Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học và hiện tượng phách lượng tử trong một số cấu trúc bán dẫn thấp chiều

Mục tiêu chung của luận án "Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học và hiện tượng phách lượng tử trong một số cấu trúc bán dẫn thấp chiều" là khảo sát hiệu ứng Stark quang học và hiện tượng phách lượng tử của exciton trong một số cấu trúc bán dẫn thấp chiều.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học và hiện tượng phách lượng tử trong một số cấu trúc bán dẫn thấp chiều ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM LÊ THỊ DIỆU HIỀNNGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG STARK QUANG HỌC VÀHIỆN TƯỢNG PHÁCH LƯỢNG TỬ TRONG MỘT SỐ CẤU TRÚC BÁN DẪN THẤP CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Huế, 2023 ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM LÊ THỊ DIỆU HIỀNNGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG STARK QUANG HỌC VÀHIỆN TƯỢNG PHÁCH LƯỢNG TỬ TRONG MỘT SỐ CẤU TRÚC BÁN DẪN THẤP CHIỀU Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 9 44 01 03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Người hướng dẫn khoa học PGS. TS. ĐINH NHƯ THẢO Huế, 2023 LỜI CẢM ƠN Để hoàn thành luận án này, em xin tỏ lòng biết ơn chân thành vàsâu sắc nhất đến Thầy giáo PGS. TS. Đinh Như Thảo, người thầy đãtận tình hướng dẫn và hỗ trợ em trong suốt thời gian học tập và nghiêncứu. Ngoài những kiến thức chuyên môn, Thầy còn là người luôn độngviên tinh thần và giúp em học được cách tiếp cận và giải quyết các vấnđề khoa học cũng như những vấn đề liên quan khác. Những gì em họcđược từ Thầy sẽ là hành trang giúp em theo đuổi đam mê nghiên cứukhoa học sau này. Em xin chân thành cám ơn: Ban Giám hiệu Trường Đại học Khoahọc, Đại học Huế; Ban Giám hiệu Trường Đại học Sư phạm, Đại họcHuế; Phòng Sau đại học, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế đã hỗtrợ và tạo mọi điều kiện thuận lợi cho em trong suốt thời gian học tậpvà nghiên cứu để hoàn thành luận án. Em xin chân thành cảm ơn Ban chủ nhiệm khoa và toàn thể quýThầy Cô giáo Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế đãtận tình giảng dạy, hướng dẫn, và động viên quan tâm em trong suốtquá trình em học tập và thực hiện luận án tại khoa. Em cũng xin bàytỏ lòng biết ơn đến Ban chủ nhiệm khoa và toàn thể quý Thầy Cô tạikhoa Điện, Điện tử và Công nghệ vật liệu, Trường Đại học Khoa học,Đại học Huế đã luôn bên cạnh giúp đỡ và cổ vũ tinh thần cho em trongsuốt quá trình học tập và thực hiện luận án. Em xin cảm ơn các anh chị itrong nhóm nghiên cứu SNS Huế đã luôn động viên và nhiệt tình hỗ trợcho em về mặt chuyên môn cũng như kinh nghiệm trong các hoạt độnghọc tập và nghiên cứu khoa học. Cuối cùng, em xin đặc biệt bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến Ba Mẹ,chồng và các con cũng như người thân trong gia đình, bạn bè đã luônủng hộ và tạo mọi điều kiện thuận lợi nhất để em có thể hoàn thành tốtluận án này. Nghiên cứu sinh Lê Thị Diệu Hiền ii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Cácsố liệu, hình ảnh và kết quả nghiên cứu nêu trong luận án là trung thực,được các đồng tác giả cho phép sử dụng và chưa từng được công bố trongbất kỳ một công trình nghiên cứu nào khác. Tác giả luận án Lê Thị Diệu Hiền iii MỤC LỤCLời cảm ơn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iLời cam đoan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iiiMục lục . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ivDanh mục các bảng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viiDanh mục các hình vẽ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . xivMở đầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1Nội dung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10Chương 1. Cơ sở lý thuyết . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.1. Tổng quan về chấm lượng tử bán dẫn . . . . . . . . . . . 101.2. Exciton trong chấm lượng tử . . . . . . . . . . . . . . . . 141.3. Phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa . . . . . . . . . . . 151.4. Kết luận chương 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19Chương 2. Hiệu ứng Stark quang học ba mức của ex- citon trong chấm lượng tử . . . . . . . . . . . . . . . 202.1. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng quạt cầu với thế vuông góc sâu vô hạn . . . . . . . . . . . . . 20 2.1.1. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 2.1.2. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 iv 2.1.3. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học . . . . . . . . . 28 2.1.4. Kết quả tính số và thảo luận . . . . . . . . . . . . 342.2. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế vuông góc sâu vô hạn . . . . . . . . . . . . . . . 41 2.2.1. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống 41 2.2.2. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 2.2.3. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học . . . . . . . . . 47 2.2.4. Kết quả tính số và thảo luận . . . . . . . . . . . . 492.3. Hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử dạng đĩa với thế parabol . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54 2.3.1. Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử và lỗ trống 54 2.3.2. Phổ hấp thụ của exciton khi không có tác dụng của laser bơm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 2.3.3. Phổ hấp thụ của exciton dưới tác dụng của laser bơm - Hiệu ứng Stark quang học . . . . . . . . . 59 2.3.4. Kết quả ...