Giáo trình hình thành đoạn mạch cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p4
Số trang: 10
Loại file: pdf
Dung lượng: 736.25 KB
Lượt xem: 5
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
. Giáo trình Linh Kiện Điện TửCHƯƠNG VII LINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀ NHỮNG LINH KIỆN KHÁCI. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).1. Cấu tạo và đặc tính:SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta thấy SCR là một diode chỉnh lưu được kiểm soát bởi cổng silicium. Các tíêp xúc kim loại được tạo ra các cực Anod A, Catot K và cổng G.Anod A P N G Cổng (Gate) P N K Catod Cấu tạo A A T1 IC1 IC2 G IG K Mô...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành đoạn mạch cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p4 . Giáo trình Linh Kiện Điện TửCHƯƠNG VIILINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀNHỮNG LINH KIỆN KHÁCI. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLEDRECTIFIER). 1. Cấu tạo và đặc tính: SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta thấy SCRlà một diode chỉnh lưu được kiểm soát bởi cổng silicium. Các tíêp xúc kim loại được tạora các cực Anod A, Catot K và cổng G. Anod Anod A A E P P C N N N B ≈ B P P P G G C Cổng Cổng E N N (Gate) (Gate) K K Catod Catod Cấu tạo Mô hình tương đương A A T1 IC1 IC2 IB2 G G T2 IG K K Mô hình tương đương Ký hiệu Hình 1 Trang 126 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Nếu ta mắc một nguồn điện một chiều VAA vào SCR như hình sau. một dòng điệnnhỏ IG kích vào cực cổng G sẽ làm nối PN giữa cực cổng G và catot K dẫn phát khởidòng điện anod IA qua SCR lớn hơn nhiều. Nếu ta đổi chiều nguồn VAA (cực dương nốivới catod, cục âm nối với anod) sẽ không có dòng điện qua SCR cho dù có dòng điệnkích IG. Như vậy ta có thể hiểu SCR như một diode nhưng có thêm cực cổng G và đểSCR dẫn điện phải có dòng điện kích IG vào cực cổng. IA A P G Cổng N VAK IG (Gate) P N RG RA K VGG VAA Hình 2 Ta thấy SCR có thể coi như tương đương với hai transistor PNP và NPN liên kếtnhau qua ngõ nền và thu Khi có một dòng điện nhỏ IG kích vào cực nền của Transistor NPN T1 tức cổng Gcủa SCR. Dòng điện IG sẽ tạo ra dòng cực thu IC1 lớn hơn, mà IC1 lại chính là dòng nềnIB2 của transistor PNP T2 nên tạo ra dòng thu IC2 lại lớn hơn trước… Hiện tượng này cứtiếp tục nên cả hai transistor nhanh chóng trở nên bảo hòa. Dòng bảo hòa qua haitransistor chính là dòng anod của SCR. Dòng điện này tùy thuộc vào VAA và điện trở tảiRA. Cơ chế hoạt động như trên của SCR cho thấy dòng IG không cần lớn và chỉ cần tồntại trong thời gian ngắn. Khi SCR đã dẫn điện, nếu ta ngắt bỏ IG thì SCR vẫn tiếp tục dẫnđiện, nghĩa là ta không thể ngắt SCR bằng cực cổng, đây cũng là một nhược điểm củaSCR so với transistor. Người ta chỉ có thể ngắt SCR bằng cách cắt nguồn VAA hoặc giảm VAA sao chodòng điện qua SCR nhỏ hơn một trị số nào đó (tùy thuộc vào từng SCR) gọi là dòng điệnduy trì IH (hodding current). Trang 127 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR: Đặc tuyến này trình bày sự biến thiên của dòng điện anod IA theo điện thế anod-catod VAK với dòng cổng IG coi như thông số. - Khi SCR được phân cực nghịch (điện thế anod âm hơn điện thế catod), chỉ có mộtdòng điện rỉ rất nhỏ chạy qua SCR. - Khi SCR được phân cực thuận (điện thế anod dương hơn điện thế catod), nếu tanố ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành đoạn mạch cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p4 . Giáo trình Linh Kiện Điện TửCHƯƠNG VIILINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀNHỮNG LINH KIỆN KHÁCI. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLEDRECTIFIER). 1. Cấu tạo và đặc tính: SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta thấy SCRlà một diode chỉnh lưu được kiểm soát bởi cổng silicium. Các tíêp xúc kim loại được tạora các cực Anod A, Catot K và cổng G. Anod Anod A A E P P C N N N B ≈ B P P P G G C Cổng Cổng E N N (Gate) (Gate) K K Catod Catod Cấu tạo Mô hình tương đương A A T1 IC1 IC2 IB2 G G T2 IG K K Mô hình tương đương Ký hiệu Hình 1 Trang 126 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Nếu ta mắc một nguồn điện một chiều VAA vào SCR như hình sau. một dòng điệnnhỏ IG kích vào cực cổng G sẽ làm nối PN giữa cực cổng G và catot K dẫn phát khởidòng điện anod IA qua SCR lớn hơn nhiều. Nếu ta đổi chiều nguồn VAA (cực dương nốivới catod, cục âm nối với anod) sẽ không có dòng điện qua SCR cho dù có dòng điệnkích IG. Như vậy ta có thể hiểu SCR như một diode nhưng có thêm cực cổng G và đểSCR dẫn điện phải có dòng điện kích IG vào cực cổng. IA A P G Cổng N VAK IG (Gate) P N RG RA K VGG VAA Hình 2 Ta thấy SCR có thể coi như tương đương với hai transistor PNP và NPN liên kếtnhau qua ngõ nền và thu Khi có một dòng điện nhỏ IG kích vào cực nền của Transistor NPN T1 tức cổng Gcủa SCR. Dòng điện IG sẽ tạo ra dòng cực thu IC1 lớn hơn, mà IC1 lại chính là dòng nềnIB2 của transistor PNP T2 nên tạo ra dòng thu IC2 lại lớn hơn trước… Hiện tượng này cứtiếp tục nên cả hai transistor nhanh chóng trở nên bảo hòa. Dòng bảo hòa qua haitransistor chính là dòng anod của SCR. Dòng điện này tùy thuộc vào VAA và điện trở tảiRA. Cơ chế hoạt động như trên của SCR cho thấy dòng IG không cần lớn và chỉ cần tồntại trong thời gian ngắn. Khi SCR đã dẫn điện, nếu ta ngắt bỏ IG thì SCR vẫn tiếp tục dẫnđiện, nghĩa là ta không thể ngắt SCR bằng cực cổng, đây cũng là một nhược điểm củaSCR so với transistor. Người ta chỉ có thể ngắt SCR bằng cách cắt nguồn VAA hoặc giảm VAA sao chodòng điện qua SCR nhỏ hơn một trị số nào đó (tùy thuộc vào từng SCR) gọi là dòng điệnduy trì IH (hodding current). Trang 127 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR: Đặc tuyến này trình bày sự biến thiên của dòng điện anod IA theo điện thế anod-catod VAK với dòng cổng IG coi như thông số. - Khi SCR được phân cực nghịch (điện thế anod âm hơn điện thế catod), chỉ có mộtdòng điện rỉ rất nhỏ chạy qua SCR. - Khi SCR được phân cực thuận (điện thế anod dương hơn điện thế catod), nếu tanố ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
giáo trình vật lý tài liệu vật lý phương pháp quang học kỹ năng quang học thủ thuật quang họcGợi ý tài liệu liên quan:
-
Giáo trình Vật lý đại cương A2: Phần 2 - ThS. Trương Thành
78 trang 110 0 0 -
Giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào Jfet với tín hiệu xoay chiều p2
10 trang 41 0 0 -
Giáo trình Vật lý phân tử và nhiệt học: Phần 1
54 trang 41 0 0 -
Giáo trình giải thích việc nôn mửa do phản xạ hoặc do trung khu thần kinh bị kích thích p10
5 trang 39 0 0 -
Giáo trình hình thành nguyên lý ứng dụng hệ số góc phân bố năng lượng phóng xạ p4
10 trang 34 0 0 -
Giáo trình hình thành đặc tính kỹ thuật của bộ cánh khuấy Mycom trong hệ số truyền nhiệt p2
5 trang 33 0 0 -
Giáo trình Vật lý phân tử và nhiệt học: Phần 2
72 trang 31 0 0 -
Giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo đoạn nhiệt theo dòng lưu động một chiều p5
10 trang 28 0 0 -
Tài liệu: Hướng dẫn sử dụng phần mềm gõ công thức Toán MathType
12 trang 27 0 0 -
13. TƯƠNG TÁC GIỮA HAI DÒNG ĐIỆN THẲNG SONG SONG. ĐỊNH NGHĨA ĐƠN VỊ AM-PE
4 trang 27 0 0