Bài giảng Điện tử căn bản - Bài 6: Transistor hiệu ứng trường

Bài giảng Điện tử căn bản - Bài 6: Transistor hiệu ứng trường trình bày tổng quát về cấu tạo, ký hiệu JFET, nguyên lý hoạt động, đặc tính JFET, mạch khuếch đại JFET cực nguồn chung, mạch khuếch đại JFET cực thoát chung, mạch khuếch đại JFET cực cổng chung, phương pháp đo kiểm tra, MOSFET kênh liên tục - gián đoạn,... Mời các bạn cùng đón đọc.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Điện tử căn bản - Bài 6: Transistor hiệu ứng trườngBài 6: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG I. Tổng quát 1. Cấu tạo – ký hiệu JFET: D(Thoát) D(Thoát)G(Cổng) P P G(Cổng) N N N P S(Nguồn) S(Nguồn) D (a) D (b) G G S S Cấu tạo và ký hiệu JFET 2.Nguyên lý hoạt động:• Vùng nghèo• Hoạt động JFET kênh N Tầng khuếch đạiJFET kênh P Hoạt động JFET kênh P3. Đặc tính JFET: Đặc tính cong của JFET Thắt kênh (VP) Vùng đánh thủng ID  Khi VDD ( và VDS) tăng từ 0 trở lên B VGS = 0 C thì ID sẽ tăng tỉ lệ thuận với VDD. ( A- B)  Vùng từ A-B được gọi là vùng VGS = -1v điện trở. VGS = - 2v  Tại điểm B thì đường đặc tuyến nằm ngang nên ID là một hằng số. VGS = - 3v VGS = - 4v VGS = - 5v VDS A VP = 6v VGS(OFF) = - 6v, ID = 04. Mạch khuếch đại JFET cực nguồn chung: +VDD 20v RL ID RL C1 C2 Ngõ ra G Tín hiệu VDS 1M RG -VG Mạch khuếch đại JFET nguồn chung5. Mạch khuếch đại JFET cực thoát chung: +VDD 20V R1 3.3M C1 Ngõ ra Ngõ vào VGS  R2 VG RL 470 ID RL 10k Mạch khuếch đại JFET thốt chung6. Mạch khuếch đại JFET cực cổng chung: +VDD 20V RL ID RL 10k C2 G ID C1 VD RG ID RL 1k Sự khác nhau giữa JFET và Transistor lưỡng cực - JFET là một linh kiện điều khiển điện áp, cònTransistor lưởng cực là linh kiện điều khiển dòng điện. - JFET có trở kháng ngõ vào rất cao, nhiễu thấp và ổnđịnh nhiệt tốt, transistor lưỡng cực là linh kiện có trởkháng ngõ vào thấp. - Trở kháng ngõ ra JFET cao hơn BJT.7. Phương pháp đo kiểm tra:Cách đo JFET: Dùng V.O.M đặt ở thang đo Rx1 đo cực G so với Dvà S cho ta kết quả đo như sau: Ω GD = Ω GS =  (đo nghịch) Ω GD = Ω GS = vài chục Ω Ω DS khoảng vài trăm Ω đến vài KΩCách thử JFET: Đặt 2 que đo của ohm kế ở thang Rx100 lên chân D và S (lúc này kim lên) Dùng 1 vật nhiễm từ trường bằng cách: dùng bút cọ xát lên vải hoặc dùng lược nhựa chải lên tóc, đưa vật nhiễm từ lên cổng G lúc này trên Ω kế kim sẽ thay đổi cho biết có dòng thay đổi qua kênh là FET tốt. II. MOSFET kênh liên tục- gián đoạn: 1. Caáu taïo-kyù hieäu: SiO2 S G D S D G• Vùng nghèo Kênh N Kênh P SUB( Đế) Kênh dẫn loại N MOSFET kênh gián đoạn 2. Hoạt động của MOSFET:Khi VGS = 0v, kênh dẫn điện có tácdụng như điện trở. Khi tăng điện thế VDS thì dòng điện ID tăng lênđến trị số giới hạn là IDSS (dòng IDS bão hoà). Điện thế VDS ở trị số ...