nguồn một chiều cho các thiết bị điện tử, chương 6

các mạch chỉnh lưu có từ các dụng cụ như nhiều mặt ghép p-n. Các có khống chế đều có cấu trúc dạng bốn lớp p-n-p-n xếp liên tiếp nhau. Một ứng dụng khống chế cấu tạo dụng cụ chỉnh lưu bán dẫn công nghệ Nguyên lí làm việc, đặc tuyến và tham số của tiristo a - Tiristo được chế tạo từ bốn lớp bán dẫn p1-n1-p2-n2 đặt xen kẽ nhau (trên đế N1 và + điện trở cao, tạo ra 2 ++ P2 , sau đó ++ Giữa các lớp bán dẫn ). này lớp P1 tiếp N2 hình thành...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
nguồn một chiều cho các thiết bị điện tử, chương 6 Chương 6: PHẦN TỬ NHIỀU MẶT GHÉP P-N Một ứng dụng quan trọng khác là các mạch chỉnh lưu có khống chế cấu tạo từ các dụng cụ như nhiều mặt ghép p-n. Các dụng cụ chỉnh lưu có khống chế đều có cấu trúc dạng bốn lớp bán dẫn công nghệ p-n-p-n xếp liên tiếp nhau. 2.7.1. Nguyên lí làm việc, đặc tuyến và tham số của tiristo a - Tiristo được chế tạo từ bốn lớp bán dẫn p1-n1-p2-n2 đặt xen kẽ nhau (trên đế N1 điện trở cao, tạo ra 2 ++ P2 , sau đó ++ Giữa các lớp bán dẫn và + ). lớp P1 tiếp N2 này hình thành các chuyển tiếp p-n lần lượt là J1, J2,J3 và lấy ra 3 cực là anôt (A), katôt (K) và cực khống chế G (h.2.156a). Để tiện cho việc phân tích nguyên lí làm việc của tiristo hãy tưởng tượng 4 lớp bán dẫn của tiristo có thể chia thành hai cấu trúc tranzito p1n1p2 và n1p2n2 như hình 2.156b với sự nối thông các miền N1 và P2 giữa chúng. Từ đó có thể vẽ được sơ đồ tương đương như hình 2.156c. Kí hiệu quy ước của tiristo cho trên hình 2.156d. Hình 2.156: Cấu trúc 4 lớp p-n của tiristo (a, b); Sơ đồ tương đương (c) và kí hiệu quy ước 1 của tiristo (d) b – Đặc tuyến Vôn-Ampe của tiristo có đang như hình 2.157 và chia thành 4 vùng rõ rệt. Trước tiên hãy xiết trường hợp phân cực ngược tiristo với UAK < 0. Đặc tính ở đoạn này có thể coi như của 2 điôt phân cực ngược mắc nối tiếp (J1 và J3). Dòng qua tiristo chính là dòng dò ngược của điôt (giống hệt như dòng ngược bão hòa của điôt). Nếu tăng điện áp ngược dần đến một giá trị nhất định thì 2 chuyển tiếp J1 và J3 sẽ lần lượt bị đánh thủng theo cơ chế thác lũ và cơ chế Zener, dòng ngược qua tiristo tăng 2 lên đột ngột (dòng này do cơ chế đánh thũng J3 quyết định). Nếu không có biện pháp ngăn chặn thì dòng ngược này sẽ làm hỏng tiristo. Vùng đặc tuyến ngược của tiristo trước khi bị đánh thủng gọi là vùng chắn ngược. Hình 2.157: Đặc tuyến von-ampe của tiristo Khi phân cực thuận tiristo (với UAK > 0), đầu tiên hãy xét trường hợp cực G hở mạch (IG = 0), chuyển tiếp J1 và J3 lúc này được phân cực thuận còn J2 phân cực ngược. Khi UAK còn nhỏ, dòng qua tiristo quyết định chủ yếu bởi dòng ngược của J2. Xét chung cho cả tiristo thì dòng điện chảy qua tiristo lúc này là dòng dò thuận Ifx. Giá trị điển hình của dòng dò ngược (IRx) và dò thuận (Ifx) khoảng 100µA. Nếu IG= 0 thì dòng dò thuận sẽ giữ nguyên giá tri ban đầu. Khi tăng UAK tới giá trị xấp xỉ điện áp đánh thủng chuyển tiếp J2. Điện áp thuận ứng với giá trị này gọi là điện áp đánh thủng thuận UBE. Nói một cách khác, khi điện áp thuận tăng đến giá trị này, dòng Ico trong 3 tiristo đủ lớn dẫn tới làm cho Q1 và Q2 trong sơ đồ tương đương (h.2.156c) mở và lập tức chuyển sang trạng thái bảo hòa. Tiristo chuyển sang trạng thái mở. Nội trở của nó đột ngột giảm đi, điện áp sụt lên 2 cực A và K cũng giảm xuống đến giá trị UE gọi là điện áp dẫn thuận. Phương pháp chuyển tiristo từ khóa sang mở bằng cách tăng dần UAK gọi là kích mở bằng điện áp thuận. 4 Nếu IG khác 0, dòng IG do UGK cung cấp sẽ cùng với dòng ngược vốn có trong tiristo Ico làm cho Q2 có thể mở ngay điện áp UAK nhỏ hơn nhiều giá trị kích mở lúc IG=0 Dòng IG càng lớn thì UGK cần thiết tương ứng để một tiristo càng nhỏ. (Ở đây cũng cần nói thêm rằng cho dù ngay từ đầu điện áp UGK đã cung cấp một dòng IG lớn hơn dòng mở cực tiểu của Q2 nhưng điện áp UAK vẫn chưa đủ lớn để phân cực thuận Q1 và Q2 thì tiristo cũng vẫn chưa mở). Như trên hình 2.157 mức dòng khống chế IG tăng từ IG1 đến IG4 tương ứng với mức điện áp UAK giảm xuống từ U1 tới U4. Đây là phương pháp kích mở tiristo bằng dòng trên cực điều khiển. Điện áp dẫn thuận UF có thể viết UF = UBE1 + UBE2 = UBE2 + UCE1. Đối với vật liệu silic thì điện áp bão hòa của tranzito silic vào cỡ 0,2v còn UBE như đã biết vào cỡ 0,7v; như vậy suy ra UF = 0.9V. Trên phần đặc tuyến thuận, phần mà tiristo chưa mở gọi là miền chắn thuận, miền tiristo đã mở gọi là miền dẫn thuận (h.2.157). Quan sát miền chắn thuận và miền chắn ngược của tiristo thấy nó có dạng giống như đặc tuyến ngược của điôt chỉnh lưu thông thường. Sau khi các điều kiện kích thích mở kết thúc, muốn duy trì tiristo luôn mở thì phải đảm bảo cho dòng thuận IE lớn hơn một giá trị nhất định gọi là dòng ghim I4 (là giá trị cực tiểu của dòng thuận IE). Nếu trong quá trình tiristo mở; IG vẫn được duy trì thì giá trị dòng ghim tương ứng sẽ giảm đi khi dòng lG tăng (h.2.157). Trong các sổ tay thuyết minh các nhà sản xuất còn kí hiệu IHC để chỉ dòng ghim khi cực G hở mạch và IHX để chỉ dòng ghim đặc biệt khi giữa cực G và K được nối nhau bằng điện trở phân cực đặc biệt. c - Hai cặp tham số quan trọng cần chú ý khi chọn các tiristo, tới là dòng điện và điện áp cực đại mà tiristo có thể làm việc không bị đánh thủng ngược và đánh thủng thuận đã trình bày ở trên. Điện áp dẫn thuận cực đại đảm bảo cho tiristo chưa mở theo chiều thuận chính là điện áp thuận, điện áp này thường , được kí hiệu là UOM hoặc UFxM đối với trường hợp G nối với điện trở phân cực. Với nghĩa tương tự, người ta định nghĩa điện áp chắn ngược cực đại VRoM và VRxM dòng điện thuận cực đại. Công suất tổn hao cực đại FaM là công suất lớn nhất cho phép khi tiristo làm việc, điện áp cực khống chế UG là mức điện áp ngưỡng cần để mở tiristo khi UAK = 6v Những tham số vừa nêu trên đây thuờng được cho trong các sổ tay ở nhiệt độ 250C. Với các tiristo làm việc ở chế độ xung tần số cao còn phải quan tâm đến thời gian đóng mở tiristo tm là thời gian chuyển từ trạng thái đóng sang trạng thái mở và td là thời gian ...