Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation
Số trang: 13
Loại file: pdf
Dung lượng: 741.21 KB
Lượt xem: 21
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Paper "Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation" presents the study results of quickly cooling 2D silicon carbide by MD simulation with a sample of 8100 atoms. Silicon carbide 2D is cooled from 5000K to 300K with a velocity of 1013 K/s. Investigation of energy dependence on temperature shows a jump in the average total energy of molten 2D Silicon carbide at the temperature T = 3000K.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Kỷ yếu hội nghị khoa học Hội nghị khoa học Vật lý và Khoa học vật liệu Cooling process of 2D SiC Molecular dynamics simulation Coordination number distribution Angle distributionGợi ý tài liệu liên quan:
-
Comparison of determining the 10B and 6Li depth profiles based on NDP and SIMS analytical methods
10 trang 43 0 0 -
Năng lượng giải tích ở trạng thái cơ bản của exciton hai chiều trong từ trường đều
14 trang 26 0 0 -
18 trang 22 0 0
-
Nghiên cứu các đặc tính hấp phụ khí của đơn lớp Sc2CO2 bằng các tính toán DFT
17 trang 22 0 0 -
9 trang 20 0 0
-
13 trang 19 0 0
-
Tháo gỡ những rào cản, thúc đẩy tăng trưởng bền vững trong xuất khẩu rau quả Việt Nam
6 trang 19 0 0 -
Giáo dục đạo đức sinh thái cho sinh viên đáp ứng yêu cầu phát triển bền vững ở Việt Nam hiện nay
7 trang 18 0 0 -
Quan điểm phát triển bền vững của Đảng cộng sản Việt Nam qua các kỳ đại hội từ năm 1986 đến nay
9 trang 18 0 0 -
12 trang 17 0 0