Bài giảng Điện tử tương tự 1: Đáp ứng tần số

Bài giảng "Điện tử tương tự 1: Đáp ứng tần số" được biên soạn với các nội dung chính sau: Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại; Đáp ứng tần số thấp của mạch khuếch đại dùng BJT/FET; Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của điện dung Miller; Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại dùng BJT/FET; Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại nhiều tầng. Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết bài giảng tại đây!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Điện tử tương tự 1: Đáp ứng tần sốET3230 Điện tử tương tự IBài giảng: Đáp ứng tần số Slide 1 Nội dung• 8.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại• 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch khuếch đại dùng BJT/FET• 8.3 Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của điện dung Miller• 8.2 Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại dùng BJT/FET• 8.5 Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại nhiều tầng Slide 28.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại• Đáp ứng tần số của 1 bộ KĐ là khoảng tần số – Trong đó bộ KĐ hoạt động với ảnh hưởng của các tụ điện và dung kháng của các linh kiện có thể bỏ qua – Khoảng tần số này gọi là dải thông• Tại các tần số phía trên và phía dưới khoảng “mid-range”, dung kháng sẽ ảnh hưởng tới hệ số KĐ của bộ KĐ Slide 38.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại• Đồ bị Bode biểu diễn đáp ứng tần số của 1 bộ KĐ Slide 48.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại• Dải thông của bộ KĐ được xác định bởi tần số cắt phía trên f 2 và tần số cắt phía dưới f1 BW = f 2 f1−• Tần số cắt là tần số tại đó hệ số KĐ giảm đi 3dB (0,707 lần) Slide 58.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT/FET Slide 68.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT• Tại các tần số thấp, các tụ điện ghép (CS , CC ) và tụ điện bypass (CE ) sẽ có các dung kháng => ảnh hưởng tới trở kháng của mạch Slide 7 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT• Ảnh hưởng của tụ CS 1 fL = S 2π ( RS + Ri ) CS Ri = R1 R 2 β re Slide 8 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT• Ảnh hưởng của tụ CC 1 fL = C 2π ( Ro + RL ) CC Ro = RC ro Slide 9 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT• Ảnh hưởng của tụ CE 1 fL = E 2π ReCS  RS  Re = RE  re  + β  RS = RS R1 R 2 Slide 108.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT • Xét CS , tính f L S 1 fL = Ri = R1 R 2 β re S 2π ( RS + Ri ) CS• Xét CC , tính f L C 1 fL = Ro = RC ro C 2π ( Ro + RL ) CC• Xét CE , tính f L  RS  E 1 Re = RE  re  + fL = β  E 2π ReCS RS = RS R1 R 2 Slide 11 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng BJT• Tần số giới hạn dưới là tần số cao nhất trong f L , f L , f L S C E Slide 12 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng FET• Xét 3 tụ điện CG , CC , CS Slide 13 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng FET• Ảnh hưởng của tụ CG 1 fL = G 2π ( Rsig + Ri ) CG Ri = RG Slide 14 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng FET• Ảnh hưởng của tụ CC 1 fL = C 2π ( Ro + RL ) CC Ro = RD rd Slide 15 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng FET• Ảnh hưởng của tụ CS RS Re = 1 + R (1 + g m rd ) / ( rd + RD RL ) 1 fL = E 2π Req CS 1 rd ≈ ∞ ⇒ Req = RS gm Slide 168.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng FET • Xét CG , tính f L G 1 fL = Ri = RG G 2π ( Rsig + Ri ) CG• Xét CC , tính f L C 1 fL = Ro = RD rd C 2π ( Ro + RL ) CC• Xét CS , tính f L S RS Re = 1 + R (1 + g m rd ) / ( rd + RD RL ) 1 fL = E 2π Req CS 1 rd ≈ ∞ ⇒ Req = RS gm Slide 17 8.4 Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của điện ...