Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc pha tạp đối xứng

Luận văn nhằm nghiên cứu vật lý linh kiện và khảo sát thiết kế các TFET có cấu trúc pha tạp đối xứng. Cụ thể, đề tài đề xuất nghiên cứu chi tiết TFET pha tạp đối xứng dựa trên xuyên hầm điểm, giải thích khả năng tăng dòng dẫn và giảm dòng rò lưỡng cực của cấu trúc TFET được nghiên cứu.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc pha tạp đối xứng BỘ GIÁO DỤC VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ ĐÀO TẠO VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- Trần Thị Kim Anh NGHIÊN CỨU VẬT LÝ LINH KIỆN VÀ THIẾT KẾTRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM CÓ CẤU TRÚC PHA TẠP ĐỐI XỨNG LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Khánh Hòa – 2020 BỘ GIÁO DỤC VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ ĐÀO TẠO VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- Trần Thị Kim Anh NGHIÊN CỨU VẬT LÝ LINH KIỆN VÀ THIẾT KẾTRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM CÓ CẤU TRÚC PHA TẠP ĐỐI XỨNG Chuyên ngành: Vật Lý Kỹ Thuật Mã số: 8520401 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC : PGS.TS Nguyễn Đăng Chiến Khánh Hòa – 2020 Lời cam đoan Tôi cam đoan đây là công trình nghiên cứu của tôi dưới sự hướng dẫncủa PGS.TS Nguyễn Đăng Chiến. Những kết quả nghiên cứu của người khác và các số liệu được trích dẫntrong luận văn đều được chú thích đầy đủ. Tôi hoàn toàn chịu trách nhiệm về lời cam đoan này. Khánh Hòa, tháng 07 năm 2020 Học viên thực hiện Trần Thị Kim Anh Lời cảm ơn Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến PGS.TS Nguyễn ĐăngChiến. Thầy giáo không chỉ là người hướng dẫn, giúp đỡ tôi hoàn thành luậnvăn mà còn là người người cổ vũ, động viên tôi trong suốt thời gian làm luậnvăn; giúp tôi vượt qua những lúc nản lòng vì những khó khăn trong công việcvà cuộc sống. Người đã truyền cho tôi sự lạc quan, lòng đam mê khoa học,tinh thần học hỏi không ngừng. Tôi xin cảm ơn tất cả các thầy giáo, cô giáo, cùng với tất cả các cô, chú,anh, chị ở Viện Khoa Học Hàn Lâm Việt Nam – Học Viện Khoa Học và CôngNghệ Hà Nội, Viện Nghiên Cứu và Ứng Dụng Công Nghệ Nha Trang, TrườngĐại Học Đà Lạt luôn giúp đỡ nhiệt tình và tạo mọi điều kiện tốt nhất để tôihoàn thành luận văn. Xin chân thành cảm ơn Sở Giáo dục – Đào tạo Khánh Hòa, Ban giámhiệu và các thầy cô trong tổ Vật lý trường THPT Trần Cao Vân đã tạo điềukiện cho tôi trong suốt thời gian học tập và nghiên cứu. Tôi xin cảm ơn các bạn học viên cùng nhóm nghiên cứu (Huỳnh Thị HồngThắm và Nguyễn Văn Hào), cùng tất cả các anh, chị, em học viên cao học lớpPHY18, khóa: 2018 – 2020 đã luôn đồng hành, giúp đỡ, động viên tôi trongsuốt thời gian học tập và nghiên cứu. Và sau cùng, tôi xin dành những tình cảm đặc biệt và biết ơn của mìnhđến những người thân trong gia đình. Bằng tình cảm thân thương với sự cảmthông, sự quan tâm và chia sẻ, đã cho tôi nghị lực và tinh thần để hoàn thànhcông việc nghiên cứu của mình. Đó là nguồn sức mạnh tinh thần giúp tôivươn lên trong cuộc sống. Kính chúc tất cả quý thầy cô, gia đình, bạn bè sức khỏe và thành công! Khánh Hòa, tháng 07 năm 2020 Học viên thực hiện Trần Thị Kim Anh Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắtChữ viết Chữ viết đầy đủ bằng Tiếng Chữ viết đầy đủ bằng Tiếng tắt Anh Việt BJT Bipolar Junction Transistor Transistor tiếp xúc lưỡng cực BTBT Band-To-Band-Tunneling Xuyên hầm qua vùng cấmDG-TFET Double – Gate TFET TFET lưỡng cổng Drain Induced Barrier Hiệu ứng làm mỏng hàng rào DIBL Lowering gây ra ở cực máng EOT Equivalent Oxide Thickness Độ dày lớp oxit tương đương HGD Hetero-Gate-Dielectric Điện môi cực cổng dị chất Ionization Metal-Oxide- Trường kim loại-oxit-bán dẫn IMOS Semiconductor ion hóa Jave Current Density Mật độ dòng Complementary Metal-Oxide- Công nghệ kim loại oxit bán MOS Semiconductor dẫn Metal-Oxide-Semiconductor Transistor trường kim loại-MOSFET Field Effect Transistor oxit-bán dẫn Chất bán dẫn trên một lớp SOI Semiconductor-On-Insulator cách điện SS Subthreshold Swing Độ dốc dưới ngưỡng Symmetric Tunnel Field- Transistor trường xuyên hầm STFET Ef ...