Giáo trinh : Phân tích cấu trúc hợp chất hữu cơ part 4

Hình 18: Sơ đồ cấu tạo một thiết bị phổ Raman kinh điển− Thế hệ máy mới dùng nguồn laser Nd-YAG có λ = 1064 nm vμ kỹ thuật FT (biếnđổi Fourier).4. ứng dụng− Đặc biệt phù hợp để nghiên cứu những liên kết không hoặc ít phân cực. Ví dụ :C≡C, C=C, N=N, C−C, O−O, S−S vμ các hệ vòng. → Xác định các hệ khung phân tử. Ng−ợc lại những đỉnh IR mạnh của nhóm phân cực nh− C=O, O−H chỉ xuất hiện yếu trong phổ Raman....
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trinh : Phân tích cấu trúc hợp chất hữu cơ part 4Lo¹i dao Dao ®éng IR-Bande Dao ®éng Raman - (cm-1) ®éng kh«ng ®èi ®èi xøng Bande (cm-1) xøng Trong IRB¶ng 12: So s¸nh phæ IR vμ phæ Raman cña (E) - dicloetylen 21 3. Phæ kÕ Raman − ¸nh s¸ng ®¬n s¾c tõ nguån s¸ng m¹nh cã λ gi÷a vïng IR vμ UV, v× vïng nμy Ýt bÞnhiÔu do hÊp thô. G−¬ng G−¬ng M¹ng G−¬ng Detect¬ H×nh 18: S¬ ®å cÊu t¹o mét thiÕt bÞ phæ Raman kinh ®iÓn − ThÕ hÖ m¸y míi dïng nguån laser Nd-YAG cã λ = 1064 nm vμ kü thuËt FT (biÕn®æi Fourier). 4. øng dông − §Æc biÖt phï hîp ®Ó nghiªn cøu nh÷ng liªn kÕt kh«ng hoÆc Ýt ph©n cùc. VÝ dô :C≡C, C=C, N=N, C−C, O−O, S−S vμ c¸c hÖ vßng. → X¸c ®Þnh c¸c hÖ khung ph©n tö.Ng−îc l¹i nh÷ng ®Ønh IR m¹nh cña nhãm ph©n cùc nh− C=O, O−H chØ xuÊt hiÖn yÕutrong phæ Raman. − Lîi : cã thÓ ghi trong n−íc v× dïng cuvett thuû tinh vμ n−íc lμ dung m«i cho rÊt Ýtv¹ch vμ v¹ch yÕu trong phæ Raman. − øng dông lín nhÊt cña phæ Raman kh«ng ph¶i ®Ó x¸c ®Þnh cÊu tróc, mμ ®Ó g¸n c¸cdao ®éng trong phæ IR vμ phæ Raman. 22 Ch−¬ng III Phæ khèi l−îng 1. §Æt vÊn ®Ò − MÆc dï ph−¬ng ph¸p khèi khæ ®· t−¬ng ®èi cò (1910 Thomson ®· t¸ch ®−îc ®ångvÞ Neon 20 vμ 22). Song, b−íc ngoÆt ®Ó ph−¬ng ph¸p khèi phæ trë thμnh ph−¬ng ph¸pph©n tÝch quan träng trong Ho¸ h÷u c¬ chØ tõ n¨m 1960. − Hai thÕ m¹nh ®· ®ãng gãp vμo sù ph¸t triÓn cña ph−¬ng ph¸p khèi phæ lμ : • Víi l−îng mÉu nhá nhÊt cã thÓ x¸c ®Þnh ®−îc khèi l−îng t−¬ng ®èi cña ph©n tö vμthËm chÝ thμnh phÇn c¸c nguyªn tè cña mét hîp chÊt. • Qua viÖc ph©n m¶nh trong khèi phæ cã thÓ suy ra cÊu tróc hoÆc th«ng tin vÒ ph©ntö. − §èi víi c¸c ph©n tö ph©n cùc, khã bay h¬i, ®Ó tr¸nh ph©n huû ®· cã nh÷ng ph−¬ngph¸p ion ho¸ nh− : EI (va ch¹m ®iÖn tö), ho¸ häc (CI), tõ tr−êng (field ionisation), FAB(b¾n ph¸ b»ng nguyªn tö tèc ®é cao), phæ khèi ion thø cÊp (sekunder ion − MS), ESI (m©y®iÖn tö). − Cã thÓ x¸c ®Þnh khèi l−îng t−¬ng ®èi ®Õn 1200 vμ cao h¬n n÷a. 2. ThiÕt bÞ, ghi phæ : H÷u c¬ : MS, v« c¬ : ICP-MS 2.1. Nguyªn lý cña mét khèi phæ kÕ: 23 − Cã 4 vïng chøc n¨ng : • §−a mÉu vμo • T¹o ra ion Trong ch©n kh«ng cao ®Ó tr¸nh va • T¸ch khèi l−îng ch¹m gi÷a c¸c ion • Chøng minh ion *) §−a mÉu vμo : − VÊn ®Ò lμ ®−a mÉu tõ ¸p suÊt th−êng vμo buång ch©n kh«ng cao mμ kh«ng cÇn ng¾tch©n kh«ng. − Cã 2 ph−¬ng ph¸p : • §−a d¹ng khÝ • §−a trùc tiÕp − §−a d¹ng khÝ : dïng cho mÉu láng hoÆc khÝ, b¬m qua xylanh c¸c chÊt dÔ bay h¬icã thÓ qua hÖ s¾c ký khÝ (SKK) hoÆc s¾c ký láng (GC/MS, HPLC/MS, LC/MS). − §−a trùc tiÕp : dïng cho mÉu d¹ng tinh thÓ, s¬n hoÆc keo. MÉu ®Ó trong mét cèib»ng nh«m hoÆc vμng, φ = 1mm, g¾n trªn mét thanh ®èt ®−îc ®−a vμo buång ch©n kh«ng.Sau khi hót ch©n kh«ng, cèi ®ùng mÉu ®−îc lμm nguéi vμ ®−a vμo buång ion ho¸. ë ®©ynã ®−îc ®èt nãng tõ tõ ®Õn khi bay h¬i. − L−îng mÉu cÇn : −9 −15 • §−a d¹ng khÝ : 0,1 − 1 mg ; qua SKK : 10 → 10 g. • §−a trùc tiÕp : 0,001 − 0,1mg. *) T¹o ion : − Tõ bé phËn ®−a mÉu, mét dßng ph©n tö nhá, cè ®Þnh ®−îc b¾n vμobuång ion ho¸. Dßng ph©n tö nμy va ch¹m vu«ng gãc víi mét dßng ®iÖn tö (n»m gi÷acatèt nãng ®á vμ anèt). §iÖn thÕ gi÷a catèt vμ anèt thay ®æi gi÷a 0 vμ 300V, cã nghÜa :n¨ng l−îng cña ®iÖn tö lμ : 0 − 300 eV. − ë c¸c phæ khèi ®iÖn thÕ thÊp : 12 − 15 eV. − e− M ⎯⎯⎯ M + ion radical →. − Phæ khèi l−îng b×nh th−êng : 60 − 100 eV PhÇn lín ghi ë 70 eV. − +. − Qua va ch¹m gi÷a ®iÖn tö vμ ph©n tö t¹o thμnh ion ph©n tö → M + e → M + 2e(molecular ion) − − 2+ hoÆc M + e → M + 3e 24 − Nh÷ng phÇn kh«ng bÞ ion ho¸ sÏ bÞ hót ra khái buång ion qua b¬m ch©n kh«ng. C¸cion ph©n tö ...