Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB

Tính Toán LýThuyết:Thời gian nạp điện vào hai tụ C1 và C2 để đưa điện thế từ -VCC lên 0.8 Volt là:T=T1+T2=R=0.7RB1C1+0.7RB2C2
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWBI. MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI PHI ỔN-BJT 1. Sơ đồ mắc mạchTính Toán LýThuyết: Thời gian nạp điện vào hai tụ C1 và C2 để đưa điện thế từ -VCC lên 0.8 Volt là:T=T1+T2=R=0.7RB1C1+0.7RB2C2Với: RB1=RB2=140KΩ C1=C2=C=4.7µF RB1 ≥ βRC1Điều kiện để T1 và T2 bảo hòa là: RB2 ≥ βRC2Kết quả mạch tạo ra sóng vuông liên tục mà không cần xung kích từ ngoài vào.2. Dạng sóng quan sát:KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang1 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWBII. MẠCH DI PHA BA KHÂU-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch 1 − 1Tần số dao động: f = =722Hz và lượng đưa về hồi tiếp: β = lần. 2π 6 RC 29Kết quả mạch tạo ra hai hình sin lệch pha nhau một góc π.2. Dạng sóng quan sát:KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang2 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWBIII. MẠCH DAO ĐỘNG COLPITS-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch: 1 C .C =286Hz với C = C + C =0.477µF 1 2Tần số dao động của mạch: f0= 2π LC 1 22. Dạng sóng quan sát:KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang3 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWBIV. MẠCH DAO ĐỘNG HARTLEY-BJT 1. Sơ đồ mắc mạch:2. Dạng quan sát:KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang4 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWBV. MẠCH DAO ĐỘNG HARTLEY-FET 1. Sơ đồ mắc mạch2. Dạng quan sát:KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang5 Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWBVI. DAO ĐỘNG THẠCH ANH1. Sơ đồ mắc mạch2. Dạng sóng quan sátKỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ Trang6