Giáo trình hình thành đoạn mạch cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p3
Số trang: 10
Loại file: pdf
Dung lượng: 726.84 KB
Lượt xem: 4
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử .* Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ: Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện thế ngõ vào là vgs và ig. Dòng điện và điện thế ngõ ra là vds và idid ig vds vgs Hình 39Do dòng ig rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là: v gs rπ = rất lớn igDòng thoát id là một hàm số theo vgs và vds. Với tín hiệu nhỏ (dòng điện và điện thế chỉ biến thiên quanh điểm điều hành), ta...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành đoạn mạch cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p3 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . * Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ: Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện thế ngõ vào là vgs vàig. Dòng điện và điện thế ngõ ra là vds và id id ig vds vgs Hình 39 Do dòng ig rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là: v gs rπ = rất lớn ig Dòng thoát id là một hàm số theo vgs và vds. Với tín hiệu nhỏ (dòng điện và điện thếchỉ biến thiên quanh điểm điều hành), ta sẽ có: ∂iD v gs ∂iD vDS iD = + ∂vGS Q ∂vDS Q Người ta đặt: ∂i D ∂i 1 gm = =D và ∂v GS ro ∂v DS Q Q 1 1 i d = g m v gs + (coù theå ñaët = go ) Ta có: v ds ro ro vgs = rπ.ig Các phương trình này được diễn tả bằng giản đồ sau đây gọi là mạch tương đương idxoay chiều của FET. G D gmvgs r0 rπ vgs vds S Hình 40 Riêng đối với E-MOSFET, do tổng trở vào rπ rất lớn, nên trong mạch tương đươngngười ta có thể bỏ rπ Trang 116 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử id G D gmvgs r0 vgs vds S Hình 41IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦAJFET VÀ DEMOSFET. Cũng tương tự như ở BJT, một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền i d (t)của FET là tỉ số: g m = v gs ( t ) Điện dẫn truyền có thể được suy ra từ đặc tuyến truyền, đó chính là độ dốc của tiếptuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q ID(mA) Độ dốc tại điểm ID = IDSS là gmo IDSS Độ dốc tại điểm Q là: i ∆I D dI = d(t ) gm = D = dVGS ∆VGS v gs ( t ) 2 ⎡ VGS ⎤ I D = I DSS ⎢1 − ⎥ ⎢ VGS( off ) ⎥ ⎣ ⎦ Q ∆ ID VGS (volt) VGS(off) ∆VGS Hình 42 Về mặt toán học, từ phương trình truyền: 2 ⎡ VGS ⎤ I D = I DSS ⎢1 − ⎥ ⎢ VGS( off ) ⎥ ⎣ ⎦ Trang 117 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . 2 ⎡ VGS ⎤ dI D Ta suy ra: g m = = I DSS ⎢1 − ⎥ dVGS ⎢ VGS( off ) ⎥ ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành đoạn mạch cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p3 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . * Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ: Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện thế ngõ vào là vgs vàig. Dòng điện và điện thế ngõ ra là vds và id id ig vds vgs Hình 39 Do dòng ig rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là: v gs rπ = rất lớn ig Dòng thoát id là một hàm số theo vgs và vds. Với tín hiệu nhỏ (dòng điện và điện thếchỉ biến thiên quanh điểm điều hành), ta sẽ có: ∂iD v gs ∂iD vDS iD = + ∂vGS Q ∂vDS Q Người ta đặt: ∂i D ∂i 1 gm = =D và ∂v GS ro ∂v DS Q Q 1 1 i d = g m v gs + (coù theå ñaët = go ) Ta có: v ds ro ro vgs = rπ.ig Các phương trình này được diễn tả bằng giản đồ sau đây gọi là mạch tương đương idxoay chiều của FET. G D gmvgs r0 rπ vgs vds S Hình 40 Riêng đối với E-MOSFET, do tổng trở vào rπ rất lớn, nên trong mạch tương đươngngười ta có thể bỏ rπ Trang 116 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử id G D gmvgs r0 vgs vds S Hình 41IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦAJFET VÀ DEMOSFET. Cũng tương tự như ở BJT, một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền i d (t)của FET là tỉ số: g m = v gs ( t ) Điện dẫn truyền có thể được suy ra từ đặc tuyến truyền, đó chính là độ dốc của tiếptuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q ID(mA) Độ dốc tại điểm ID = IDSS là gmo IDSS Độ dốc tại điểm Q là: i ∆I D dI = d(t ) gm = D = dVGS ∆VGS v gs ( t ) 2 ⎡ VGS ⎤ I D = I DSS ⎢1 − ⎥ ⎢ VGS( off ) ⎥ ⎣ ⎦ Q ∆ ID VGS (volt) VGS(off) ∆VGS Hình 42 Về mặt toán học, từ phương trình truyền: 2 ⎡ VGS ⎤ I D = I DSS ⎢1 − ⎥ ⎢ VGS( off ) ⎥ ⎣ ⎦ Trang 117 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . 2 ⎡ VGS ⎤ dI D Ta suy ra: g m = = I DSS ⎢1 − ⎥ dVGS ⎢ VGS( off ) ⎥ ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
giáo trình vật lý tài liệu vật lý phương pháp quang học kỹ năng quang học thủ thuật quang họcGợi ý tài liệu liên quan:
-
Giáo trình Vật lý đại cương A2: Phần 2 - ThS. Trương Thành
78 trang 112 0 0 -
Giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào Jfet với tín hiệu xoay chiều p2
10 trang 42 0 0 -
Giáo trình Vật lý phân tử và nhiệt học: Phần 1
54 trang 41 0 0 -
Giáo trình giải thích việc nôn mửa do phản xạ hoặc do trung khu thần kinh bị kích thích p10
5 trang 39 0 0 -
Giáo trình hình thành đặc tính kỹ thuật của bộ cánh khuấy Mycom trong hệ số truyền nhiệt p2
5 trang 36 0 0 -
Giáo trình hình thành nguyên lý ứng dụng hệ số góc phân bố năng lượng phóng xạ p4
10 trang 34 0 0 -
Giáo trình Vật lý phân tử và nhiệt học: Phần 2
72 trang 31 0 0 -
Giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo đoạn nhiệt theo dòng lưu động một chiều p5
10 trang 28 0 0 -
Tài liệu: Hướng dẫn sử dụng phần mềm gõ công thức Toán MathType
12 trang 27 0 0 -
13. TƯƠNG TÁC GIỮA HAI DÒNG ĐIỆN THẲNG SONG SONG. ĐỊNH NGHĨA ĐƠN VỊ AM-PE
4 trang 27 0 0