Danh mục

Luận án Tiến sĩ Vật lý: Dẫn nhảy bước biến đổi trong các hệ điện tử định xứ mạnh

Số trang: 171      Loại file: pdf      Dung lượng: 46.75 MB      Lượt xem: 8      Lượt tải: 0    
tailieu_vip

Xem trước 10 trang đầu tiên của tài liệu này:

Thông tin tài liệu:

Mục tiêu của đề tài là nghiên cứu ảnh hưởng của tương tác electron - electron lên mật độ trạng thái và sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn nhảy bước biến đổi. Trình bày các hiệu ứng tương tác Coulomb trong suất nhiệt điện động ở miền dẫn nhảy bước biến đổi. Tìm hiểu dẫn nhảy bước biến đổi phụ thuộc tần số và dẫn nhảy bước biến đổi trong hệ thấp chiếu.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Dẫn nhảy bước biến đổi trong các hệ điện tử định xứ mạnh M Ụ C LỤC Trang MỤC LỤC Ì; D A N H M Ụ C CÁC CHỮVIẾT TẮT 4 D A N H M Ụ C CÁC BẢNG 4 D A N H M Ụ C CÁC HÌNH VẼ, Đ ồ THỊ 5 M Ớ ĐẦU 8 Chương Ì T Ổ N G Q U A N 14 L I Mất trật tự và định xứ 14 1.2 Dẫn điện trong các hệ electron định xứ mạnh: dẫn nhảy 18 1.3 Lưới trớ ng ẫu nhiên Miller - Abrahams 22 1.4 Đô dẫn điện của các hệ rất không đổng nhất trong gần đúng lý thuyết thấm 7g 1.4.1 Bài to án mạng 28 1.4.2 Bài to án nút ngẫu nhiên 30 1.4.3 Độ dẫn điện của môi trường rất không đổng nhất 32 1.5 Dẫn nhảy bước nhảy biến đối: Định luật Mott 34 Chương 2 Ả N H HƯỞNG CỦA TƯƠNG TÁC E L E C T R O N - E L E C T R O N LÊN M Ậ T ĐỘ TRẠNG THÁI VÀ sự P H Ụ THUÔC N H I Ệ T Đ ộ CỦA ĐỘ DẪN NHẢY BƯỚC BIẾN Đ ổ i 39 2.1 Mật độ trạng thái định xứ lân cận mức Fermi 39 2.1.1 Khảo sát đinh tính 39 2.1.2 Phương trình tự hoa hơp: Khe Coulomb 42 2.1.3 Mô phỏng khe Coulomb trên máy tính điện tử 44 2. Ì .4 Quan sát thực nghiệm 46 2.2 Các hiệu ứng chấn 48 2.2.1 Trườn g hợp 3D: chắn Yukawa 48 2.2.2 Trường hợp 2D: chắn d o cổng kim loại 49 Ì2.3 Sự phụ thuộc nhiệt độ của dẫn nháy bước biến đổi 52 2.3.1 Định luật Efros-Shklovskii 52 2.3.2 Qu an sát thực nghiệm 532.4 Chuyển Mott - Efros-Shklovskii 54 2.4. Ì Quan sát thực nghiệm 54 2.4.2 Biểu thức tổng quát cho sự phụ thu ộc nhiệt độ của V R H . . 552.5 Dẫn nhảy bước biến đối trong vật liệu vô định hình 57 2.5.1 Mô hình mật độ trạng thái cho vật liệu vô định hình 57 2.5.2 Tính độ dẫn nhảy V R H cho vật liệu vô định hình . . . . . . . . 58 2.5.3 Thảo luận kết qua 59Chương 3 CÁC KIỆU ỨNG TƯƠNG TÁC COULOMB TRONG SUẤT NHIỆT ĐIỆN ĐỘNG ỏ MIỀN DẪiN NHẢY BƯỚC BIẾN ĐỔI 623.1 Su ấ t nhiệt điện động V R H trong gần đúna lý thuyết thấm 623.2 Biếu thức giải tích tons quát 65 3.2.1 Hệ hai chiều (2D) 65 3.2.2 Hệ ba chiều (3D) 68 3.2.3 Thảo luận 713.3 Suất nhiệt điện động V R H cho vật liệu vò định hình 74 3.3.1 Biếu thức suất nhiệt điện động VRH cho vật liệu vò định hình . . 74 3.3.2 Tháo luận 78Chuông 4 DẨ N NHẢY BƯỚC BIÊN Đ ổ i P H Ụ T H U Ộ C T Ầ N s ố 814. Ì Phép gần đúng cặp 814.2 Biểu thức tổng quát của đô dẫn điện ác V R H 85 4.2.1 Hệ ba chiều (3D) 85 4.2.2 Hệ hai chiều (2D) 874.3 Kết quả số và thảo luận 89Chương 5 DẪN NHẢY BƯỚC BIẾN Đ ổ i TRONG HỆ THẤP CHIỂU 9 45.1 Đặt vấn đề 94 25.2 Mô hình và phương pháp tính 965.3 Trường ...

Tài liệu được xem nhiều:

Tài liệu cùng danh mục:

Tài liệu mới: