Giáo trình hình thành các loại diode thông dụng trong điện dung chuyển tiếp p10

Khi VDS còn nhỏ (vài volt), điện trở R của thông lộ gần như không thay đổi nên dòng ID tăng tuyến tính theo VDS. Khi VDS đủ lớn, đặc tuyến không còn tuyến tính nữa do R bắt đầu tăng vì thông lộ hẹp dần. Nếu ta tiếp tục tăng VDS đến một trị số nào đó thì hai vùng hiếm chạm nhau, ta nói thông lộ bị nghẽn (pinched off). Trị số VDS để thông lộ bắt đầu bị nghẽn được gọi là điện thế nghẽn VP (pinched off voltage)...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành các loại diode thông dụng trong điện dung chuyển tiếp p10 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi VDS còn nhỏ (vài volt), điện trở R của thông lộ gần như không thay đổi nêndòng ID tăng tuyến tính theo VDS. Khi VDS đủ lớn, đặc tuyến không còn tuyến tính nữa doR bắt đầu tăng vì thông lộ hẹp dần. Nếu ta tiếp tục tăng VDS đến một trị số nào đó thì haivùng hiếm chạm nhau, ta nói thông lộ bị nghẽn (pinched off). Trị số VDS để thông lộ bắt đầu bị nghẽn được gọi là điện thế nghẽn VP (pinched offvoltage). Ở trị số này, chỉ có các điện tử có năng lượng cao trong dải dẫn điện mới có đủsức xuyên qua vùng hiếm để vào vùng thoát và bị hút về cực dương của nguồn điện VDStạo ra dòng điện thoát ID. Nếu ta cứ tiếp tục tăng VDS, dòng điện ID gần như không thay đổi và được gọi làdòng điện bảo hoà thoát - nguồn IDSS (chú ý: ký hiệu IDSS khi VGS=0V). Bây giờ, nếu ta phân cực cổng-nguồn bằng một nguồn điện thế âm VGS (phân cựcnghịch), ta thấy vùng hiếm rộng ra và thông lộ hẹp hơn trong trường hợp VGS=0V. Do đóđiện trở của thông lộ cũng lớn hơn. VDS S G D VGS p n+ n- n+ Nối P-N ở vùng thoát được phân p- cực nghịch Hình 10 Trang 96 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ID P Gate Thông lộ hẹp hơn nên điện VGS = 0 IDSS trở lớn hơn. Có Kênh n- n+ thoát nghĩa là ID và IS Dòng VGS < 0 nhỏ hơn ở cùng bảo một trị VDS khi hòa ID VGS âm hơn giảm Thân P- (Gate) VDS VP P Gate VDS ứng với trị bảo hòa giảm Thông lộ n- n+ thoát Thông lộ nghẽn ở trị VDS thấp hơn khi VGS âm vì thông lộ hẹp Thân P- (Gate) hơn Hình 11 Khi VDS còn nhỏ, ID cũng tăng tuyến tính theo VDS, nhưng khi VDS lớn, thông lộ bịnghẽn nhanh hơn, nghĩa là trị số VDS để thông lộ nghẽn nhỏ hơn trong trường hợpVGS=0V và do đó, dòng điện bảo hoà ID cũng nhỏ hơn IDSS. Chùm đặc tuyến ID=f(VDS) với VGS là thông số được gọi là đặc tuyến ra của JFETmắc theo kiểu cực nguồn chung. ID(mA) VGS = 0V Đặc tuyến |VDS| = |VP|-|VGS| VGS = -1V Vùng bảo hòa (vùng dòng điện hằng số) VGS = -2V VGS = -3V VGS = -4V VDS (volt) 0 VDS=VP=8V VGS = VGS(off) = -8V Hình 12 Khi VGS càng âm, dòng ID bảo hoà càng nhỏ. Khi VGS âm đến một trị nào đó, vùnghiếm chiếm gần như toàn bộ thông lộ và các điện tử không còn đủ năng lượng để vượtqua được và khi đó ID = 0. Trị số của VGS lúc đó gọi là VGS(off). Người ta chứng minhđược trị số này bằng với điện thế nghẽn. Trang 97 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VGS( off ) = VP Vì Vp chính là hiệu thế phân cực ngược các nối P-N vừa đủ để cho các vùng hiếmchạm nhau. Vì vậy, trong vùng bảo hoà ta có: VDS + VGS = VP Vì nối cổng nguồn được phân cực nghịch, dòng điện IG chính là dòng điện rỉ ngượcnên rất nhỏ, do đó dòng điện chạy vào cực thoát D được xem như bằng dòng điện ra khỏicực nguồn S. ID # IS. Không có hạt tải điện di chuyển qua thông lộ (I = I = 0) D S Gate p n+ n+ S D Kênh n- ...