................... 81.3. Các nghiên cứu về khuếch tán trong tinh thể Ge ..................................... 11KẾT LUẬN CHƢƠNG 1................................................................................ 13CHƢƠNG 2: S KHUẾCH TÁN C T P CHẤT TRONG TINH THỂBÁN DẪN ....................................................................................................... 142.1. Phương pháp thống kê mômen trong nghiên cứu tinh thể bán dẫn. ........ 142.1.1. Độ dời của hạt khỏi nút mạng ............................................................... 142.1.2. Năng lượng tự do Helmholtz ................................................................ 182.2. Lý thuyết khuếch tán của tạp chất trong tinh thể bán dẫn ....................... 19KẾT LUẬN CHƢƠNG 2................................................................................ 23CHƢƠNG 3: S KHUẾCH TÁN C T P CHẤT TRONG TINH THỂ Ge......................................................................................................................... 243.1. Cách xác định các đại lượng khuếch tán. ................................................. 243.2. ...