Danh mục

Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation

Số trang: 13      Loại file: pdf      Dung lượng: 741.21 KB      Lượt xem: 21      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Paper "Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation" presents the study results of quickly cooling 2D silicon carbide by MD simulation with a sample of 8100 atoms. Silicon carbide 2D is cooled from 5000K to 300K with a velocity of 1013 K/s. Investigation of energy dependence on temperature shows a jump in the average total energy of molten 2D Silicon carbide at the temperature T = 3000K.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation

Tài liệu được xem nhiều:

Gợi ý tài liệu liên quan: