Giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào Jfet với tín hiệu xoay chiều p3
Số trang: 10
Loại file: pdf
Dung lượng: 724.02 KB
Lượt xem: 7
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Tham khảo tài liệu giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào jfet với tín hiệu xoay chiều p3, khoa học tự nhiên, vật lý phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào Jfet với tín hiệu xoay chiều p3 . iáo trình Linh Kiện Điện Tử G S2 S1 SiO2 G2 G1 D2 D1 n+ p+ n+ p+ p- Thân n- Hình 47 Cấu trúc CMOS được dùng rất nhiều trong IC tuyến tính và IC số + Bây giờ ta xét mạch căn bản như trên, ta thử xem đáp ứng của CMOS khi tín hiệuvào có dạng xung vuông như hình vẽ. Mạch này được ứng dụng làm cổng đảo và là tẩngcuối của OP-AMP (IC thuật toán). - Khi vi = 5V (0 ≤ t ≤ t1); E-MOSFET kênh P ngưng vì vGS(t)=0V, trong lúc đó E-MOSFET kênh N dẫn mạnh vì vGS(t)=5V nên điện thế ngõ ra vo(t)=0V. - Khi vi(t)=0V (t ≥ t1), E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh (vì vGS(t) = -5V) trong lúcE-MOSFET kênh N không dẫn điện (vì vGS(t) = 0V) nên điện thế ngõ ra vo(t)=VDD=5V. VDD = 15V Q1 S1 vi(t) vo(t) G1 5V 5V D1 Q2 D2 vi(t) v0(t) G2 0 0 t1 t t1 t S2 Hình 48 Trang 121 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . Như vậy, tác dụng của CMOS là một mạch đảo (inverter) Ta xem một mạch khuếch đại đơn giản dùng CMOS tuyến tính: VDD = +15V vi(t) Q1 P S1 t 0 G1 D1 Q2 N D2vi(t) v0(t) vo(t) G2 t 0 S2 VDD VGG = = 7,5V 2 Hình 49 VDD VGG = = 7,5V 2 - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh N dẫn điện mạnh hơn và E-MOSFET kênh Pbắt đầu dẫn điện yếu hơn. Do đó vo(t) giảm. - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh hơn và E-MOSFET kênh Nbắt đầu dẫn điện yếu hơn, nên vo(t) tăng. Như vây ta thấy tín hiệu ngõ vào và ngõ ra ngược pha nhau (lệnh pha 180o)XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS. Các transistor trường ứng (JFET và MOSFET) mà ta đã khảo sát ở trên chỉ thíchhợp cho các mạch có biên độ tín hiệu nhỏ như tiền khuếch đại, trộn sóng, khuếch đại caotần, trung tần, dao động… năm 1976, người ta phát minh ra loại transistor trường có côngsuất vừa, đến lớn với khả năng dòng thoát đến vài chục ampere và công suất có thể lênđến vài chục Watt. 1. V-MOS: Thật ra đây là một loại E-MOSFET cải tiến, cũng là không có sẵn thông lộ và điềuhành theo kiểu tăng. sự khác nhau về cấu trúc E-MOSFET và V-MOS được trình bàybằng hình vẽ sau: Trang 122 Biên soạn: Trương Văn Tám ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào Jfet với tín hiệu xoay chiều p3 . iáo trình Linh Kiện Điện Tử G S2 S1 SiO2 G2 G1 D2 D1 n+ p+ n+ p+ p- Thân n- Hình 47 Cấu trúc CMOS được dùng rất nhiều trong IC tuyến tính và IC số + Bây giờ ta xét mạch căn bản như trên, ta thử xem đáp ứng của CMOS khi tín hiệuvào có dạng xung vuông như hình vẽ. Mạch này được ứng dụng làm cổng đảo và là tẩngcuối của OP-AMP (IC thuật toán). - Khi vi = 5V (0 ≤ t ≤ t1); E-MOSFET kênh P ngưng vì vGS(t)=0V, trong lúc đó E-MOSFET kênh N dẫn mạnh vì vGS(t)=5V nên điện thế ngõ ra vo(t)=0V. - Khi vi(t)=0V (t ≥ t1), E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh (vì vGS(t) = -5V) trong lúcE-MOSFET kênh N không dẫn điện (vì vGS(t) = 0V) nên điện thế ngõ ra vo(t)=VDD=5V. VDD = 15V Q1 S1 vi(t) vo(t) G1 5V 5V D1 Q2 D2 vi(t) v0(t) G2 0 0 t1 t t1 t S2 Hình 48 Trang 121 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . Như vậy, tác dụng của CMOS là một mạch đảo (inverter) Ta xem một mạch khuếch đại đơn giản dùng CMOS tuyến tính: VDD = +15V vi(t) Q1 P S1 t 0 G1 D1 Q2 N D2vi(t) v0(t) vo(t) G2 t 0 S2 VDD VGG = = 7,5V 2 Hình 49 VDD VGG = = 7,5V 2 - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh N dẫn điện mạnh hơn và E-MOSFET kênh Pbắt đầu dẫn điện yếu hơn. Do đó vo(t) giảm. - Khi vi(t) dương, E-MOSFET kênh P dẫn điện mạnh hơn và E-MOSFET kênh Nbắt đầu dẫn điện yếu hơn, nên vo(t) tăng. Như vây ta thấy tín hiệu ngõ vào và ngõ ra ngược pha nhau (lệnh pha 180o)XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS. Các transistor trường ứng (JFET và MOSFET) mà ta đã khảo sát ở trên chỉ thíchhợp cho các mạch có biên độ tín hiệu nhỏ như tiền khuếch đại, trộn sóng, khuếch đại caotần, trung tần, dao động… năm 1976, người ta phát minh ra loại transistor trường có côngsuất vừa, đến lớn với khả năng dòng thoát đến vài chục ampere và công suất có thể lênđến vài chục Watt. 1. V-MOS: Thật ra đây là một loại E-MOSFET cải tiến, cũng là không có sẵn thông lộ và điềuhành theo kiểu tăng. sự khác nhau về cấu trúc E-MOSFET và V-MOS được trình bàybằng hình vẽ sau: Trang 122 Biên soạn: Trương Văn Tám ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
giáo trình vật lý tài liệu vật lý phương pháp quang học kỹ năng quang học thủ thuật quang họcGợi ý tài liệu liên quan:
-
Giáo trình Vật lý đại cương A2: Phần 2 - ThS. Trương Thành
78 trang 122 0 0 -
Giáo trình hình thành ứng dụng điện thế âm vào Jfet với tín hiệu xoay chiều p2
10 trang 57 0 0 -
Giáo trình giải thích việc nôn mửa do phản xạ hoặc do trung khu thần kinh bị kích thích p10
5 trang 55 0 0 -
Giáo trình hình thành đặc tính kỹ thuật của bộ cánh khuấy Mycom trong hệ số truyền nhiệt p2
5 trang 48 0 0 -
Giáo trình Vật lý phân tử và nhiệt học: Phần 1
54 trang 47 0 0 -
Giáo trình hình thành nguyên lý ứng dụng hệ số góc phân bố năng lượng phóng xạ p4
10 trang 44 0 0 -
13. TƯƠNG TÁC GIỮA HAI DÒNG ĐIỆN THẲNG SONG SONG. ĐỊNH NGHĨA ĐƠN VỊ AM-PE
4 trang 38 0 0 -
Giáo trình Vật lý phân tử và nhiệt học: Phần 2
72 trang 36 0 0 -
Giáo trình giải thích việc nôn mửa do phản xạ hoặc do trung khu thần kinh bị kích thích p3
5 trang 30 0 0 -
Giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo đoạn nhiệt theo dòng lưu động một chiều p5
10 trang 30 0 0