Giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p2

Tham khảo tài liệu 'giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo mosfet với tín hiệu xoay chiều p2', kỹ thuật - công nghệ, kĩ thuật viễn thông phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p2 Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . - VDD + - VGG + S G D SiO2 Điều Điện tử tập trung n- dưới sức hút nguồn hành dương của cực cổng theo n+ n+ làm cho điện trở kiểu thông lộ giảm tăng Thân p- Hình 26 Khi VGS = 0V (cực cổng nối thẳng với cực nguồn), điện tử di chuyển giữa cực âm của nguồn điện VDD qua kênh n- đến vùng thoát (cực dương của nguồn điện VDD) tạo ra dòng điện thoát ID. Khi điện thế VDS càng lớn thì điện tích âm ở cổng G càng nhiều (do cổng G cùng điên thế với nguồn S) càng đẩy các điện tử trong kênh n- ra xa làm cho vùng hiếm rộng thêm. Khi vùng hiếm vừa chắn ngang kênh thì kênh bị nghẽn và dòng điện thoát ID đạt đến trị số bảo hoà IDSS. Khi VGS càng âm, sự nghẽn xảy ra càng sớm và dòng điện bảo hoà ID càng nhỏ. Khi VGS dương (điều hành theo kiểu tăng), điện tích dương của cực cổng hút các điện tử về mặt tiếp xúc càng nhiều, vùng hiếm hẹp lại tức thông lộ rộng ra, điện trở thông lộ giảm nhỏ. Điều này làm cho dòng thoát ID lớn hơn trong trường hợp VGS = 0V. Vì cực cổng cách điện hẳn khỏi cực nguồn nên tổng trở vào của DE-MOSFET lớn hơn JFET nhiều. Cũng vì thế, khi điều hành theo kiểu tăng, nguồn VGS có thể lớn hơn 0,2V. Thế nhưng ta phải có giới hạn của dòng ID gọi là IDMAX. Đặc tuyến truyền và đặc tuyến ngõ ra như sau: Trang 106 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử DE-MOSFET kênh N ID (mA) ID (mA) Đặc tuyến Đặc tuyến IDmax truyền ngõ ra VGS = +2V Điều hành VGS = +1V kiểu tăng IDSS VGS = 0V Điều hành VGS = -1V kiểu hiếm VGS = -2V VGS = -3V VGS VDS (volt) 0 2V 0 VGS(off) < 0 Hình 27 DE-MOSFET kênh P ID (mA) ID (mA) Đặc tuyến Đặc tuyến IDmax truyền ngõ ra VGS = -2V Điều hành VGS = -1V kiểu tăng IDSS VGS = 0V Điều hành VGS = +1V kiểu hiếm VGS = +2V VGS = +3V VGS VDS (volt) 0 -2V 0 VGS(off) > 0 Hình 28 Như vậy, khi hoạt động, DE-MOSFET giống hệt JFET chỉ có tổng trở vào lớn hơn và dòng rỉ IGSS nhỏ hơn nhiều so với JFET. VI. MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET) MOSFET loại tăng cũng có hai loại: E-MOSFET kênh N và E-MOSFET kênh P. Về mặt cấu tạo cũng giống như DE-MOSFET, chỉ khác là bìng thường không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát D và vùng nguồn S. Mô hình cấu tạo và ký hiệu được diễn tả bằng hình vẽ sau đây: Trang 107 Biên soạn: Trương Văn Tám . iáo trình Linh Kiện Điện Tử G D Nguồn Cổng Thoát Tiếp xúc ...