Giáo trình hình thành phân bố điện từ và khảo sát chuyển động của hạt từ bằng năng lượng p9

Tính chất của nối P-N khi phân cực thuận cũng thay đổi theo nhiệt độ. Khi nhiệt độ của nối P-N tăng, điện thế thềm của mối nối giảm (nối dễ dẫn điện hơn). Người ta thấy rằng, khi nhiệt độ tăng lên 10C điện thế thềm giảm 1,8mV ở diode Si và giảm 2,02mV ở diode Ge. Một cách tổng quát có thể coi như điện thế thềm giảm 2mV khi nhiệt độ tăng lên 10C.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành phân bố điện từ và khảo sát chuyển động của hạt từ bằng năng lượng p9 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 2 t − 25 Áp dụng: I 0 ( t 0C) = I 0 (250 C). 10 2100 − 25 = 25nA. 10 = 25nA.181 ⇒ I 0 (100 0 C) = 4,525µA 2. Tính chất của nối P-N khi phân cực thuận cũng thay đổi theo nhiệt độ. Khi nhiệt độ của nối P-N tăng, điện thế thềm của mối nối giảm (nối dễ dẫn điệnhơn). Người ta thấy rằng, khi nhiệt độ tăng lên 10C điện thế thềm giảm 1,8mV ở diode Sivà giảm 2,02mV ở diode Ge. Một cách tổng quát có thể coi như điện thế thềm giảm 2mVkhi nhiệt độ tăng lên 10C. ∆VD = −2mV / 0 C ∆t 450C I(mA) 350C 250C 0 0,66 0,68 0,7 V Hình 8 3. Nhiệt độ của nối P-N cũng quyết định điện thế sụp đổ. Nếu nhiệt độ tăng lên đếnmột trị nào đó thì điện thế sụp đổ sẽ giảm xuống rất nhỏ và mối nối P-N không còn sửdụng được nữa. Nhiệt độ này là 1500C đối với Si và 850C đối với Ge.IV. NỘI TRỞ CỦA NỐI P-N. Người ta thường chú ý đến hai loại nội trở của nối P-N 1. Nội trở tĩnh: (Static resistance). Nội trở tĩnh là điện trở nội của nối P-N trong mạch điện một chiều. Người ta địnhnghĩa điện trở một chiều ở một điểm phân cực là tỉ số V/I ở điểm đó. I (mA) Vs Rs I Q I P V 0 V V N Trang 41 Biên soạn: Trương Văn Tám (Volt) Hình 9 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Nội trở của nối tại điểm Q là: V RD = I Khi nối P-N phân cực thuận càng mạnh, dòng điện I càng lớn trong lúc điện thế Vgần như không đổi nên nội trở càng nhỏ. 2. Nội trở động của nối P-N: (Dynamic Resistance) Giả sử dòng dòng điện ngang qua nối P-N là IQ tương ứng với một điện thế phâncực thuận VQ. ω w I Vs Rs ~ I P ∆I Q V N ∆V V Hình 10 Khi V biến thiên một lượng ∆V từ trị số VQ thì I cũng biến thiên một lượng tương ∆Iứng ∆I từ trị số IQ. Tỉ số bằng với độ dốc của tiếp tuyến tại điểm Q với đặc tuyến của ∆Vnối P-N. ∆I 1 = Đặt: ;rd được gọi là điện trở động của nối P-N khi phân cực thuận. ∆V rd Với tín hiệu u nhỏ, ta có: ∆V dV rd = = ∆I dI Q ⎡ ηV ⎤ Với I = I 0 .⎢e VT − 1⎥ ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ Suy ra: Trang 42 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ⎡ 1 ηV ⎤ V dI = I0 ⎢ .e T ⎥ ηVT dV ⎢ ⎥ ⎣ ⎦ Ngoài ra, ⎡ ηV ⎤ V ηVT I = I0 .⎢e − 1⎥ = I0 .e − I0 VT ⎢ ⎥ ⎣ ...