Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Ứng dụng phần mềm Olinda để tính liều trong y học hạt nhân

Mời các bạn tham khảo luận văn Thạc sĩ Vật lí: Ứng dụng phần mềm Olinda để tính liều trong y học hạt nhân sau đây để nắm bắt được những nội dung về phương pháp Mird tính liều chiếu trong trong y học hạt nhân; phần mềm Olinda/Exm tính liều chiếu trong trong y học hạt nhân; ứng dụng phần mềm Olinda để tính liều chiếu trong với dược chất phóng xạ.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Ứng dụng phần mềm Olinda để tính liều trong y học hạt nhân BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP. HỒ CHÍ MINH LÊ THỊ BÍCH HỒNGỨNG DỤNG PHẦN MỀM OLINDA ĐỂ TÍNH LIỀU TRONG Y HỌC HẠT NHÂN Chuyên ngành: Vật lý nguyên tử, hạt nhân và năng lượng cao Mã số: 60 44 05 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. NGUYỄN ĐÔNG SƠN Thành phố Hồ Chí Minh – 2011 LỜI CẢM ƠN B 0 Trong quá trình học tập và thực hiện luận văn, tôi đã nhận được sự hướng dẫn, giúp đỡ rất nhiềucủa các thầy cô, gia đình và bạn bè. Đó là nguồn động lực lớn cho tôi hoàn thành khóa học. Tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến TS. Nguyễn Đông Sơn, thầy là người đã trực tiếp hướng dẫn,động viên và tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi thực hiện luận văn này. Tôi xin cảm ơn các thầy cô đã giảng dạy tôi tận tình trong suốt thời gian qua, các thầy cô tronghội đồng phản biện đã dành thời gian đọc và góp ý cho luận văn được hoàn chỉnh hơn. Cuối cùng tôi xin cảm ơn gia đình, bạn bè đã luôn bên cạnh và ủng hộ tôi. MỤC LỤC B 1LỜI CẢM ƠN .......................................................................................................................... 23T T 3MỤC LỤC ................................................................................................................................ 33T T 3DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ............................................................... 53T T 3MỞ ĐẦU .................................................................................................................................. 13T T 3CHƯƠNG 1: PHƯƠNG PHÁP MIRD TÍNH LIỀU CHIẾU TRONG TRONG Y HỌC3THẠT NHÂN .............................................................................................................................. 4 T 3 1.1.Nguyên lý đánh dấu phóng xạ ................................................................................................................. 4 3T 3T 1.2.Phương pháp MIRD tính liều chiếu trong ................................................................................................ 5 3T T 3 1.2.1.Các khái niệm cơ bản ....................................................................................................................... 6 T 3 3T 1.2.2.Phương pháp MIRD cơ bản............................................................................................................ 12 T 3 3T 1.3.Nguồn dữ liệu tính liều chiếu trong ....................................................................................................... 18 3T 3T 1.3.1.Tỉ lệ hấp thụ riêng và giá trị S ........................................................................................................ 19 T 3 3T 1.3.2.Hoạt độ tích lũy ............................................................................................................................. 19 T 3 3T 1.3.2.1.Các thiết bị ghi đo ............................................................................................................ ...