Giáo trình hình thành các loại diode thông dụng trong điện dung chuyển tiếp p7

Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N khi phân cực thuận nên: re
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành các loại diode thông dụng trong điện dung chuyển tiếp p7 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử vBE(t) = VBE + vbe(t) Thành phần tức thời = thành phần DC + thành phần xoay chiều. Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùngnền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuậnnên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N 26mVkhi phân cực thuận nên: re = p n+ n- IE B’ E C ie ic ib’ B Hình 31 Ngoài ra, ta cũng có điện trở rb của vùng bán dẫn nền phát (ở đây, ta có thể coi nhưđây là điện trở giữa B và B’). Do giữa B’ và C phân cực nghịch nên có một điện trở r0 rấtlớn. Tuy nhiên, vẫn có dòng điện ic = α.ie = βib chạy qua và được coi như mắc song songvới r0. * α là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc nền chung: ∆I di i α = α ac = C = C = c ∆I E di E i e Thông thường α hoặc αac gần bằng αDC và xấp xĩ bằng đơn vị. * β là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc cực phát chung. ∆i di i β = β ac = h fe = C = C = c ∆i B di B i b Thông thường β hoặc βac gần bằng βDC và cũng thay đổi theo dòng ic. Trị số α, β cũng được nhà sản xuất cung cấp. Như vậy, mô hình của transistor đối với tín hiệu xoay chiều có thể được mô tả như sau: α.ie = β.ib ie B’ E C re ib rb ro Ω Hình 32 rb thường có trị số khoảng vài chục B , r0 rất lớn nên có thể bỏ qua trong mô hình của transistor. Trang 81 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2. Điện dẫn truyền (transconductance) Ta thấy rằng, dòng điện cực thu IC thay đổi theo điện thế nền phát VBE. Người ta cóthể biểu diễn sự thay đổi này bằng một đặc tuyến truyền (transfer curve) của transistor.Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. ID(mA) IC(mA) = IE ID=IO.exp(VD/VT) IC=ICES.exp(VBE/VT) VD(volt) VBE(volt) 0 0 IC(mA) ID=IO.exp(VD/VT) C C gmvbe ≈ Tiếp tuyến có độ B B + Q dốc =gm=IC/VT vbe - VBE(mV) 0 E E Hình 33 Người ta định nghĩa điện dẫn truyền của transistor là: ∆i c i (t) gm = =c ∆VBE v be ( t ) Và đó chính là độ dốc của tiếp tuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q. Tương tự như diode, ta cũng có: VBE I C = I CES .e VT ...