Bài giảng Điện tử tương tự 1: Transistor lưỡng cực

Bài giảng "Điện tử tương tự 1: Transistor lưỡng cực" được biên soạn với các nội dung chính sau: Giới thiệu cấu trúc và hoạt động của transistor lưỡng cực; Các dạng mắc mạch cơ bản; Các phương pháp phân cực cho BJT; Đánh giá sự ổn định của mạch phân cực cho BJT; Một số mạch phân cực dạng hỗn hợp; Tham số kỹ thuật quan trọng của BJT. Mời thầy cô và các em cùng tham khảo chi tiết bài giảng tại đây!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Điện tử tương tự 1: Transistor lưỡng cực ET.3230 Điện tử tương tự 1Bài giảng: Transistor lưỡng cực Slide 1 Transistor Co-inventors of the first transistor at Bell Laboratories: Dr. William Shockley (seated); Dr. John Bardeen (left); Dr. Walter H. Brattain. All shared the Nobel Prize in 1956 for this contribution.The first transistor., 1947(Courtesy Bell Telephone Laboratories.) Slide 2Transistor Slide 3 Nội dung• Giới thiệu cấu trúc và hoạt động• Các dạng mắc mạch cơ bản – Mạch chung base – Mạch chung emitter – Mạch chung collector• Các phương pháp phân cực cho BJT – Nguyên tắc chung phân cực BJT – Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh – PP phân cực bằng dòng base cố định – PP phân cực bằng dòng emitter – PP phân cực bằng điện áp phản hồi – PP phân cực bằng bộ phân áp• Đánh giá sự ổn định của mạch phân cực cho BJT• Một số mạch phân cực dạng hỗn hợp• Tham số kỹ thuật quan trọng của BJT Slide 4 3.1 Giới thiệu cấu trúc và hoạt động• 3.1.1 Cấu trúc của transistor lưỡng cực• 3.1.2 Nguyên lý làm việc của BJT Slide 5 3.1.1 Cấu trúc của BJT• Linh kiện bán dẫn có 3 lớp – 2 lớp loại n, 1 lớp loại p: npn – 2 lớp loại p, 1 lớp loại n: pnp• 2 lớp bên ngoài có độ dày lớn hơn nhiều lớp ở giữa (ví dụ: tỷ lệ 150/1)• Ký hiệu E: emitter, B: base, C: collector Slide 6 3.1.2 Nguyên lý làm việc của BJT • EB phân cực thuận • CB phân cực ngược IE = IC + IB • IC = αIE + ICBO IC = βIB • IC ≈ αIE (bỏ qua ICBO vì rất nhỏ) β β = 50 ÷ 400 • α = 0.9 ÷0.998. α= 1+ ββ hệ số khuếch đại dòng điện α hệ số truyền đạt dòng điện Slide 7 3.1.2 Nguyên lý làm việc của BJT• Mũi tên đặt giữa cực E và B, chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n, chỉ chiều của dòng điện Slide 8Kiểm tra Slide 93.2 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT• 3.2.1 Mạch chung base• 3.2.2 Mạch chung emitter• 3.2.3 Mạch chung collector Slide 10 3.2.1 Mạch chung base• Mạch chung base – Cực base chung cho cả đầu vào (emitter) và đầu ra (collector) – Mô tả bằng 2 đặc tuyến vào, ra • Quan hệ giữa dòng đầu vào I E và điện áp vào VBE với các điện áp ra VCB khác nhau • Quan hệ giữa dòng đầu ra I C và điện áp ra VCB với các dòng đầu vào I E khác nhau Slide 11 3.2.2 Mạch chung base• Đặc tuyến vào và ra - Ba vùng + Tích cực + Cắt + Bão hòa - Vùng tích cực + B-E: phân cực thuận + C-B: phân cực ngược IC ≈ I E VBE = 0,7V Slide 12 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT• Mạch chung emitter – Cực E chung cho cả đầu vào (B) và đầu ra (C) – Mô tả bằng 2 đặc tuyến vào, ra • Quan hệ giữa dòng đầu vào I B và điện áp vào VBE với các điện áp ra VCE khác nhau • Quan hệ giữa dòng đầu ra I C và điện áp ra VCE với các dòng đầu vào I B khác nhau Slide 13 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT• Đặc tuyến vào và ra - Vùng tích cực + B-E: phân cực thuận + C-B: phân cực ngược IC = β I B I E = I C + I B = ( β + 1) I B Slide 14 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT• Mạch chung collector – Cực C chung cho cả đầu vào (B) và đầu ra (E) – Có thể sử dụng 2 đặc tuyến vào, ra của dạng mắc CE – Thường dùng cho các mục đích phối hợp trở kháng, do có trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp Slide 153.3 Các phương pháp phân cực cho BJT• 3.3.1 Nguyên tắc chung phân cực BJT• 3.3.2 Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh• 3.3.3 PP phân cực bằng dòng base cố định• 3.3.4 PP phân cực bằng dòng emitter• 3.3.5 PP phân cực bằng điện áp phản hồi• 3.3.6 PP phân cực bằng bộ phân áp• 3.3.7 Đánh giá sự ổn định của mạ ...