Tốc độ gia tăng phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử
Số trang: 9
Loại file: pdf
Dung lượng: 226.31 KB
Lượt xem: 24
Lượt tải: 0
Xem trước 1 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho phonon để thành lập biểu thức tính tốc độ gia tăng số phonon do tương tác electronphonon bị giam giữ trong giếng lượng tử. Biểu thức giải tích thu được là chung cho bán dẫn giếng lượng tử với thế giam giữ bất kì khi tính đến sự giam giữ của phonon.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Tốc độ gia tăng phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử TỐC ĐỘ GIA TĂNG PHONON BỊ GIAM GIỮ TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ TRẦN THANH THẢO TRẦN THỊ PHƯƠNG YÊN - PHẠM PHƯỚC PHA Khoa Vật lý Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đã sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho phonon để thành lập biểu thức tính tốc độ gia tăng số phonon do tương tác electron- phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử. Biểu thức giải tích thu được là chung cho bán dẫn giếng lượng tử với thế giam giữ bất kì khi tính đến sự giam giữ của phonon. 1 GIỚI THIỆU Sự thay đổi số phonon trong bán dẫn thấp chiều dưới tác dụng của trường laser cao tần đang được quan tâm nghiên cứu. Các hiệu ứng này xảy ra do tương tác của hệ electron và phonon. Vì tương tác electron-phonon trong dây lượng tử bán dẫn xảy ra khác biệt so với trong bán dẫn khối và trong các bán dẫn thấp chiều khác nên hiệu ứng này mang các đặc tính mới. Vấn đề này đã được nghiên cứu trong bán dẫn khối và bán dẫn hai chiều (giếng lượng tử, siêu mạng) và bán dẫn một chiều (dây lượng tử), nhưng đa số chỉ xét trường hợp phonon khối (không bị giam giữ). Các công trình nghiên cứu vấn đề này cho trường hợp phonon bị giam giữ còn rất ít. Trong những năm gần đây có một số nhóm đã nghiên cứu tốc độ gia tăng phonon trong bán dẫn khối [1], trong giếng lượng tử [3, 4], trong siêu mạng [2, 5] và trong dây lượng tử [6, 7, 8]. Tuy nhiên các nghiên cứu trên chỉ xét trong trường hợp phonon khối (phonon không bị giam giữ). Gần đây, luận văn Thạc sĩ của Huỳnh Thị Thanh Tuyền tại ĐHSP Huế năm 2012 nghiên cứu tốc độ tạo phonon trong dây lượng tử hình trụ có xét đến tính giam giữ phonon [9]. Trong bài báo này, chúng tôi đề cập đến việc sử dụng phương trình động lượng tử cho phonon để thành lập biểu thức tính tốc độ gia tăng phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử. 2 PHƯƠNG TRÌNH ĐỘNG LƯỢNG TỬ CHO PHONON BỊ GIAM GIỮ TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ Ta xét bán dẫn giếng lượng tử trong đó electron chuyển động tự do trong mặt phẳng (x, y) và bị giam giữ theo phương z với thế giam giữ U (z). Giải phương trình Sch¨odinger cho electron ta được năng lượng và hàm sóng có dạng ~2~k⊥ 2 εn (~k⊥ ) = + Enz . (1) 2me Kỷ yếu Hội nghị Khoa học Sinh viên năm học 2014-2015 Trường Đại học Sư phạm Huế, tháng 12/2014: tr. 67-75 68 TRẦN THANH THẢO và cs. s 1 i~k⊥~r⊥ ψ(x, y, z) = e ψnz (z), (2) Lx Ly ở đây Lx , Ly , Lz là chiều dài của giếng lượng tử theo phương x, y và z; kx , ky là thành phần của vectơ sóng ~k theo các hướng x và y; ~k⊥ , ~r⊥ tương ứng là vectơ sóng và vectơ vị trí của electron trong mặt phẳng (x, y), ~k⊥ = kx~i + ky~j, ~r⊥ = x~i + y~j, nz là số lượng tử do sự lượng tử hoá năng lượng theo phương z. Với mô hình giếng như trên, phonon bị giam giữ theo trục z, lúc đó vectơ sóng của phonon bị lượng tử hoá và có dạng s 2 2 mπ q= q⊥ + , (3) Lz 2 = q 2 + q 2 . Tần số của phonon bị giam giữ được xác định bởi biểu thức [10] trong đó q⊥ x y ωm,q⊥ = [ω02 − γ 2 (q⊥ 2 2 1/2 + qm )] , (4) trong đó ω0 là tần số của phonon khối, γ là tham số vận tốc. Hamiltonian của hệ electron-phonon trong giếng lượng tử khi xét đến sự giam giữ của phonon có dạng: X h→ − e→ − i + X H(t) = εn k ⊥ − A (t) a n,− → + k⊥ ~ωq−→ b+ − → ⊥ m, q ⊥ − → ~c − → n, k ⊥ m, q ⊥ − → X X + + + Mn,n0 (q⊥ ) a 0 − → −→ an,− → k bm, − → q ⊥ + b − → m,− q ...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Tốc độ gia tăng phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử TỐC ĐỘ GIA TĂNG PHONON BỊ GIAM GIỮ TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ TRẦN THANH THẢO TRẦN THỊ PHƯƠNG YÊN - PHẠM PHƯỚC PHA Khoa Vật lý Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đã sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho phonon để thành lập biểu thức tính tốc độ gia tăng số phonon do tương tác electron- phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử. Biểu thức giải tích thu được là chung cho bán dẫn giếng lượng tử với thế giam giữ bất kì khi tính đến sự giam giữ của phonon. 1 GIỚI THIỆU Sự thay đổi số phonon trong bán dẫn thấp chiều dưới tác dụng của trường laser cao tần đang được quan tâm nghiên cứu. Các hiệu ứng này xảy ra do tương tác của hệ electron và phonon. Vì tương tác electron-phonon trong dây lượng tử bán dẫn xảy ra khác biệt so với trong bán dẫn khối và trong các bán dẫn thấp chiều khác nên hiệu ứng này mang các đặc tính mới. Vấn đề này đã được nghiên cứu trong bán dẫn khối và bán dẫn hai chiều (giếng lượng tử, siêu mạng) và bán dẫn một chiều (dây lượng tử), nhưng đa số chỉ xét trường hợp phonon khối (không bị giam giữ). Các công trình nghiên cứu vấn đề này cho trường hợp phonon bị giam giữ còn rất ít. Trong những năm gần đây có một số nhóm đã nghiên cứu tốc độ gia tăng phonon trong bán dẫn khối [1], trong giếng lượng tử [3, 4], trong siêu mạng [2, 5] và trong dây lượng tử [6, 7, 8]. Tuy nhiên các nghiên cứu trên chỉ xét trong trường hợp phonon khối (phonon không bị giam giữ). Gần đây, luận văn Thạc sĩ của Huỳnh Thị Thanh Tuyền tại ĐHSP Huế năm 2012 nghiên cứu tốc độ tạo phonon trong dây lượng tử hình trụ có xét đến tính giam giữ phonon [9]. Trong bài báo này, chúng tôi đề cập đến việc sử dụng phương trình động lượng tử cho phonon để thành lập biểu thức tính tốc độ gia tăng phonon bị giam giữ trong giếng lượng tử. 2 PHƯƠNG TRÌNH ĐỘNG LƯỢNG TỬ CHO PHONON BỊ GIAM GIỮ TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ Ta xét bán dẫn giếng lượng tử trong đó electron chuyển động tự do trong mặt phẳng (x, y) và bị giam giữ theo phương z với thế giam giữ U (z). Giải phương trình Sch¨odinger cho electron ta được năng lượng và hàm sóng có dạng ~2~k⊥ 2 εn (~k⊥ ) = + Enz . (1) 2me Kỷ yếu Hội nghị Khoa học Sinh viên năm học 2014-2015 Trường Đại học Sư phạm Huế, tháng 12/2014: tr. 67-75 68 TRẦN THANH THẢO và cs. s 1 i~k⊥~r⊥ ψ(x, y, z) = e ψnz (z), (2) Lx Ly ở đây Lx , Ly , Lz là chiều dài của giếng lượng tử theo phương x, y và z; kx , ky là thành phần của vectơ sóng ~k theo các hướng x và y; ~k⊥ , ~r⊥ tương ứng là vectơ sóng và vectơ vị trí của electron trong mặt phẳng (x, y), ~k⊥ = kx~i + ky~j, ~r⊥ = x~i + y~j, nz là số lượng tử do sự lượng tử hoá năng lượng theo phương z. Với mô hình giếng như trên, phonon bị giam giữ theo trục z, lúc đó vectơ sóng của phonon bị lượng tử hoá và có dạng s 2 2 mπ q= q⊥ + , (3) Lz 2 = q 2 + q 2 . Tần số của phonon bị giam giữ được xác định bởi biểu thức [10] trong đó q⊥ x y ωm,q⊥ = [ω02 − γ 2 (q⊥ 2 2 1/2 + qm )] , (4) trong đó ω0 là tần số của phonon khối, γ là tham số vận tốc. Hamiltonian của hệ electron-phonon trong giếng lượng tử khi xét đến sự giam giữ của phonon có dạng: X h→ − e→ − i + X H(t) = εn k ⊥ − A (t) a n,− → + k⊥ ~ωq−→ b+ − → ⊥ m, q ⊥ − → ~c − → n, k ⊥ m, q ⊥ − → X X + + + Mn,n0 (q⊥ ) a 0 − → −→ an,− → k bm, − → q ⊥ + b − → m,− q ...
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Giếng lượng tử Trường laser cao tần Tương tác electron-phonon Electron chuyển động tự do Dây lượng tửTài liệu liên quan:
-
Ảnh hưởng của sự giam giữ phonon lên cộng hưởng từ phonon trong giếng lượng tử thế tam giác
7 trang 176 0 0 -
8 trang 120 0 0
-
Dòng âm - điện phi tuyến trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn
8 trang 28 0 0 -
Xác định riêng rẽ cấu hình nhám từ dữ liệu quang học trong giếng lượng tử InGaN/GaN
8 trang 27 0 0 -
Ảnh hưởng của sự giam giữ phonon lên cộng hưởng electron phonon trong giếng lượng tử thế tam giác
9 trang 23 0 0 -
Phổ hấp thụ của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa GaAs/AlAs
12 trang 22 0 0 -
199 trang 18 0 0
-
Hiệu ứng Hall lượng tử trong dây lượng tử hình trụ
4 trang 17 0 0 -
44 trang 15 0 0
-
Phương pháp biến phân áp dụng cho giếng lượng tử pha tạp đối xứng hai phía
7 trang 15 0 0